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公开(公告)号：CN1639971A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804659.8
申请日：2003-02-05
Applicant: 富士通媒体部品株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0042
Abstract: 一种表面声波器件，包括：基板(10)；形成于所述基板上的一对反射电极(14、18)；和夹在所述反射电极对之间的驱动电极(12)。在此表面声波器件中，各个反射电极的节距根据预定的变化模式变化。采用这种结构，可以同时改善寄生信号抑制效果和波形指标(通带截止区的锐度)。
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公开(公告)号：CN1185790C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN99106908.0
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/46
CPC classification number: H03H9/6436 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6469 , H03H9/6483 , H03H9/6489 , H01L2924/00014
Abstract: 一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130)，该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上，而第二指状电极对接地到一个与第一接地垫不同的第二接地垫上。压电基片装在形成在壳体内的空隙中，其中空隙由一个连接到第一和第二接地垫之一上的金属顶盖件(103)覆盖着。
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公开(公告)号：CN1140964C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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公开(公告)号：CN1282304C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN03101286.8
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 一种SAW装置，此装置包括：上面支承着压电基片的封装体；在此压电基片上形成的至少一个SAW元件；所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极，每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极；将所述输入侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的第一接地焊接区；将所述输出侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的不同的第二接地焊接区。根据本发明，可成功地消除输入侧叉指式电极的接地电极与输出侧叉指式电极的接地电极间的干扰问题，从而能显著改进SAW装置的通带特性。
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公开(公告)号：CN1111318C
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN96121058.3
申请日：1996-10-11
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/14588 , H03H9/6436 , H03H9/6483
Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范围是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是在大于39°但小于46°的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1184378A
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底,具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅,一排叉指式换能器介于反射栅之间,具有相对的主电极指和副电极指对,在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN1103511C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底，具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅，一排叉指式换能器介于反射栅之间，具有相对的主电极指和副电极指对，在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN1239354A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99106908.0
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/46
CPC classification number: H03H9/6436 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6469 , H03H9/6483 , H03H9/6489 , H01L2924/00014
Abstract: 一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130)，该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上，而第二指状电极对接地到一个与第一接地垫不同的第二接地垫上。压电基片装在形成在壳体内的空隙中，其中空隙由一个连接到第一和第二接地垫之一上的金属顶盖件(103)覆盖着。
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公开(公告)号：CN1495998A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03101286.8
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 一种SAW装置，此装置包括：上面支承着压电基片的封装体；在此压电基片上形成的至少一个SAW元件；所述SAW元件包括多个沿压电基片上表面声波传播路径设置的叉指式电极，每个叉指式电极包括输入侧叉指式电极与输出侧叉指式电极；将所述输入侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的第一接地焊接区；将所述输出侧叉指式电极连接到设在前述封装体上的不同的第二接地焊接区。根据本发明，可成功地消除输入侧叉指式电极的接地电极与输出侧叉指式电极的接地电极间的干扰问题，从而能显著改进SAW装置的通带特性。
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公开(公告)号：CN1159100A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96121058.3
申请日：1996-10-11
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/02559 , H03H9/14588 , H03H9/6436 , H03H9/6483
Abstract: 表面声波(SAW)器件，包括单晶LiTaO3压电衬底和设于压电衬底上的电极图形。电极图形含Al主要成分，电极厚度范是所述压电衬底上激励的表面波波长的0.03-0.15倍。压电衬底由其Y轴朝其Z轴绕其X轴定向旋转，旋转角范围是38°-46°。
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