公开(公告)号：CN1030360C

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN92112871.1

申请日：1992-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  渡边博 ,  山添浩 ,  铃木秀夫 ,  长部清 ,  関世 ,  菅井普三 ,  辻本和也 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  C22C9/06

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H2033/66223

Abstract: 一种真空断路器，包括一真空容器。这真空容器包括一由陶瓷制造并在其两端有开口的绝缘管，和分别密封这些开口的密封金属。在真空容器内，设置有一对电极，使这些电极可彼此接触或分离。构成至少其中一个密封金属的材料成分，按重量百分比计，则含25～55%的镍，0.02～1.0%的硅，其余成分基本是铜，最好材料的组成还包括：按重量百分比计总含量为0.02～1.5%的硅和锰和/或总含量为5%或更少的铁和钴。

公开(公告)号：CN1072797A

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN92112871.1

申请日：1992-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  渡辺博 ,  山添浩 ,  铃木秀夫 ,  长部清 ,  関世 ,  菅井普三 ,  辻本和也 ,  山本敦史

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H33/66207 ,  H01H2033/66223

Abstract: 一种真空断路器，包括一真空容器。这真空容器包括一由陶瓷制造并在其两端有开口的绝缘管，和分别密封这些开口的密封金属。在真空容器内，设置有一对电极，使这些电极可彼此进行可拆卸式接触。构成至少其中一个密封金属的材料成分，按重量百分比计，则含25～55％的镍，0.02～1.0％的硅，其余成分基本是铜，最好材料的组成还包括：按重量百分比计总含量为0.02～1.5％的硅和锰和/或总含量为5％或更少的铁和钴。

公开(公告)号：CN1058116A

公开(公告)日：1992-01-22

申请号：CN91104551.1

申请日：1991-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关经世 ,  奥富功 ,  山本敦史 ,  乙部清文 ,  关口薰旦

IPC: H01H33/66 ,  H01H1/02

CPC classification number: H01H11/048 ,  H01H1/0206

Abstract: 本发明涉及一种由触头成型材料加工而得的真空断路器触头，其特征是：其中含有重量百分比为20％-60％的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。

公开(公告)号：CN86108695A

公开(公告)日：1987-09-09

申请号：CN86108695

申请日：1986-12-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奥富功 ,  千叶诚司 ,  大川幹夫 ,  关口薰旦 ,  石松正规

IPC: H01H1/02

Abstract: 本发明涉及气孔少的Cu和(或)Ag-Cr合金的生产方法，更具体地说涉及可减少再起弧发生频率的真空管用接点合金的生产方法。所说的方法包括原料Cr的选择、烧结条件、熔渗条件以及冷却条件的控制。用本发明生产的真空管用的合金不但减少了再起弧发生率，而且缩小了每个真空管之间的发生率的波动。