公开(公告)号：CN106847681B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN104867814B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510200903.9

申请日：2015-04-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  刘翰辉 ,  亓东锋 ,  李成

IPC: H01L21/02

Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。

公开(公告)号：CN106847681A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/20 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01L24/03

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN103996601A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410245729.5

申请日：2014-06-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  王尘 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 一种锗n+/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO2层；在制备好的SiO2/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p-Ge表面SiO2层；将处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n+/p浅结。采用离子注入的方式作为Ge中n型掺杂的杂质来源，结合低温预退火和激光退火激活杂质形成浅结，不受杂质在Ge中固溶度的限制，激活浓度理论可达1020cm-3以上，且激光退火时间短，容易在Ge中形成浅结，在低温预退火过程既可部分修复由离子注入所带来的晶体损伤，又不会导致杂质的扩散，还可压制杂质在激光退火过程中的扩散。

公开(公告)号：CN103928562A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/105

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。

公开(公告)号：CN103441062A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310405028.9

申请日：2013-09-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  卢卫芳 ,  黄诗浩 ,  林光杨 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。

公开(公告)号：CN101916719B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101916719A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101246943B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

公开(公告)号：CN101246943A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1－xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。