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公开(公告)号：CN109928980A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910304758.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明提供一种呈现色度良好的光的有机化合物。另外，本发明提供一种呈现色度良好的蓝色光的有机化合物。另外，本发明提供一种发光效率高的有机化合物。另外，本发明提供一种载流子传输性高的有机化合物。另外，本发明提供一种可靠性高的有机化合物。本发明提供一种包含至少一个氨基的有机化合物，在该氨基中取代或未取代的萘并双苯并呋喃骨架、取代或未取代的萘并双苯并噻吩骨架或者取代或未取代的萘并苯并呋喃苯并噻吩骨架与取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基和取代或未取代的咔唑基中的任一个键合。
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公开(公告)号：CN109742262A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910024880.9
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供发光装置、电子设备以及照明装置。本发明的一个方式提供一种功耗低且可靠性高的发光装置、电子设备或者照明装置。一种发光装置，该发光装置包括：第一发光元件；第二发光元件；第三发光元件；以及第四发光元件，其中，第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及第四发光元件都在阳极与阴极之间包括共同的EL层，EL层包括第一发光层及第二发光层，第一发光层包含荧光发光物质，荧光发光物质的甲苯溶液中的该荧光发光物质的发射光谱的峰值波长为440nm至460nm，优选为440nm至455nm，第二发光层包含磷光发光物质，第一发光元件呈现蓝色发光，第二发光元件呈现绿色发光，第三发光元件呈现红色发光，并且，第四发光元件呈现黄色发光。
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公开(公告)号：CN109196679A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201680070596.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 提供一种包含荧光材料的发光元件中的发光效率高的发光元件。提供一种发光成分中源于TTA的延迟荧光成分的比率高的发光元件。提供一种发光效率高且功耗低的新颖的发光装置。一种发光元件包括:阳极、阴极以及EL层。EL层包括含有主体材料的发光层以及与发光层接触的含有第一材料的电子传输层。第一材料的LUMO能级比主体材料的LUMO能级低。源于TTA的延迟荧光成分的比率比EL层发射的光的10％以上。源于TTA的延迟荧光成分的比率比发光的15％以上。
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公开(公告)号：CN107665955A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710637391.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5016 , H01L51/0008 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , H01L51/5072 , H01L51/508 , H01L51/5088 , H01L51/56 , H01L2251/552 , H01L51/5004 , H01L51/5024
Abstract: 本发明提供一种新颖发光元件。此外，提供一种寿命长的发光元件。此外，提供一种发光效率良好的发光元件。在本发明的发光元件中，EL层依次包括空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第三空穴传输层、发光层、第一电子传输层及第二电子传输层，空穴注入层包含有机受体，第二空穴传输层的HOMO能级深于第一空穴传输层，主体材料的HOMO能级深于第二空穴传输层，第三空穴传输层的HOMO能级深于或等于主体材料，第二空穴传输层与第三空穴传输层之差为0.3eV以下，主体材料的LUMO能级高于第一电子传输层，第二电子传输层的LUMO能级高于第一电子传输层，主体材料是包含稠合芳香环骨架的物质，并且，第一及第二电子传输层包含具有芳杂环骨架的物质。
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公开(公告)号：CN106575713A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580042349.4
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C07D307/77 , C09K11/06 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3213 , C07D307/77 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1088 , H01L27/3209 , H01L27/323 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5044 , H01L51/5278 , H01L2251/5376 , Y02P20/582
Abstract: 本发明的一个方式提供一种功耗低且可靠性高的发光装置、电子设备或者照明装置。一种发光装置，该发光装置包括：第一发光元件；第二发光元件；第三发光元件；以及第四发光元件，其中，第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及第四发光元件都在阳极与阴极之间包括共同的EL层，EL层包括第一发光层及第二发光层，第一发光层包含荧光发光物质，荧光发光物质的甲苯溶液中的该荧光发光物质的发射光谱的峰值波长为440nm至460nm，优选为440nm至455nm，第二发光层包含磷光发光物质，第一发光元件呈现蓝色发光，第二发光元件呈现绿色发光，第三发光元件呈现红色发光，并且，第四发光元件呈现黄色发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106432157A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610637725.0
申请日：2016-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D307/77 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07D307/77 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1088 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0061 , H01L51/0073 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5064 , Y02P20/582 , H01L51/0059
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。本发明的一个方式的有机化合物为以芴骨架为中心骨架键合有两个具有苯并萘并呋喃基胺骨架的基的有机化合物。该有机化合物能够实现良好蓝色发光。另外，该有机化合物的空穴传输性高。
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公开(公告)号：CN119735569A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411290401.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D307/91 , C07D333/76 , C07C211/61 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/18 , H10K85/60
Abstract: 提供一种能够提供空穴传输性优良且可靠性高的有机半导体器件、发光器件及电子设备的有机化合物。提供一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，X表示硫原子或氧原子，R1至R22分别独立地表示氢(包括氘)、卤素、腈基、烯基、乙烯基、炔基、碳原子数为1至6的直链烷基、碳原子数为3至10的环烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为3至12的烷基硅基、碳原子数为6至30的芳基和碳原子数为2至30的杂芳基中的任一个。R16至R22中的至少一个表示萘基，n表示0至4的整数，Ar1表示芴基或螺芴基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118104396A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069358.2
申请日：2022-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从因紫外线的照射而生成的蒽的氧加成物去除氧的方法。提供一种可靠性良好的电子器件或发光器件的制造方法。提供一种电子器件的制造方法，包括：在有氧气氛下对包含具有蒽结构的有机化合物的层照射1mJ/cm2以上且1000mJ/cm2以下的紫外线的工序；以及在氧浓度为300ppm以下的气氛下进行80℃以上的加热的工序。
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公开(公告)号：CN117836913A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056432.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/308 , C07D215/30 , C07D215/36 , C07D235/18 , C07D241/42 , C07D213/30 , C07F5/06 , H01L21/306 , H10K10/46 , H05B33/10 , H10K50/10 , H10K71/20
Abstract: 在包括在有机半导体层上以与该有机半导体层接触的方式形成氧化铝膜的工序的有机半导体器件中，抑制高电压化。在有机半导体层与氧化铝膜之间设置包含由下述通式(G1)表示的有机半导体层的掩模用有机金属化合物的层。注意，在通式(G1)中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，X表示氧或硫，M表示金属，n表示1至5的整数，金属M的化合价与n相同。注意，在n为2以上的情况下，多个Ar可以相同或不同，X可以相同或不同。在Ar为取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基的情况下，杂芳基的杂原子也可以与金属M配位键合。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116896918A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310356852.3
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高清晰且可靠性良好的有机半导体器件。该有机半导体器件是形成在绝缘层上的多个发光器件中的一个，包括第一电极、第二电极及有机化合物层，上述有机化合物层位于第一电极与第二电极之间，上述有机化合物层包括包含第一化合物的层，上述第一化合物为在差示扫描热量测定中在从通过第一加热而熔化的状態进行冷却并继续第二加热时在上述冷却过程中观察不到发热峰且在上述第二加热过程中观察不到发热峰及熔点峰的物质。
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