光掩模坯、光掩模的制造方法和掩模图案形成方法

    公开(公告)号:CN107430328A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201680013518.6

    申请日:2016-02-15

    Abstract: 本发明为光掩模坯(1),其具有:透明基板(10);由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11);与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si-Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12),光致抗蚀剂的密合性提高,即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案,抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离,稳定地得以维持,在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。

    负型光阻组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN102081304B

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201010559623.4

    申请日:2010-11-23

    CPC classification number: G03F7/0382 G03F7/0045

    Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物,其特征在于:基础树脂至少含有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元,且重量平均分子量为1,000~10,000,作为碱性成分的含氮化合物包含一种以上的具有羧基且不具有以共价键与作为碱性中心的氮原子键合的氢的胺化合物。根据本发明,可提供一种不易于产生桥接,并且基板依存性较小,可形成解像性优异的图案的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法,

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