公开(公告)号：CN101511494A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032532.1

申请日：2007-08-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约翰·博伊德 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  衡石·亚历山大·尹 ,  弗里茨·C·雷德克

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/67196 ,  C23C14/22 ,  C23C16/06 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/38 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/288 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879

摘要： 阻挡层和铜层之间的粘着可通过在铜淀积前使该阻挡层富金属以及通过在铜淀积之前限制暴露至该阻挡层的氧的数量得到提高。替代性地，可在该阻挡层上淀积功能化层，使得淀积在该铜互连中的铜层与阻挡层之间具有良好的粘着。该方法包括淀积该金属阻挡层，以将该铜互连结构填在该集成系统中，其中在淀积该金属阻挡层后，转移基底并在受控环境中进行处理，以防止形成金属阻挡氧化物。该方法还包括将该功能化层淀积在集成系统中的金属层上。该方法进一步包括在将该功能化层淀积在该金属阻挡层上以防止电迁移问题后，将该铜层淀积在集成系统中的铜互连结构中。

公开(公告)号：CN101370965A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200680035652.2

申请日：2006-09-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 金允尚 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  衡石·亚历山大·尹

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明披露了一种等离子处理系统，其包括用于处理基片的等离子室。该装置包括卡盘，其被配置为支撑该基片的第一表面。该装置还包括抗等离子阻挡层，其以相关于该基片的第二表面空间隔开的方式进行布置，该第二表面与第一表面相对，该抗等离子阻挡层大体上防护该基片的中间部分，并使得该基片的第二表面的环形周缘区域基本上不受该抗等离子阻挡层防护。该装置进一步包括至少一个通电电极，该通电电极与该抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生受限的等离子，该受限的等离子基本上受限于该基片的环形周缘部分并远离该基片的中间部分。

公开(公告)号：CN101272881A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035902.2

申请日：2006-09-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 衡石·亚历山大·尹 ,  威廉·蒂 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： B23K10/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/24 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/48 ,  H05H2001/2418

摘要： 本发明披露了一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，它又包括：通电电极、第一介电层、以及被布置在该通电电极和该第一介电层之间的第一金属丝网。该实施方式还包括接地电极组件，它被布置在相对该通电电极组件一侧以形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层防护该第一金属丝网不受该等离子影响，该腔在一端具有出口以用于提供该等离子来去除该金属氧化物。