公开(公告)号：CN104993048A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510363761.8

申请日：2015-06-25

Applicant: 南昌大学

Inventor： 欧阳腾飞 ,  程抱昌 ,  郑见平

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种基于退火调节的电阻式存储器，包括薄膜基底（1）、单根微纳米材料（2）、金属电极（3）、铜导线（4），单根微纳米材料（2）放于薄膜基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极再焊接铜导线（4）；所述的薄膜基底为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜材料，所述的单根微纳米材料为四棱柱状的硫化铅材料，所述的金属电极是银电极；所述的电阻式存储器为两端都不退火、一端退火或两端都退火。本发明的柔性结构具有良好的电阻开关性能，可作为持久性存储器件使用，器件的制作工艺简单，有利于实际应用。

公开(公告)号：CN103682100A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310646457.5

申请日：2013-12-06

Applicant: 南昌大学

Inventor： 肖丽 ,  程抱昌

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法，在n型半导体材料纳米棒状氧化锌、p型半导体材料三角片状硫氰酸亚铜中间加入聚甲基丙烯酸甲酯。将制备好的纳米棒状氧化锌和三角片状硫氰酸亚铜材料表面分别旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯，相叠，将聚甲基丙烯酸甲酯镶嵌在氧化锌和硫氰酸亚铜中间，待聚甲基丙烯酸甲酯固化。本发明在氧化锌和硫氰酸亚铜两种类型的半导体材料之间加入聚甲基丙烯酸甲酯，使得聚甲基丙烯酸甲酯成为两者之间的连接体，测试性能显示，这种M-O-M结构具有良好的电阻开关效应，可作为存储器使用，且器件的制作工艺简单，具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103681902A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310650605.0

申请日：2013-12-03

Applicant: 南昌大学

Inventor： 艾易龙 ,  程抱昌

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/035218 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1836

Abstract: 基于一维硒化镉/碳杂化纳米结构的光电探测器件及制备方法，包括普通玻璃、封装层、单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料、导线、金属电极、薄膜基底；在平整的薄膜基底上放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料；在硒化镉/碳杂化纳米结构两端点上金/银/铂浆，形成金属电极，与此同时在两端金属电极处分别粘接铜导线，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料缓慢地贴覆在整个单根一维硒化镉/碳杂化纳米结构材料及薄膜基底上，之后再将普通玻璃平稳放在封装层上，在150℃真空烘箱保温30分钟。本发明制备工艺简单，具有较宽的波长响应范围以及可通过调制外加偏压实现正光电导到负光电导的转变，对实际应用非常有利。