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公开(公告)号：CN104639087A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410643401.9
申请日：2014-11-06
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02118 , H01L41/18 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/568 , H03H9/706
Abstract: 本发明涉及压电薄膜共振器、滤波器和双工器。该压电薄膜共振器包括：压电膜，该压电膜设置在基板上；下电极和上电极，所述下电极和上电极夹着压电膜的至少一部分并且彼此面对；以及插入膜，该插入膜插入在压电膜中并且设置在共振区域的外周区域中并且不设置在共振区域的中心区域中，其中：在共振区域中下电极的边缘面与下电极的下表面之间的角是锐角；并且在用于从共振区域引出上电极的一侧、插入膜在共振区域中的宽度大于在用于从共振区域引出下电极的一侧、插入膜在共振区域中的另一宽度。
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公开(公告)号：CN102468816B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110350063.6
申请日：2011-11-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/02
CPC classification number: H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 双工器和具有该双工器的电子设备。双工器包括：多层基板，其具有多个层并具有矩形背面；天线端子，其设于该背面上，靠近该背面的第一边中央；发射端子，其设于该背面上，靠近与第一边交叉的第二边，并比第二边的中央更远离天线端子；第一接收端子，其设于该背面上，靠近与第二边相对的第三边，并比第三边的中央更远离天线端子；第一导体，其设于该多个层中第一层的第一表面上，环绕第一区域和第二区域中至少一个，第一区域是将发射端子投影到第一层上的区域，第二区域是将第一接收端子投影到第一层上的区域；接地端子，其设于第一层的与第一表面相反的第二表面上，位于发射端子与第四边之间和/或第一接收端子与第四边之间，第四边与第一边相对。
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公开(公告)号：CN103825574A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310566328.5
申请日：2013-11-14
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H01L41/29 , H03H9/02102 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , H03H2003/0442 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及声波器件及其制造方法。所述声波器件包括：基板；位于基板上的压电膜；隔着所述压电膜彼此面对的下电极和上电极，所述下电极和所述上电极中的至少一个包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；绝缘膜，其夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间，并且所述绝缘膜的弹性常数的温度系数的符号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反；以及第三导电膜，其形成在所述绝缘膜和所述第二导电膜二者的端面上，并且使得所述第一导电膜和所述第二导电膜之间电短路。
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公开(公告)号：CN103312288A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310079212.9
申请日：2013-03-13
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/187 , H03H9/02015 , H03H9/02102 , H03H9/0222 , H03H9/02228 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/54 , H03H9/584
Abstract: 一种声波器件，其包括：由含有二价元素和四价元素、或者二价元素和五价元素的氮化铝膜制成的压电膜；以及激发经由压电膜传播的声波的电极。
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公开(公告)号：CN103138032A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210479096.5
申请日：2012-11-22
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H9/02834 , H03H9/542 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供了一种双工器。该双工器包括具有不同通带的发送滤波器和接收滤波器，其中：构成发送滤波器和接收滤波器的作为串联谐振器或并联谐振器并且在保护频带侧形成裙边特性的第一谐振器是温度补偿型压电薄膜谐振器或使用拉夫波的表面声波谐振器，并且在保护频带的相反侧形成裙边特性的第二谐振器是非温度补偿型压电薄膜谐振器、使用钽酸锂基板或者通过将钽酸锂基板结合在蓝宝石基板上制成的基板的表面声波谐振器以及使用拉夫波的表面声波谐振器中的一种。
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公开(公告)号：CN102931942A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210282502.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/02157 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/706 , H03H2003/021 , H03H2003/0407 , H03H2003/0442
Abstract: 本发明提供了声波器件。一种声波器件包括：基板；形成在所述基板上的下电极；形成在所述下电极上的至少两个压电膜；位于所述至少两个压电膜之间的绝缘膜；以及形成在所述至少两个压电膜上的上电极，其中，在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，所述至少两个压电膜中的最上面的压电膜的外周比所述上电极的外周更靠内。
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公开(公告)号：CN102811032A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210177224.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明提供电子电路和电子模块。所述电子电路包括：多个双工器，该多个双工器耦合到天线端子并且具有彼此不同的通带；以及多个声波滤波器，该多个声波滤波器分别耦合在所述天线端子和所述多个双工器之间，其中，所述多个声波滤波器中的第一声波滤波器的滤波特性被设置为：允许所述多个双工器中耦合到第一声波滤波器的第一双工器的用于发射的通带和用于接收的通带两者中的信号通过，并且抑制所述多个双工器中与第一双工器不同的第二双工器的用于发射的通带和用于接收的通带两者中的信号通过。
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公开(公告)号：CN102763329A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010162.8
申请日：2011-02-21
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/605 , H03H7/0123 , H03H7/0138 , H03H7/075 , H03H7/463 , H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/6483 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 进行滤波器的低损耗化和宽频带化。电感器（L11）与输入侧的并联谐振器（P11）并联连接，电感器（L12）与输出侧的串联谐振器（S12）并联连接。电感器（L11）和（L12）分别连接在不同的路径上（串联谐振器与并联谐振器之间的路径上）。通过这样的结构，能够在输入/输出间进行阻抗匹配，因此能够实现低损耗且宽频带的梯形滤波器。
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公开(公告)号：CN102468816A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110350063.6
申请日：2011-11-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/02
CPC classification number: H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 双工器和具有该双工器的电子设备。双工器包括：多层基板，其具有多个层并具有矩形背面；天线端子，其设于该背面上，靠近该背面的第一边中央；发射端子，其设于该背面上，靠近与第一边交叉的第二边，并比第二边的中央更远离天线端子；第一接收端子，其设于该背面上，靠近与第二边相对的第三边，并比第三边的中央更远离天线端子；第一导体，其设于该多个层中第一层的第一表面上，环绕第一区域和第二区域中至少一个，第一区域是将发射端子投影到第一层上的区域，第二区域是将第一接收端子投影到第一层上的区域；接地端子，其设于第一层的与第一表面相反的第二表面上，位于发射端子与第四边之间和/或第一接收端子与第四边之间，第四边与第一边相对。
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公开(公告)号：CN1862959B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
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