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公开(公告)号：CN102163697A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110064898.5
申请日：2006-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0072 , H01L51/0081
Abstract: 本发明的目的是，提供具有高发光效率的发光元件，和低电压驱动的发光元件。本发明的另一目的是，通过采用该发光元件提供具有低能耗的发光器件。本发明的另一目的是，通过在显示部分中采用该发光器件提供具有低能耗的电子设备。发光元件包括，在一对电极之间，含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含有第二有机化合物的、与含有复合材料的层相接触的层，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。
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公开(公告)号：CN101263616B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680027259.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0072 , H01L51/0081
Abstract: 本发明的目的是，提供具有高发光效率的发光元件，和低电压驱动的发光元件。本发明的另一目的是，通过采用该发光元件提供具有低能耗的发光器件。本发明的另一目的是，通过在显示部分中采用该发光器件提供具有低能耗的电子设备。发光元件包括，在一对电极之间，含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含有第二有机化合物的、与含有复合材料的层相接触的层，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。
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公开(公告)号：CN101867019A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010150729.9
申请日：2006-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
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公开(公告)号：CN100565966C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610111189.7
申请日：2006-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的目的是提供具有提高的发光效率、降低的驱动电压以及对于驱动时间改进的损耗程度的发光元件。根据包括第一电极；第二电极和两者之间形成的发光层叠体的发光元件，该发光层叠体至少具有按以下顺序的第一层、第二层和第三层，该第一层是具有载流子输运性质的层，该第三层是包括发射中心材料和其中分散了发射中心材料的基质材料的层，该第二层具有大于第一层且等于或大于基质材料的能隙，且该第二层具有大于等于0.1nm且小于5nm的厚度。
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公开(公告)号：CN101203968A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022551.1
申请日：2006-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048
Abstract: 本发明的一个方面是一种发光元件，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10－6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2－叔丁基－9，10－双(2－萘基)蒽、蒽、9，10－二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11－四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101044624A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036112.1
申请日：2005-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0579 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中能够在制造半导体器件以外的时候写入数据，并且能够防止出现仿冒品。此外，本发明的另一个目的在于提供一种包括具有简单的结构的存储器的廉价半导体器件。所述半导体器件包括：形成于单晶半导体衬底之上的场效应晶体管，形成于所述场效应晶体管之上的第一导电层，形成于所述第一导电层之上的有机化合物层，以及形成于所述有机化合物层之上的第二导电层，一种存储元件包括：第一导电层、有机化合物和第二导电层。根据上述结构，可以通过设置天线提供一种能够执行非接触数据发射/接收的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1873898A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088640.8
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0081 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的目标是提供功能层，当发光元件被制造或驱动时该功能层能够保护发光元件而不会遭受物理或化学影响而失效，并通过提供这种功能层，在不增加驱动电压和降低透光度和色纯度的情况下延长元件的寿命和提高元件特性。本发明的一个特征在于：在通过在一对电极间插入含发光物质层形成的发光元件中，在部分含发光物质层中提供由用于发光元件的复合材料(复合材料包括含有至少一个乙烯基骨架的芳香烃和金属氧化物)制成的缓冲层。用以形成本发明缓冲层的发光元件用复合材料具有高电导率和优异的透明度。
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公开(公告)号：CN117597795A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280046632.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种即使以高电压及/或高温进行充电和放电也不容易产生缺陷的正极活性物质。另外，提供一种即使反复充放电也不容易导致晶体结构崩塌的正极活性物质。正极活性物质包含锂、钴、氧及添加元素，正极活性物质具有表层部及内部，正极活性物质在表层部包含添加元素，表层部是从正极活性物质的表面向内部10nm以下的区域，表层部及内部处于拓扑衍生，添加元素的扩散程度根据表层部的结晶面而不同，添加元素是选自镍、铝和镁中的至少一个或两个以上。
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公开(公告)号：CN107403807B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201710360877.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第一衬底上的第一树脂层、第一树脂层上的像素部及端子部、端子部上的第二树脂层、以及第二树脂层上的第二衬底，其中，像素部包括晶体管及与晶体管电连接的显示元件，端子部包括导电层，第一树脂层包括开口部，导电层包括从第一树脂层中的开口部露出的第一区域，第二树脂层包括与第一区域重叠的区域，导电层为与晶体管的源极及漏极和晶体管的栅极中的至少一个相同的层。
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公开(公告)号：CN115885395A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051157.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/1391
Abstract: 提供一种劣化少的活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的正极活性物质粒子。本发明是一种包括第一粒子群、第二粒子群以及第三粒子群的电极，其中第一粒子群的中值粒径大于第三粒子群，第二粒子群的中值粒径具有第一粒子群的中值粒径与第三粒子群的中值粒径之间的大小，该电极通过如下工序制造：制造第一混合物的第一工序，该第一混合物包括第一粒子群、第二粒子群、第三粒子群以及溶剂；将第一混合物涂敷在集流体上的第二工序；以及进行加热来使溶剂挥发的第三工序。
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