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公开(公告)号：CN111747448A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010641677.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及一种高纯度钽铌酸钾纳米粉体材料的合成制备方法，主要利用混合溶剂中的水热反应进行合成。以异丙醇和水混合作为反应溶剂，以KOH、Nb2O5和Ta2O5作为反应物，利用高压反应釜在200℃恒温下30小时合成颗粒均匀的白色KTN粉体，经表征与计算其粒度为50~100nm，立方相纳米晶形貌，结晶良好，纯度较高。根据KTa1-xNbxO3化学结构特点调节Ta/Nb配比，合成了不同组分的KTN，经测试其禁带宽度值均不相同，介于3.14eV~3.46eV之间，实现了钽铌酸钾材料的带隙可调节。
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公开(公告)号：CN110230099A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910348502.6
申请日：2019-04-28
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数钽铌酸钾晶体及其制备方法,属于功能晶体材料制备技术领域。所述的晶体的化学式为：Na,Fe：KTa1-xNbxO3，其中晶体组分中Nb含量为0.36≤x≤0.39，本发明通过引入钠、铁元素作为掺杂离子，通过确定掺杂量，选择优选配比，配合专用的制备方法，制备了大尺寸高质量晶体，晶体中无气泡及开裂现象，均匀性好，大大改善了晶体质量。
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公开(公告)号：CN120082956A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510250375.1
申请日：2025-03-04
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及光电功能晶体材料生长领域，具体涉及一种浮区法生长的高光学均匀性钽铌酸钾晶体及方法。该方法通过以下步骤：(1)计算原料配比，确定熔剂料棒与供料棒成分；(2)两步烧结并冷等静压成型原料棒；(3)采用光学浮区炉进行晶体生长，调控供料棒熔融速率及熔体对流，确保成分稳定；(4)氧气环境下热退火处理，提高晶体性能，获得组分均匀性达10‑5/mm的高质量KTN晶体。本发明无需贵金属坩埚，简化工艺流程，降低设备和材料成本，并显著提高原料利用率，适用于规模化生产。
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公开(公告)号：CN119736698A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411916793.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及晶体材料合成领域，尤其涉及一种KSrAl3B2O9晶体、生长方法及应用。本发明以碳酸钾、草酸锶、乙酰丙酮铝和硼酰胺为原料，以乙酸、乙醇为溶剂，采用水热法进行生KSrAl3B2O9晶体。通过优化原料配比和溶剂选择，实现晶体的有效生长，具有反应条件温和、产物纯度高、晶体生长可控、晶体尺寸大等优点，表现出优异的紫外双折射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710899A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411927147.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种钽酸铌钾晶体的双坩埚实时添料生长方法。该技术通过精确调控原材料的供给速率，有效建立了原料配比与晶体重量的动态联系，采用双坩埚实时给料技术，根据晶体的生长状况及实际需求，灵活调整补给料的配比。在此基础上，我们进一步对晶体生长的工艺参数进行了科学合理的优化设计，从而成功地实现了大尺寸、高光学质量KTN晶体的稳定且可重复生长。
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公开(公告)号：CN119020035A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411013355.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于近红外荧光材料制备技术及近红外光源器件领域，尤其涉及一种Cr3+/Cr4+离子掺杂NIR‑II荧光材料及其制备、应用。所述荧光材料的发光中心为Cr3+/Cr4+离子，在波长为250‑650nm的紫外‑可见光的激发下发出NIR‑II近红外荧光，所述荧光材料的荧光光谱波长位于900‑1700nm；化学通式为SrLaCrxGa(3‑x)O7或SrLaCrxScyGa(3‑x‑y)O7，x代表Cr3+/Cr4+离子的掺杂浓度(0.001≤x≤0.025)，y代表Sc3+掺杂浓度(0.001≤y≤0.05)。本发明通过调控烧结气氛，分别得到以Cr3+或Cr4+离子为发光中心的荧光材料，该荧光材料产物在紫外‑可见光激发下，整体发射出位于NIR‑II的近红外光。
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公开(公告)号：CN117822124A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311802991.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于新型金属有机配合物晶体生长所用的籽晶制备技术领域，尤其涉及一种高质量ZTS籽晶的快速制备方法及装置。该方法包括S1、饱和溶液制备；S2、降温程序的设定；S3、饱和溶液的实时补给；S4、籽晶析出并长大。制备装置包括：籽晶瓶，籽晶瓶瓶塞上置有蒸发口和补料器，籽晶瓶外是水槽，水槽内置热电偶，水槽外置加热套。本发明通过对ZTS高温下的饱和溶液进行缓慢降温，使籽晶析出，通过缓慢蒸发与实时补料相结合使籽晶不断长大，同时可有效避免晶体内部缺陷的产生，经过3天的降温蒸发与实时补料，制备出2厘米级的高质量ZTS籽晶。
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公开(公告)号：CN116041061A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211706834.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于无机非金属材料领域，尤其涉及一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法。为钠、铁共掺钽铌酸钾晶体,其化学式为Na,Cu：K1+ZTa1‑xNbxO3，其中，Nb的量为0.36≤X≤0.40，0.15≤Z≤0.3，居里点位于‑241～90℃之间，所述钽铌酸钾陶瓷在居里点以上晶体为立方相，m3m点群；在居里点以下变为四方相，4mm点群；通过引入钠、铜元素作为掺杂离子，通过确定掺杂量，选择优选配比，配合专用的制备方法，制备了高质量陶瓷，均匀性好，陶瓷质量得到大幅度提高；陶瓷漏电性能得到大幅度改善，进一步推动了KTN陶瓷的器件应用；本制备方法操作简单，成本低，大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115852487A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211589982.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于功能材料制备领域，尤其涉及一种Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料及其制备、加工方法。所述反铁电晶体材料的化学通式为K3‑xNaxNb3‑yTayB2O12，其中，x＝0.05～0.45，y＝0.05～0.5，该Na、Ta共掺杂的硼铌酸钾反铁电晶体材料，在γ→β相变时介电系数由9.85K上升到11K，Pmax增加到原来的3倍；通过晶体生长及加工工艺的优化，硼铌酸钾反铁电晶体的解理现象明显改善，温度上升到600℃无明显解理现象。
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