一种基于半导体器件的电场强度测量方法

    公开(公告)号:CN113406404B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202110596719.6

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

    一种基于半导体器件的电场强度测量方法

    公开(公告)号:CN113406404A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110596719.6

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法,包括:S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件,编号Slow、Shigh,对应的击穿场强Dlow、Dhigh;其中,Slow能被待测位置处的场强击穿,Shigh不能被待测位置处的场强击穿;S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差,若小于,则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2;若不小于,则进入步骤S3;S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid,并放置在待测位置处;S4、判断Smid是否被击穿:若被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2;若未被击穿,则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

    一种人工积污装置及方法

    公开(公告)号:CN113049432A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110311503.0

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 一种人工积污装置及方法,该装置包括污秽粒子分散区、污秽粒子沉降区、隔板以及风扇,所述污秽粒子分散区位于所述污秽粒子沉降区的上方,所述隔板将所述污秽粒子分散区与所述污秽粒子沉降区分隔开,待积污对象放置在所述污秽粒子沉降区中,所述风扇设置于所述污秽粒子分散区中,用于吹风以使污秽粒子在所述污秽粒子分散区中均匀分散,所述隔板为可移除或可打开式结构,当所述隔板被移除或打开时,在所述污秽粒子分散区中均匀分散的污秽粒子进入所述污秽粒子沉降区,并以自然沉降方式附着于待积污对象上。本发明实现以自然沉降方式使污秽粒子均匀附着于电路板上,避免额外人工操作的干扰,提高电路板积污的一致性。

    一种聚合物绝缘材料的热波层析成像方法及装置

    公开(公告)号:CN119104543A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411473872.X

    申请日:2024-10-22

    Abstract: 本发明提出一种聚合物绝缘材料的热波层析成像方法及装置,实现材料内部结构的快速、无损、高分辨成像。该方法主要包括:首先,采用对数调频方法对材料进行光热激励,集中低频段能量以增强深层热波能量。然后,使用红外热像仪采集热扩散过程的红外热图序列,获取热响应信号。接着,通过调整频率扫描参数的终止频率,引入频率差,处理红外热图序列,计算相位信息,选择特定频率的相位图作为层析图,并关联深度信息。最后,应用超分辨算法对特征热图进行去模糊处理,生成三维层析图,实现高分辨率成像。本发明的热波层析成像具有快速、无损、高分辨、非接触、大面积、可视化的特点,适用于聚合物绝缘材料检测。

    一种复合绝缘子伞套材料有机硅含量无损检测方法

    公开(公告)号:CN120009216A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510472768.7

    申请日:2025-04-16

    Abstract: 一种复合绝缘子伞套材料有机硅含量无损检测方法,通过傅立叶红外光谱技术,利用PDMS的特征峰1258cm‑1和ATH的特征峰3429 cm‑1进行校正峰面积比的计算。首先,通过拟合已知材料的ATH与PDMS质量比与校正峰面积比的关系,建立拟合模型。然后,对待测材料进行光谱测试,计算其校正峰面积比,并根据拟合模型确定有机硅含量或与预设阈值比较判断是否达标。该方法能够实时监测材料老化程度,预防事故,降低维护成本,具有操作简便、成本低、适用于现场快速检测等优点,满足电网运营商对材料质量的严格要求。

    一种复合绝缘子芯棒力学特性的在线监测方法

    公开(公告)号:CN119437894A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411727870.9

    申请日:2024-11-28

    Abstract: 本发明提供一种复合绝缘子芯棒力学特性的在线监测方法及系统,能够实时监测绝缘子的机械强度状态,预防故障。该方法包括先使用拉力机模拟机械应力产生声发射信号,采集并利用K‑Means算法分析信号,生成对照组;构建声发射系统,在复合绝缘子运行过程中收集收集复合绝缘子内部产生的声发射事件信号,并与对照组对比,实现早期故障识别和预警。系统包括差动传感器、前置放大器和数据采集处理系统,用于捕捉、放大和分析声发射信号,动态评估绝缘子状态。本发明的在线监测方法及系统提高了复合绝缘子芯棒力学特性监测的准确性和可靠性,降低了维护成本,具有重要的实用价值。

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