半导体装置的制造方法
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102403205A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110266383.3

    申请日:2011-09-08

    Inventor: 大野博司

    CPC classification number: H01L21/2686 H01L21/324 Y10S977/89

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法,包括下列步骤:对于形成有半导体集成电路的图案(30、40)的基板,将对用于退火而照射的光的吸收率为规定以下的区域定义为疏图案区域(100),并在疏图案区域(100)上局部形成用于提高光吸收率的薄膜(60)。之后对形成有半导体集成电路图案(30、40)和薄膜(60)的基板照射光以进行退火。这样,不需要光源侧的微细的调整和改良,即可防止光退火时半导体集成电路中产生的温度不均导致的电路的劣化,提高半导体集成电路的性能。

    光学检查方法及存储介质以及使用了该光学检查方法的光学检查装置

    公开(公告)号:CN118687505A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202311433930.1

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本实施方式提供一种光学检查方法以及存储介质、以及光学检查装置,光学检查方法具备:将明暗周期性地变化的第1基本调制模式的第1图案光投影于物体;对投影有第1图案光的物体进行摄像而获取第1图像;将明暗相对于第1基本调制模式反转的第1反转调制模式的第2图案光投影于物体;对投影有第2图案光的物体进行摄像而获取第2图像;以及生成至少基于第1图像和第2图像抽取的强调了进行特异的光散射的特异区域的特异光散射图像。

    光学检查方法、光学检查程序、处理装置以及光学检查装置

    公开(公告)号:CN116818657A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202211060742.4

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本公开涉及光学检查方法、光学检查程序、处理装置以及光学检查装置。提供一种获取物体表面的信息的光学检查方法。在实施方式的光学检查方法中,使用通过了选择性地使来自物体表面的互不相同的多个预定波长的光通过的波长选择部的光,用具有区分地接收多个预定波长的光的颜色通道的图像传感器进行摄像以获取图像,进行推定在图像的各像素接收到光的颜色通道的通道数量作为颜色数量的颜色数量推定处理,基于颜色数量,进行识别来自物体表面的散射光分布(BRDF)的散射光分布识别处理或者识别物体表面的状态的表面状态识别处理中的至少一方的处理。

    光学元件以及照明装置
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106796018B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201480081540.5

    申请日:2014-09-30

    Abstract: 实施方式的光学元件,由相对于可见光透明的材料形成,并具有相对于中心轴为旋转对称的形状。在光学元件的内部设置有不存在透明的材料的空孔。空孔的内面具有如下形状:包含中心轴的平面与该内面相交叉的空孔的边界线包括朝向光学元件的外侧鼓出的曲线部分。另外,当在所述空孔内取原点、将相对于该原点沿所述边界线顺时针行进的方向设为正方向、取所述边界线上的第1点处的第1切线矢量并取相对于所述第1点在正方向上相邻的第2点处的第2切线矢量时,该第2切线矢量相对于所述第1切线矢量的、以所述顺指针为正时所成的角总在0度以上,空孔的内面不包含向内侧凹陷的面。

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