一种阵列结构硅基靶板及其应用

    公开(公告)号:CN110902646A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911148324.9

    申请日:2019-11-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基靶板及其应用,所述阵列结构硅基靶板包括点样区和外围区,所述点样区具有微纳米结构阵列,所述微纳米结构阵列包括数个微纳米结构,所述微纳米结构的高度为10nm-100μm,等效直径或者等效边长为10nm-100μm,所述相邻微纳米结构之间的距离为10nm-10μm,所述微纳米结构阵列还包括裹附在微纳米结构表面的材料层;以及本发明的阵列结构硅基靶板在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或光电探测器中的应用。

    一种便携式多功能表面杀菌仪

    公开(公告)号:CN110124068A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910419180.X

    申请日:2019-05-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种便携式多功能表面杀菌仪。该杀菌仪包括盒体、电池、杀菌模块、驱动电路、控制电路、显示模块等部分。本发明的便携式多功能杀菌仪可同时实现了手持表面杀菌、移动终端内装式杀菌以及移动电源的功能,具备安全便携、尺寸小、简单实用的特点。

    一种氮化硼薄膜的转移方法

    公开(公告)号:CN108660441A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810622263.4

    申请日:2018-06-15

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 莫炳杰 尹君

    Abstract: 本发明公开了一种氮化硼薄膜的转移方法。本发明采用高分子聚合物作为辅助柔性外框,将低压化学气相沉积获得的单层六方氮化硼快速转移到目标衬底上,摆脱高分子聚合物残留的困扰,可以快速获得形状可控的六方氮化硼(h-BN)薄膜样品,经多次转移可获得精确层数的六方氮化硼薄膜样品。

    一种类金属与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN105973867B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610297310.3

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型类金属材料与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法,该结构包括金属球形空壳和类金属覆盖层,超薄的类金属覆盖在金属球形空壳上,构成类金属‑金属复合空心腔结构。该衬底的制备方法为,首先制备阵列模板,然后利用磁控溅射技术在阵列模板上沉积金属薄膜,之后用四氢呋喃溶液处理浸泡去除模板,最后利用磁控溅射技术沉积一定厚度的类金属材料。本发明提供了新型类金属材料与贵金属复合的空心腔阵列结构的制备工艺,并结合其多极模式等离激元共振和电荷转移机制,实现操作简单、迅速、稳定的检测功能,在材料研究、兴奋剂检测等领域具有广泛的应用前景。

    一种质子交换膜燃料电池的制备方法

    公开(公告)号:CN107634231A

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201710800567.0

    申请日:2017-09-07

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 于英健

    Abstract: 本发明公开了一种质子交换膜燃料电池的制备方法,特别涉及一种硅基一体化质子交换膜燃料电池的制备方法。采用二氧化硅微/纳米球等作为模板,双气流同时通入刻蚀气体SF6与辅助气体O2等,通过电感耦合等离子刻蚀机进行深硅刻蚀,得到三维硅微/纳米柱阵列。通过结构优化,如引入导电层和划片处理等,即可作为质子交换膜燃料电池的流场。基于上述硅基流场,进一步集成气体扩散层和催化层,实现了一体化硅基质子交换膜燃料电池的构建。该燃料电池制备方法简单,和现有的硅基半导体工艺相兼容,并且功率密度较高,在微/纳机电系统的电源供应等领域有潜在的应用。

    一种基于磁场调控的钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107482121A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710646981.0

    申请日:2017-08-01

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 林艺川 尹君

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁场调控的钙钛矿薄膜的制备方法,属于太阳能电池技术领域。主要步骤包括:通过易于实现产业化的成膜工艺,采用碘化铅(lead(Ⅱ)iodide,PbI2)和甲胺碘(CH3NH3I)的混合溶液,在制备过程中引入一定频率和强度的旋转磁场,再经过热处理,即可获得致密光滑、均匀性良好的钙钛矿晶体薄膜。在不采用真空设备、手套箱等条件下,本发明的方法同样能够制备光滑致密的钙钛矿薄膜,具有低成本、可大面积制备的优势。通过本方法获得的钙钛矿晶体薄膜作为光吸收材料应用在薄膜太阳能电池中,所制备的电池器件效率高、稳定性好,这对于实现高效率钙钛矿太阳能电池的低成本制备和产业化具有重要价值。

    一种制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN106058060A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610431212.4

    申请日:2016-06-16

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 瞿慧 尹君

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L51/0003 H01L51/0077 H01L51/4253

    Abstract: 本发明公开了一种简单快速制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法,属于太阳能电池技术领域。主要步骤为先在衬底上通过成膜工艺形成平整的碘化铅薄膜,然后用CH3NH3X与HC(NH2)2X的混合溶液处理PbI2薄膜,再经过热处理即可获得高质量钙钛矿晶体薄膜。在不采用真空设备、手套箱等设备条件下,本发明的方法也能够制备出厚度可控、结晶度好、覆盖率高、表面平整光滑、吸光性能好的钙钛矿晶体薄膜,而且工艺操作简单,制备周期短。将通过本方法制得的钙钛矿晶体薄膜作为光吸收材料应用在太阳能电池中,所制备的电池器件效率高、稳定性好,这对于实现高效率钙钛矿太阳能电池的低成本制作具有重要参考价值。

    一种类金属与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN105973867A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610297310.3

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: G01N21/658

    Abstract: 本发明涉及一种新型类金属材料与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法,该结构包括金属球形空壳和类金属覆盖层,超薄的类金属覆盖在金属球形空壳上,构成类金属‑金属复合空心腔结构。该衬底的制备方法为,首先制备阵列模板,然后利用磁控溅射技术在阵列模板上沉积金属薄膜,之后用四氢呋喃溶液处理浸泡去除模板,最后利用磁控溅射技术沉积一定厚度的类金属材料。本发明提供了新型类金属材料与贵金属复合的空心腔阵列结构的制备工艺,并结合其多极模式等离激元共振和电荷转移机制,实现操作简单、迅速、稳定的检测功能,在材料研究、兴奋剂检测等领域具有广泛的应用前景。

    一种硅基三维微电池纳米电极结构

    公开(公告)号:CN103213933A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201310101495.2

    申请日:2013-03-27

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 李静 岳闯 吴孙桃

    Abstract: 本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球;将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜,利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀;依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物;最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层,进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑,另一方面形成的硅或者硅复合材料,可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。

    一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法

    公开(公告)号:CN102633230A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210125332.3

    申请日:2012-04-26

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法,涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后,利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理,获得具有亲水性的硅片表面;在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球;利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径,得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球;将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜,利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀,交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护;用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物,最终得到硅纳米柱阵列。

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