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公开(公告)号：CN208938997U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821256392.8
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一倒装发光芯片，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并分别经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208690284U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201821259151.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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