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公开(公告)号：CN1300823C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03101698.7
申请日：2003-01-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/168 , G03F7/0045 , G03F7/2022
Abstract: 一种图案形成方法，是对抗蚀剂膜进行预烘焙后，使该抗蚀剂膜中含有的溶剂挥发。在真空中对已挥发溶剂的抗蚀剂膜选择性地照射曝光光而进行图案曝光。使经图案曝光的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1866129A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610074073.0
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/085 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/12
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀材料及使用了该抗蚀材料的图案形成方法。目的在于：能够提高抗蚀图案与被处理膜的附着性，防止图案的形状不良。在衬底101上形成由含有为杂环酮的4－戊烷内酰胺的抗蚀材料构成的抗蚀膜102，接着，通过掩膜104对抗蚀膜102照射曝光光103来进行图案曝光。接着，通过将已被图案曝光的抗蚀膜102显像来形成抗蚀图案102a。
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公开(公告)号：CN1278383C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02148111.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0045
Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1-30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。
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公开(公告)号：CN1707361A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074297.7
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/0395 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/70991
Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。
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公开(公告)号：CN1648771A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510004698.5
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 在基板上形成含有水溶性聚合物的化学增幅型抗蚀剂组成的抗蚀剂膜。其中使用水溶性聚合物根据气体透过性比化学增幅型抗蚀剂小的材料。进而通过掩模对抗蚀剂膜选择性照射曝光光线进行图案曝光，然后通过对进行了图案曝光的抗蚀剂膜进行显影，得到由抗蚀剂膜以良好形状被微细化的抗蚀剂图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638037A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081725.4
申请日：2004-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/168 , G03F7/3021 , G03F7/32 , G03F7/322
Abstract: 一种图形形成方法，在基板上形成抗蚀膜，并对已形成的抗蚀膜选择性地照射曝光光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜进行显影，并使用含有环糊精的水溶液对经显影的抗蚀膜进行漂洗，从而由抗蚀膜得到已微细化的没有歪斜的抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN1616522A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410080712.5
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08F12/20 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 光致抗蚀剂材料的基础树脂，由含有式1这样的通式表示的第一单元及式2这样的通式表示的第二单元的高分子化合物构成。还提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、基板密接性、显影溶解性优良的光致抗蚀剂材料。
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公开(公告)号：CN1616501A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410080711.0
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167
Abstract: 光致抗蚀剂材料的基础树脂，由含有以式1这样的通式表示的第一单元和以式2这样的通式表示的第二单元的高分子化合物构成。由此而提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、基板密接性、显影溶解性优良的光致抗蚀剂材料。
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公开(公告)号：CN1194383C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03131009.5
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0045 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31058 , H01L21/31144
Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。
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公开(公告)号：CN1574218A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310120570.6
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，其目的在于：使通过浸渍光刻所得到的抗蚀图案的形状良好。由化学放大型抗蚀材料形成抗蚀膜102以后，再在含有碱性化合物的浸渍溶液103供到抗蚀膜102上的状态下，用曝光光104有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。若对已经进行了图案曝光的抗蚀膜102进行了后烘烤(post bake)以后，再通过碱性显像液进行显像，就能由抗蚀膜102的未曝光部分102b得到形状良好的抗蚀图案105。
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