公开(公告)号：CN102194524A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064421.7

申请日：2011-03-17

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 川端优 ,  山崎信夫 ,  太田佳似 ,  石原数也 ,  栗屋信义 ,  北川章夫 ,  中山和也

IPC: G11C16/24

Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置（101）设有：位线电压调整电路（25），针对位线的每一条，将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位；以及数据线电压调整电路（27、28），针对数据线的每一条，将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路（25、27、28）分别包括运算放大器和晶体管，对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压，并且，该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线，由此，该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。

公开(公告)号：CN101432879B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200780015451.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  涉谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101840730A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010135831.1

申请日：2010-03-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川端优 ,  石原数也 ,  太田佳似

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明涉及非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法。本发明提供能够对多个存储器单元的非易失性可变电阻元件同时进行成型处理、能够缩短成型时间的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置在存储器单元阵列(501a)和第二选择线(位线)解码器(508)之间配置成型感测电路(510)，成型感测电路(510)在对连接于同一第一选择线(字线)的多个成型处理对象的存储器单元同时经由第二选择线施加成型处理用的电压脉冲时，通过对第二选择线的电位变动或流过该第二选择线的电流量进行测定来感测各存储器单元的成型处理的完成，进行控制使得停止向与感测到该成型处理的完成的存储器单元连接的上述第二选择线的电压施加。

公开(公告)号：CN101432879A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015451.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  涉谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101432878A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015413.5

申请日：2007-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  瑟谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN1767049A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510103804.5

申请日：2005-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  玉井幸夫 ,  石原数也 ,  小林慎司 ,  粟屋信义

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/15 ,  G11C16/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31

Abstract: 可变电阻元件在第一电极(1)和第二电极(3)之间设置钙钛矿型氧化物(2)而形成，通过在第一电极(1)和第二电极(3)之间施加一定极性的电压脉冲使第一电极(1)和第二电极(3)之间的电阻变化，进而，具有相对于电压脉冲施加中的累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的电阻滞后特性。以累积脉冲施加时间不超过电阻滞后特性中相对于累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的特定累积脉冲施加时间的方式，在可变电阻元件上施加电压脉冲。