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公开(公告)号：CN106940224A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710245163.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
CPC classification number: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种抗背散射超导单光子探测器，包括时钟信号生成模块、激光器、门控源表及纳米线芯片，所述门控源表包括数模转换芯片和负载电阻，数模转换芯片的输出端通过负载电阻连接纳米线芯片；所述时钟信号生成模块用于为激光器和数模转换芯片提供PWM波信号；所述激光器用于发射光子，所述纳米线芯片用于接收光子；所述门控源表用于控制纳米线芯片工作。本发明可以在探测过程中，屏蔽近距离内的反射光子，使得光子接收不受近距离反射光子的影响，有效解决了超导纳米线单光子探测器背光致盲问题；可以将超导纳米线单光子探测器的应用扩展到浓雾等强背散射环境下激光测距和激光雷达应用，提高了探测器在大气层内使用的可靠性。
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公开(公告)号：CN105158561A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510624971.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 南京大学
IPC: G01R23/16
Abstract: 本发明公开了一种基于无氧铜矩形谐振腔的可调传输子量子比特系统，包括：可调传输子量子比特；装配有超导线圈的无氧铜矩形谐振腔；用于屏蔽外部环境磁场的低温磁屏蔽筒；其中，所述可调传输子量子比特置于无氧铜矩形谐振腔内腔体的中心，所述可调传输子量子比特置于低温磁屏蔽筒内。本发明还公开了一种测量基于无氧铜矩形谐振腔的可调传输子量子比特能谱的方法。本发明实现了跃迁频率可调的传输子量子比特，对多量子比特耦合研究和量子调控有重要意义。
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公开(公告)号：CN104630709A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510115066.X
申请日：2015-03-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0682
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的NbSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102916083B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210406138.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/021 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法，包括如下步骤：将基片超声清洗并吹干；进行Ar离子洗；通过直流磁控溅射的方式生长掺杂的超导Nb薄膜；旋涂电子束抗蚀剂，然后对电子束抗蚀剂进行电子束光刻，在电子束抗蚀剂上绘制出宽度小于或等于100nm的线条图形；用反应离子刻蚀的方式进行刻蚀，将线条图形转移到Nb薄膜上，形成Nb纳米线条；清洗残留的电子束抗蚀剂，并在样品的表面旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式在光刻胶上形成电极图形；生长电极。本发明克服了现有的Nb材料制备的SNSPD超导转变温度低，临界电流密度低，光响应波长短的难题。
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公开(公告)号：CN104393091A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410496643.X
申请日：2014-09-25
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/08 , G01J5/20 , H01L31/0312 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于六氮五铌薄膜的室温红外检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上的六氮五铌薄膜热敏层，以及所述六氮五铌薄膜热敏层两端与外部电路相连的金属薄膜电极。本发明还公开了制备上述室温红外检测器的方法。本发明的室温红外检测器工作于室温，具有较高灵敏度，响应速度快，且容易做成大规模阵列芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102868013B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210384068.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明公开了一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法，包括如下步骤：清洗基片；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜；在所述聚酰亚胺膜上涂覆光刻胶LOR并烘干；在所述光刻胶LOR上涂覆光刻胶AZ1500并烘干；对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影和烘干；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第一层金属；将蒸发第一层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第二层金属；将蒸发第二层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；去除基片：将基片和聚酰亚胺膜剥离。本发明实现频带的拓展。
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公开(公告)号：CN104052552A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410265234.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/67
Abstract: 本发明公开了一种大口径超导弱光接收机，包括光纤和超导探测器，依序设置于所述光纤和超导探测器之间的与准直透镜和光束压缩单元；所述光束压缩单元包括若干个依序设置并与所述光纤同轴固定的光学元件；沿光子传输的方向，光学元件的数值口径逐渐增大。本发明的探测范围是15-200微米，可以提高超导探测器对于空间分布较大的光信号检测的系统效率，并可以将现有的单模光纤耦合模式提高到多模光纤耦合模式，因此大大提高了超导探测器对空间光子探测的系统性能，促进其在荧光检测、空间通信等基础研究、工业和国防等领域的应用。
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公开(公告)号：CN103956637A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410202463.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种高频率BSCCO-THz源，包括BSCCO-THz源；在所述的BSCCO-THz源上设有上基片；所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上，所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。本发明的高频率BSCCO-THz源，其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着，确实有效的改善BSCCO-THz源的导热，从而大大增加其偏置电压，提高了其辐射太赫兹信号的频率，可得到1THz以上太赫兹辐射；有效突破目前的技术瓶颈，填补该部分的技术空白，具有广阔的应用前景，在BSCCO-THz源领域将得到广泛的应用，具有不可比拟的实用性。
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公开(公告)号：CN102738381A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210238011.4
申请日：2012-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种高温超导Josephson双晶结的制备方法，采用酸法刻蚀和离子刻蚀相结合，进行高温超导Josephson双晶结的微桥刻蚀，既解决了由于薄膜过厚，单纯用酸刻工艺时侧向腐蚀严重的问题，又避免了单纯用离子刻蚀工艺时长时间温度过高的问题。同时，在刻蚀后利用离子刻蚀工艺再对薄膜进行适当的减薄处理，使微桥晶界处的弱连接性能进一步增强，保证了结的良好超导Josephson效应，增强了结的非线性。采用四端子法在液氮条件下测量了TlBaCaCuO双晶结的电流电压关系曲线，在60K时，临界电流Ic约为200µA；加上210G的微波辐照后，有明显的Shapiro台阶出现；进行了210G的混频实验，得到了14次谐波混频中频输出，具有良好的应用开发前景。
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公开(公告)号：CN102620820A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210084940.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的超导单光子探测器，包括超导单光子探测器器件，其特征在于：所述超导单光子探测器器件为多层，多层器件的探测区域重叠但保持一定的间距，多层器件的周边通过光刻胶支撑并调节多层器件的探测区域之间的间距；多层器件的纳米线之间通过金属铟块串联。本发明还公开这种复合结构的超导单光子探测器的制备方法。本发明通过电路模型研究了该探测器的光子响应过程，采用传输矩阵方法研究了该探测器的系统效率，和传统单光子探测器相比，该探测器通过一个探测器就可以实现光子数分辨，并且提高了探测器效率，该探测器的系统效率提高了21.6%。
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