机房多功能静电地板吸盘
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105731237A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610285557.3

    申请日:2016-04-29

    CPC classification number: B66C1/0225 B66C1/0256

    Abstract: 本发明公开了一种机房多功能静电地板吸盘,包括立管,所述立管的底端设置横管,所述横管的底端设置吸盘支架,所述吸盘支架的底端设置吸盘,所述横管内设置横杆,所述横杆与横管滑动连接,所述横杆上设置数量、位置与吸盘相对应的传动杆,所述传动杆远离横杆的一端设置金属盘,所述金属盘与吸盘连接,所述横杆远离吸盘的一侧设置操作杆,所述多功能静电地板吸盘还包括用于固定操作杆的限位装置。本发明的有益效果在于:吸盘和立管相互配合使用,可以随时掀起地板,不需要采用撬棍或螺丝刀进行撬动,也不需要工作人员弯腰工作,能方便、快速的完成地板的移动工作,节省了人力和时间,提高了劳动效率,同时减少了对地板损坏。

    一种新型压接式IGBT模块
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105552037A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

    一种改进的压接式IGBT器件
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105470291A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510959202.3

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: H01L29/7393 H01L29/66325

    Abstract: 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块;所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端;所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连;所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容,提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性,降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。

    一种圆形分组布局的压接式功率器件封装

    公开(公告)号:CN105374806A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510850071.5

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: H01L25/072 H01L23/367

    Abstract: 本发明提供了一种圆形分组布局的压接式功率器件封装,所述功率器件封装包括上下两面分别设置上下钼片的功率器件芯片的框架,以及叠层布置的多层PCB板、驱动电路、键合线和上端盖;所述功率器件芯片分组设置于所述框架顶部,且所述各组功率器件芯片以圆形对称分布,所述驱动电路位于所述圆形的中间位置。本发明的压接式功率器件封装,器件内部芯片通过圆形对称的分组布局不仅增强了器件驱动信号的可靠性,而且提高了器件内部各并联芯片电流、压力和温度分布的均匀性;直接将散热器作为器件的上端盖减小了器件的导热路径,极大降低了器件的热阻,提高了器件的可靠性和功率密度。

    一种低热阻的压接式功率器件封装

    公开(公告)号:CN104966704A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510436088.6

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 本发明提供了一种低热阻的压接式功率器件封装,包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针,以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳;框架上设置有第一定位孔和第二定位孔;第一定位孔用于固定上钼片,第二定位孔用于固定弹簧探针;液态金属导热片敷设在上钼片的上表面;功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。与现有技术相比,本发明提供的一种低热阻的压接式功率器件封装,减少了纵向的叠层结构和横向热阻,使得温度分布均匀化,降低了功率器件封装的最高温度。

    一种使用热管的压接式IGBT封装结构

    公开(公告)号:CN104282636A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410551294.7

    申请日:2014-10-17

    CPC classification number: H01L23/31 H01L23/427 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构,由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成,多个子单元并行设置;所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖;所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置,所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组,其下端插入底座;所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间,其下端位于碟簧组和底座之间。本发明中芯片可被有效保护,同时由于使用了热管,功能上实现了双面散热,整体热阻较小;热管的引入,使得虽然单面硬接触,但散热路径依然很好,兼顾了芯片保护和较小的热阻。整体结构具有实现压接式IGBT短路失效、高可靠性等优点。

    一种压接式IGBT模块
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105552037B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

    一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267680A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711432950.1

    申请日:2017-12-26

    Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

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