公开(公告)号：CN103346073B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310293452.9

申请日：2013-07-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 边继明 ,  张志坤 ,  毕凯峰 ,  刘艳红 ,  刘维峰 ,  秦福文

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。

公开(公告)号：CN1716653A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510046648.3

申请日：2005-06-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜国同 ,  胡礼中 ,  秦福文 ,  刘维峰 ,  杨天鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，本发明涉及一种ZnO－GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法。其特征是器件由衬底、GaN缓冲层，n－GaN下限制层，InGaN多量子阱有源层，p－GaN上限制层，p－GaN盖层等部件构成，衬底由ZnO单晶基底和GaN上包覆层、抗腐蚀的下包覆层构成的复合衬底，在衬底和GaN缓冲层之间还生长一层ZnO剥离层和一层GaN抗分解层。本发明的效果和益处是可提高GaN系器件薄膜材料的质量，改善发光器件的特性，同时易于将器件薄膜材料与衬底分离，复合衬底可以重复使用，器件成本大大降低。