一种自适应伪装皮肤电子和自适应隐身系统

    公开(公告)号:CN117471404A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311429162.2

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开一种自适应伪装皮肤电子和自适应隐身系统,包括:采用垂直堆叠的结构,由外至内依次为红外低发射层、雷达吸波层以及自适应变色层。采用本发明技术方案,实现了红外隐身、视觉隐身、雷达隐身的多功能一体化设计,最终达到了兼顾3~15um的中远红外波段低辐射、10‑37.5Ghz的宽频段内的有效雷达吸收和0.38至0.78um自适应变色的多波段智能自适应隐身效果。

    一种银纳米线氧化石墨烯复合导电薄膜加热器的制备方法

    公开(公告)号:CN106131984A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610817664.6

    申请日:2016-09-12

    CPC classification number: H05B3/14 H05B3/34

    Abstract: 本发明公开了一种银纳米线氧化石墨烯复合导电薄膜加热器的制备方法,属于柔性电子材料与薄膜技术领域。该制备方法主要包括衬底的清洗,复合薄膜的制备及强光光照后处理等。本发明以改进的多元醇法合成银纳米线和改进的Hummers方法制备出的氧化石墨烯作为原料,常温常压下,通过简单的旋涂法制膜工艺涂覆透明的复合导电薄膜,通过强光照射薄膜,增强薄膜的加热温度及加热均匀性。该加热器结构简单、原料低廉、制备工艺流程易操作、有利于工业化生产。

    一种3-烷氧基丙酸烷基酯的制备方法

    公开(公告)号:CN105037151A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510289293.4

    申请日:2015-05-29

    CPC classification number: C07C67/31 C07C69/708

    Abstract: 本发明属于化工合成技术领域,提供一种3-烷氧基丙酸烷基酯的制备方法。该方法以固体碱为催化剂,以丙烯酸烷基酯和低碳醇为原料,发生非均相催化烷氧基化反应,烷氧基化反应产物进入脱轻精馏塔进行分离,从塔顶回收的低碳醇与丙烯酸烷基酯轻组分,循环至烷氧基反应步骤中;塔釜得到主要含产物3-烷氧基丙酸烷基酯的重组分。脱轻精馏塔釜重组分物料经过精制精馏塔分离,塔顶得到3-烷氧基丙酸烷基酯产品,塔釜为少量高沸物。本发明使用的原料、作为催化剂固体碱经过精馏塔分离回收后,不需要经过再加工,可以直接再次投入到反应中,大大增加了原料和催化剂的利用效率,降低了生产成本,不造成环境污染。

    两步法合成3-甲基-3-丁烯-1-醇的方法

    公开(公告)号:CN103224444A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310195680.2

    申请日:2013-05-23

    Abstract: 本发明属于有机化合物合成领域,涉及两步法合成3-甲基-3-丁烯-1-醇的方法。该法将羧酸、异丁烯、甲醛类物质在高压反应釜中发生缩合酯化反应生成3-甲基-3-丁烯-1-醇羧酸酯。缩合酯化反应液经过减压精馏后得到3-甲基-3-丁烯-1-醇羧酸酯,并进行水解反应。水解反应结束后静置分层,有机相富含3-甲基-3-丁烯-1-醇,水相含有的羧酸盐,通过在水相中加入与羧酸盐含有相同金属离子的固体碱,待羧酸盐析出后的含有碱的水相循环用于3-甲基-3-丁烯-1-醇羧酸酯的水解反应中,不足的水量可以补充。这种生产3-甲基-3-丁烯-1-醇方法无需催化剂,原料转化率高、产物选择性高、产品收率高,可降低分离能耗与物耗。

    一种3‑烷氧基丙酸烷基酯的制备方法

    公开(公告)号:CN105037151B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201510289293.4

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明属于化工合成技术领域,提供一种3‑烷氧基丙酸烷基酯的制备方法。该方法以固体碱为催化剂,以丙烯酸烷基酯和低碳醇为原料,发生非均相催化烷氧基化反应,烷氧基化反应产物进入脱轻精馏塔进行分离,从塔顶回收的低碳醇与丙烯酸烷基酯轻组分,循环至烷氧基反应步骤中;塔釜得到主要含产物3‑烷氧基丙酸烷基酯的重组分。脱轻精馏塔釜重组分物料经过精制精馏塔分离,塔顶得到3‑烷氧基丙酸烷基酯产品,塔釜为少量高沸物。本发明使用的原料、作为催化剂固体碱经过精馏塔分离回收后,不需要经过再加工,可以直接再次投入到反应中,大大增加了原料和催化剂的利用效率,降低了生产成本,不造成环境污染。

    一种半导体阻变存储器的光电无串扰读取方法

    公开(公告)号:CN117594093A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311481406.1

    申请日:2023-11-09

    Inventor: 刘举庆 周哲 黄维

    Abstract: 本发明公开了一种基于光电导效应感知半导体阻变存储器存储态的无串扰读取技术,所述半导体阻变存储器采用具有光电导效应的半导体存储介质层。本发明所述的光电无串扰读取方法包括:对存储单元施加光刺激,当存储单元处于高阻态时,能够监测到明显的光电流;当存储单元处于低阻态时,无法监测到相应的光电流;根据是否监测到光电流来判断存储器的存储状态。根据本发明的阻变存储器件的读取方法无需额外选择单元,即可避免十字交叉结构阻变存储阵列采用电压读取过程中的串扰电流,实现了无串扰读取。

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