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公开(公告)号：CN110571162B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910868740.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 南京航空航天大学 , 维科诚(苏州)光伏科技有限公司
Abstract: 模拟太阳能电池片光照热衰减的装置，包括：底盘、连接在底盘上并向上延伸固定支架、用于放置太阳能电池片的下加热器、设置在所述固定支架上的光照加热装置、用于控制所述光照加热装置和下加热器发热量的温度控制系统，光照加热装置包括红外加热灯管，通过红外加热灯管在太阳能电池片上方模拟太阳光，并在太阳能电池片下方设置下加热器使得太阳能电池片受热均匀，通过设置温度控制系统控制太阳能电池片的温度，解决了太阳能电池片上下表面同时加热，精准控制加热温度，并在太阳能电池片上方提供光照的技术问题；使用上述装置检测衰减量的方法，包括初始值检测、模拟光照热衰减、冷却并最终检测、计算衰减量，方法简单易用，准确性高、可复现性强。
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公开(公告)号：CN110444616B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201810434662.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种超薄晶硅太阳电池及其制备方法。超薄晶硅太阳电池采用随机纳米倒金字塔作为表面减反射结构，用原子层沉积的氧化钛薄膜和低功函数超薄金属改性的TCO薄膜分别作为电子传输层和上电极，用磁控溅射沉积金属铝薄膜结合后续低温退火构建热应力小的背场与背电极。本发明的优点在于：电池结构简单且无翘曲现象，相对于传统的高温热扩散工艺，其低温工艺能够大大降低电池制备的操作难度，降低电池的碎片率，是一种具有应用潜力的超薄晶硅电池制备技术。
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公开(公告)号：CN112034027B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202010918276.3
申请日：2020-08-29
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/333 , G01N27/48 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于检测废水中氨氮离子含量的传感电极及其制备方法，包括以下步骤：(1)将多孔纳米片状CZTS粉末样品超声分散于壳聚糖‑醋酸溶液，得CZTS‑壳聚糖‑醋酸混合液；(2)将CZTS‑壳聚糖‑醋酸混合液滴涂于玻碳电极表面；(3)干燥处理所述玻碳电极。该电极的最低检出限为30.0μmol/L(S/N＝10)。因此，该方法在0.5mmol/L H2SO4基液中对氨氮离子含量的测定获得了成功。
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公开(公告)号：CN110444616A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810434662.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种超薄晶硅太阳电池及其制备方法。超薄晶硅太阳电池采用随机纳米倒金字塔作为表面减反射结构，用原子层沉积的氧化钛薄膜和低功函数超薄金属改性的TCO薄膜分别作为电子传输层和上电极，用磁控溅射沉积金属铝薄膜结合后续低温退火构建热应力小的背场与背电极。本发明的优点在于：电池结构简单且无翘曲现象，相对于传统的高温热扩散工艺，其低温工艺能够大大降低电池制备的操作难度，降低电池的碎片率，是一种具有应用潜力的超薄晶硅电池制备技术。
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公开(公告)号：CN106282925B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610855569.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 南京航空航天大学 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法,利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p‑Si等衬底的接触性能;并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层,与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜,使薄膜的电学性能得到明显改善;TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法,包括:在衬底的表面上沉积TiW合金,形成TiW合金薄膜层/衬底结构;再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物,形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140343B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510551033.X
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种用于高效太阳电池的多晶黑硅结构及其液相制备方法。其制备方法包括：(1)对硅片进行预清洗；(2)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(3)采用NSR(Nano‑Structure‑Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理。最后形成一种易于钝化的均匀分布的倒金字塔结构。本发明是一种利用NSR溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的多晶黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105161572A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510551031.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828
Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其包括如下步骤：(a)采用化学溶液法制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒并制成Cu2ZnSnS4纳米墨水；(b)具有良好环境相容性的前驱体分子溶液墨水(含有Cu2+、Zn2+、Sn2+、S2-的混合溶液)的制备；(c)采用旋涂法或喷涂法或刮涂法分别将Cu2ZnSnS4纳米墨水和前驱体分子溶液墨水涂敷在衬底上，从而制备出Cu2ZnSnS4预制薄膜；(d)在惰性气氛或硫气氛或硒气氛下退火制备高质量Cu2ZnSnS4薄膜。本发明所提供的低成本的化学法制备Cu2ZnSnS4薄膜不需要昂贵的设备与原材料，且工艺稳定性好，控制好各工艺可以制备出具有优异光电性能的Cu2ZnSnS4薄膜。本发明通过低成本且易于大规模生产的方法成功制备出高质量的Cu2ZnSnS4光电薄膜，为制备低成本且高效的Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池奠定基础。
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公开(公告)号：CN102891073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210367504.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开一种低温等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法。其方法步骤如下：(1)采用热丝CVD方法在衬底上沉积纳米晶碳化硅或非晶碳化硅薄膜；(2)采用干氧氧化的方法形成一层二氧化硅薄层；(3)采用磁控溅射或真空热蒸发方法继续沉积铝薄膜；(4)将此叠层结构在等离子体辅助下采用还原气体与惰性气体混合气氛退火；(5)用Al腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝，最终得到晶粒大小达到3-5微米左右，表面光滑平整的多晶SiC薄膜。本发明是一种在廉价衬底上低温制备大晶粒碳化硅的方法。相比传统多晶碳化硅制备方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102691038B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210160698.4
申请日：2012-05-22
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀ZnO薄膜及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域。ZnO薄膜通过射频磁控共溅射法制备，所用的靶材为Sn靶、本征ZnO靶和AZO靶（Al掺杂的ZnO靶），制备Sn掺杂的ZnO薄膜和Al-Sn共掺杂的ZnO薄膜。本征ZnO薄膜掺入Sn之后，其耐腐蚀性得到改善；对Al掺杂的ZnO薄膜掺入Sn之后（Al-Sn共掺的ZnO薄膜）其耐腐蚀性能也得到改善，而且Al-Sn共掺的ZnO薄膜相对于Sn单独掺杂的ZnO薄膜其耐腐蚀性能更好。本方法制作工艺简单，沉积温度低，所用材料和工艺对环境无污染，制得的ZnO薄膜具备耐腐蚀和透明导电功能，可以提高ZnO薄膜材料和器件在恶劣环境下工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN102433544B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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