公开(公告)号：CN113325254A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110535699.1

申请日：2021-05-17

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 尹芳辉 ,  王黎明 ,  刘子琛 ,  怡勇 ,  于天奇

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种交直流导线带电覆冰试验装置，包括：电压产生模块、高场强产生模块以及负荷电流产生模块，其中，用于覆冰的导线置于所述高场强产生模块中且导线两端分别由所述高场强产生模块的两端伸出，并且，所述导线与所述高场强产生模块同轴；所述电压产生模块用于产生试验所需电压；所述高场强产生模块用于在低于导线实际传输电压的一较低电压下产生对应于导线实际传输电压的等效场强；所述负荷电流产生模块通过发热方式来模拟负荷电流对导线的等效作用。

公开(公告)号：CN113131095B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110412595.1

申请日：2021-04-16

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 吕伟 ,  刘文华 ,  刘子琛 ,  游从辉 ,  杨全红

IPC: H01M50/449 ,  H01M50/431 ,  H01M50/403 ,  H01M10/052 ,  B01J27/24

Abstract: 一种隔离层，包括基体层和设于所述基体层上的阻挡层，所述阻挡层包括导电碳载体和负载于所述导电碳载体上的氮化物‑硫化物异质结构双向催化剂。本发明还提供一种隔离层的制备方法，及应用该隔离层的锂硫电池。本发明应用该隔离层的锂硫电池具有较佳的倍率性能和循环稳定性。

公开(公告)号：CN113131095A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110412595.1

申请日：2021-04-16

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 吕伟 ,  刘文华 ,  刘子琛 ,  游从辉 ,  杨全红

IPC: H01M50/449 ,  H01M50/431 ,  H01M50/403 ,  H01M10/052 ,  B01J27/24

Abstract: 一种隔离层，包括基体层和设于所述基体层上的阻挡层，所述阻挡层包括导电碳载体和负载于所述导电碳载体上的氮化物‑硫化物异质结构双向催化剂。本发明还提供一种隔离层的制备方法，及应用该隔离层的锂硫电池。本发明应用该隔离层的锂硫电池具有较佳的倍率性能和循环稳定性。

公开(公告)号：CN113406404B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202110596719.6

申请日：2021-05-31

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 尹芳辉 ,  王黎明 ,  刘子琛 ,  杨代铭 ,  梅红伟 ,  曹彬

IPC: G01R29/14 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法，包括：S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件，编号Slow、Shigh，对应的击穿场强Dlow、Dhigh；其中，Slow能被待测位置处的场强击穿，Shigh不能被待测位置处的场强击穿；S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差，若小于，则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2；若不小于，则进入步骤S3；S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid，并放置在待测位置处；S4、判断Smid是否被击穿：若被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2；若未被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

公开(公告)号：CN113406404A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110596719.6

申请日：2021-05-31

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 尹芳辉 ,  王黎明 ,  刘子琛 ,  杨代铭 ,  梅红伟 ,  曹彬

IPC: G01R29/14 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开了基于半导体器件的电场强度测量方法，包括：S1、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择两种不同型号的半导体器件，编号Slow、Shigh，对应的击穿场强Dlow、Dhigh；其中，Slow能被待测位置处的场强击穿，Shigh不能被待测位置处的场强击穿；S2、判断Slow与Shigh之间的击穿场强之差是否小于测量允许误差，若小于，则待测位置处的场强为(Dhigh+Dlow)/2；若不小于，则进入步骤S3；S3、从已测得击穿场强的多个不同型号的半导体器件中选择击穿场强为半导体器件Slow与Shigh的击穿场强均值的半导体器件Smid，并放置在待测位置处；S4、判断Smid是否被击穿：若被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Slow并返回步骤S2；若未被击穿，则将Smid作为更新的半导体器件Shigh并返回步骤S2。

公开(公告)号：CN113049432A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110311503.0

申请日：2021-03-24

Applicant: 清华大学深圳国际研究生院

Inventor： 尹芳辉 ,  王黎明 ,  刘子琛 ,  梅红伟 ,  曹彬 ,  怡勇

IPC: G01N5/00 ,  B05B15/00

Abstract: 一种人工积污装置及方法，该装置包括污秽粒子分散区、污秽粒子沉降区、隔板以及风扇，所述污秽粒子分散区位于所述污秽粒子沉降区的上方，所述隔板将所述污秽粒子分散区与所述污秽粒子沉降区分隔开，待积污对象放置在所述污秽粒子沉降区中，所述风扇设置于所述污秽粒子分散区中，用于吹风以使污秽粒子在所述污秽粒子分散区中均匀分散，所述隔板为可移除或可打开式结构，当所述隔板被移除或打开时，在所述污秽粒子分散区中均匀分散的污秽粒子进入所述污秽粒子沉降区，并以自然沉降方式附着于待积污对象上。本发明实现以自然沉降方式使污秽粒子均匀附着于电路板上，避免额外人工操作的干扰，提高电路板积污的一致性。