自谐振中继线圈、无线电能传输系统和无线充电系统

    公开(公告)号:CN117375265B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311668238.7

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明提供一种自谐振中继线圈、无线电能传输系统和无线充电系统,该自谐振中继线圈包括顶层线圈、底层线圈和中间基板,其中所述顶层线圈和所述底层线圈通过所述中间基板隔开,所述顶层线圈和所述底层线圈串联构成自谐振中继线圈的电感,所述顶层线圈和所述底层线圈之间通过所述基板形成寄生电容,所述寄生电容和所述电感构成自谐振回路。该自谐振中继线圈避免了传统谐振线圈中的分离补偿电容的使用,能够提高多中继无线电能传输系统在高电压、强电场环境中应用的可靠性和安全性。其结构简单,参数稳定,可重复性好,不易受干扰,具有良好的可靠性。

    一种材料成像方法、装置、终端设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114324345B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202111281838.9

    申请日:2021-11-01

    Abstract: 本申请适用于光学成像技术领域,提供了一种材料成像方法、装置、终端设备及存储介质。本申请实施例中以预设的目标扫描方式向上述目标材料发出太赫兹波,根据上述太赫兹波确定上述目标材料内检测点的初始位置信息和上述检测点对应的目标材料表面位置;根据上述目标材料表面位置对上述初始位置信息进行折射率校正,得到上述检测点的目标位置信息;根据上述目标位置信息构建上述目标材料的成像结果,从(56)对比文件KR 20160149423 A,2016.12.28US 2005156110 A1,2005.07.21US 2007114419 A1,2007.05.24US 2007264665 A1,2007.11.15US 2011028824 A1,2011.02.03US 2021096067 A1,2021.04.01US 8604966 B1,2013.12.10WO 2015128393 A1,2015.09.03WO 2019127949 A1,2019.07.04VictorYa. Prinz.Terahertzmetamaterials and systems based onrolled-up 3D elements: designs,technological approaches, and properties. .2017,

    光纤绝缘子界面性能测试装置以及界面性能评价方法

    公开(公告)号:CN117347912A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311659344.9

    申请日:2023-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种光纤绝缘子界面性能测试装置以及界面性能评价方法,包括局部泄漏电流测量模块及测试模块;局部泄漏电流测量模块包括平行设置在光纤绝缘子样品两端的高压端电极和低压端电极;测试模块包括用于给局部泄漏电流测量模块提供电压的高压电源,串联用于采集高压电源的输出电压值与测试的泄漏电流值的数据采集装置,串联用于保护数据采集装置采集的高压电源产生的过压和过流影响的保护电路以及串联用于将采集的输出电压值以及测试的泄漏电流值进行处理与统计的数据处理装置。本发明能够综合考察光纤界面处的局部泄漏电流值与整体泄漏电流值,对光纤绝缘子界面性能进行更加精准的评价。

    一种检测复合绝缘子内部导通性缺陷的装置及方法

    公开(公告)号:CN114167231B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202111367883.6

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 一种检测复合绝缘子内部导通性缺陷的装置及方法,该装置包括脉冲微波发生模块、红外热像仪和数据处理单元,所述脉冲微波发生模块对复合绝缘子进行微波加热以实现导通性缺陷区域产热,所述红外热像仪采集复合绝缘子的初始红外热图和微波加热后的红外热图序列,所述数据处理单元将所述初始红外热图作为参考热图对所述红外热图序列进行差分处理得到差分热图序列,对所述差分热图序列进行处理得到热波在频域上的幅值特征和相位特征,实现热波信号频域特征的提取,并根据频域特征重构复合绝缘子的热图序列,实现复合绝缘子内部导通性缺陷区域的增强显示。本发明能够实现对复合绝缘子内部导通性缺陷快速、精准、无接触、可视化检测。

    一种气体绝缘强度测试装置
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117110819A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311345574.8

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种气体绝缘强度测试装置,包括内腔室和外腔室,所述内腔室中设置有测试电极,所述内腔室通过内腔室壁所述外腔室隔离,所述内腔室通入待测气体,所述外腔室通入调压用的辅助气体,使得所述内腔室壁承受的气压差低于所述内腔室内的绝对气压值。本发明通过内腔室和外腔室的设计,实现内外腔室的气压差可调整,使得内腔室壁承受的气压差低于内腔室的绝对气压值,提高了腔体的耐受气压值,提高了装置实验的安全性以及可靠性。

    一种复合绝缘子界面疲劳老化试验装置和方法

    公开(公告)号:CN117110104A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311352735.6

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明提出一种复合绝缘子界面疲劳老化试验装置及方法,该装置包括复合绝缘子固定装置、驱动模块、连接装置、界面老化装置以及控制模块,所述复合绝缘子固定装置用于固定待测复合绝缘子,所述驱动模块通过所述连接装置连接所述界面老化装置,所述界面老化装置固定在待测复合绝缘子的护套上,所述控制模块与所述驱动模块相连,所述驱动模块由所述控制模块控制,通过所述连接装置驱动所述界面老化装置对待测复合绝缘子的护套施加沿复合绝缘子轴向的作用力。该装置能够对复合绝缘子实际运行中最容易失效的芯棒‑护套界面区域进行疲劳老化试验,得到更准确的测试位置,从而获取更准确的疲劳老化情况评估参数,进而获取更准确的寿命预测。

    一种基于半导体器件的电场强度测量方法

    公开(公告)号:CN113406404B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202110596719.6

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

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