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公开(公告)号：CN102945922B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210449048.1
申请日：2012-11-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及集记忆电阻与隧穿磁电阻于一体的多功能自旋记忆电阻器件及制备方法。该多功能自旋记忆电阻器件采用Co/CoO-ZnO/Co磁性隧道结，在外加电压下具有双极阻变效应，在外加磁场下具有隧穿磁电阻效应；磁性隧道结上、下均溅射Ag电极，下电极Ag接地，当上电极Ag加一定的正电压时，磁性隧道结由高阻态转换为低阻态，当上电极Ag加一定的负电压时，磁性隧道结由低阻态变为高阻态。本发明还提供多功能自旋记忆电阻器件的制备方法。本发明结合隧穿磁电阻和电致电阻效应，通过电场和磁场的作用成功实现了Co/CoO-ZnO/Co中多重电阻状态的调控。该器件可用于多态存储器和模拟神经网络。
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公开(公告)号：CN102931341A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210452332.4
申请日：2012-11-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及具有自旋电动势及巨磁电阻效应的磁性隧道结自旋电池及其制备方法。所述磁性隧道结自旋电池Co/CoO-ZnO/ZnCoO按以下方法制备：利用磁控溅射的方法，在衬底上生长铁磁金属Co层和中间绝缘层ZnO；在氧气占3‰体积比的气氛下生长ZnO层，使Co层部分氧化自然形成CoO层；氧化物磁性半导体ZnCoO层用交替沉积Co和ZnO的方法制备,Co和ZnO层的厚度在0.2-0.7nm,Co和ZnO交替沉积周期为20-50。该自旋电池在无外加电压的情况下产生的自旋电动势可以随磁场大小发生正负变化，从而可用磁场来调控电压。该自旋电池在一定的外电压条件下产生高达1000%的磁电阻，可用于磁传感器。
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公开(公告)号：CN102157672B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110030154.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种全陶瓷热电发电模块及其制备方法，它首次提出了全陶瓷热电发电模块的思路，实现了自身及使用过程的绿色环保和低成本。全陶瓷热电模块的最基本单元包括一个作为基体的导电陶瓷，在导电陶瓷的两端分别通过锡焊固连P型陶瓷Bi:CCO和N型陶瓷Y:STO，构成型全陶瓷热电发电模块。本发明得到了最大开路电压为37mV，最大输出功率为1.03μW。
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公开(公告)号：CN101807296A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910005673.5
申请日：2009-02-16
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种医学超声影像三维目标对象的分割方法，为解决现有技术分割精度不高，或者时间性能不够理想，或者自动化程度较低的问题而发明。所述医学超声影像三维目标对象的分割方法，包括：对包含所述医学超声影像三维目标对象的原始散乱的医学超声影像数据进行重组重排，得到规则体数据集；对所述规则体数据集进行基于轮廓线的分割。在所述基于轮廓线的分割中，引入了关键帧与中间帧的概念，应用了拓扑自适应形变模型和基于形状的插值，能够快速而准确地获得所述医学超声影像三维目标对象的轮廓。本发明不仅适用于医学超声影像三维目标对象的分割，也适用于CT、MRI等医学图像序列三维目标对象的分割。
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公开(公告)号：CN1858862A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610043855.8
申请日：2006-04-25
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种新的非晶态高居里温度的ZnxFe1－xO铁磁性半导体材料及其制备方法。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Fe的原子百分比为55－83％。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20－1.49μB，其磁居里温度高于室温，室温磁电阻达8－13％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1253924C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03139039.0
申请日：2003-09-09
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/203 , H01F1/40
Abstract: 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性半导体，过渡金属选自Co、Fe、Ni、Mn金属或者其合金。和其他方法相比，本发明方法制备的磁性半导体是在低温非平衡条件下生长，过渡金属的掺杂量不受固溶度限制，可以制得性能稳定、重复性好的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1232994C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03139038.2
申请日：2003-09-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种铜基复合电接触材料，属于新材料技术领域。组分如下：导电陶瓷1～15%，石墨0.1～3%，Mo、W之一或者其组合1～10%，Ni 0.2～4%，铜余量，重量百分比。本发明的中低压电器用铜基复合电接触材料具有良好的导电和导热性，较好的灭弧性、抗熔焊性、抗电侵蚀及抗粘结性，且具有低电阻率、温升小、性能价格比高等优点，可用于在大范围内替代现有银基材料。
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公开(公告)号：CN1697095A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510043640.1
申请日：2005-06-03
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种非晶态高掺杂CoxTi1－xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56％。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μB，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85％，极向克尔磁光转动角高达0.4度。
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公开(公告)号：CN1644751A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510042037.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 纳米晶CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法，属于光电子材料领域。纳米晶CoZnO紫外发光薄膜分子式为：Co1－xZnxO，其中，x＝0.30～0.60，相结构为六角结构的多晶体，晶粒为5nm～10nm的球形晶粒。原材料为纯度99.9％的Co或CoO与Zn或ZnO的组合。通过磁控溅射沉积，将上述含Co和Zn的原材料进行纳米厚度的交替沉积，沉积的速率控制在0.02nm－0.07nm/s；含Co层或含Zn层的单层厚度在0.3nm－3nm。本发明的紫外发光薄膜Co掺杂量不受固溶度限制，可以在较宽范围内对薄膜的发光特性、电性能、结构等进行调制，比纯ZnO的紫外/蓝色比高出50％。
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