公开(公告)号：CN1113403C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN95121671.6

申请日：1995-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 在用激光辐照退火来制作半导体器件中，同时使线状激光沿垂直于一条直线的方向扫描，来完成对半导体材料的退火。在此状态下，因为在对应于一条直线方向的光束横的方向上的退火效果与扫描方向上的退火效果有2倍以上的差异，使多个半导体元件沿线状激光辐照的一直线方向形成。另外，使连接薄膜晶体管的源和漏区的一直线方向与线状激光的线条方向对准。

公开(公告)号：CN1395286A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中嶋节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1078384C

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN95115160.6

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供具有可与单晶硅片性能相比似的特性的薄膜晶体管(TFT)。由硅氧化物制成的缓冲膜被形成在第一非晶硅膜上。将含有诸如镍之类的金属元素(用以促进硅结晶)的乙酸镍溶液涂敷到第一非晶硅膜。对该叠层进行热处理以形成硅化镍层。然后对硅化镍层绘制图样。形成第二非晶硅膜并对其热处理以生长晶体。这样便形成可视为单晶体的单域区。由这些单域区形成TFT的有源层。

公开(公告)号：CN1129850A

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：CN95115160.6

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供具有可与单晶硅片性能相比拟的特性的薄膜晶体管(TFT)。由硅氧化物制成的缓冲膜被形成在第一非晶硅膜上。将含有诸如镍之类的金属元素(用以促进硅结晶)的乙酸镍溶液涂敷到第一非晶硅膜。对该叠层进行热处理以形成硅化镍层。然后对硅化镍层绘制图样。形成第二非晶硅膜并对其热处理以生长晶体。这样便形成可视为单晶体的单域区。由这些单域区形成TFT的有源层。

公开(公告)号：CN119785687A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510112614.7

申请日：2019-05-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/20 ,  G02F1/133 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/36 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123

Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置及电子设备。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以缓和对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。

公开(公告)号：CN112005289B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201980026665.0

申请日：2019-04-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/36 ,  H10K59/121 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够提高图像质量的显示装置。该显示装置在显示区域中包括多个像素区块，该像素区块包括第一电路及多个第二电路。第一电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。第二电路包括显示元件并具有根据对上述进行了加法运算的数据进行显示的功能。一个像素包括一个第二电路和共用的第一电路的构成要素。通过在多个像素中共用第一电路，可以提高开口率。

公开(公告)号：CN115527508A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211409019.2

申请日：2019-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3275 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置及电子设备。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以放宽对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。

公开(公告)号：CN115202115A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210844141.6

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3225

Abstract: 本发明提供一种能够提高图像品质的显示装置。该显示装置包括第一电路、像素及布线。第一电路具有对布线供应数据的功能及使布线处于浮动状态而保持所述数据的功能。像素具有从布线取得数据两次而进行加法运算的功能，可以在布线被供应数据的期间进行第一次的数据写入且在布线保持所述数据的期间进行第二次的所述数据写入。由此，通过对源极线进行一次数据充电就可以对显示元件供应源极驱动器的输出电压以上的数据电位。

公开(公告)号：CN111247580B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201880068248.8

申请日：2018-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  楠本直人

IPC: G09G3/3233 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

Abstract: 提供一种能够以不转换图像信号的方式进行适当的显示的显示装置。在以高分辨率进行显示的情况下，经过第一信号线及各像素所包括的第一晶体管对各像素供应个别数据。在以低分辨率进行显示的情况下，经过第二信号线及与多个像素电连接的第二晶体管对该多个像素供应同一数据。在有多个显示对象的图像数据且与其对应的分辨率不同的情况下，通过如上所述切换图像数据的供应路径可以以不进行上转换或下转换的方式进行显示。

公开(公告)号：CN115088029A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180014228.4

申请日：2021-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠纮慈 ,  楠本直人

IPC: G09F9/33 ,  H01L33/60 ,  G09F9/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种廉价且可靠性高的显示装置。该显示装置具有包括像素电路所包括的发光二极管、像素电路所包括的晶体管以及像素电路的驱动电路所包括的晶体管且它们以具有彼此重叠的区域的方式层叠的结构。通过采用该结构，可以使显示装置小型化。另外，该显示装置可以以一个工序将多个发光二极管贴合到形成有晶体管等的电路板而制造。因此，可以降低显示装置的制造成本。