公开(公告)号：CN105210187B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480021099.1

申请日：2014-10-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村正树 ,  吉田崇一 ,  安达新一郎

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 在IGBT部(21)配置IGBT，在FWD部(22)配置FWD。在IGBT部(21)中，在相邻的沟槽(2)间的台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p基区(5‑1)与n‑漂移区(1)。在FWD部(22)中，在台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p阳极区(5‑2)与n‑漂移区(1)，形成n‑漂移区(1)的被夹在p阳极区(5‑2)间的部分和与该部分接触的一个p阳极区(5‑2)作为一个单元区域的重复结构。在一个单元区域内，p阳极区(5‑2)所占的比例(阳极比率)(α)为50％～100％。由此，能够提高将IGBT与FWD内置于同一半导体基板的RC‑IGBT的二极管特性。