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公开(公告)号：CN105112869A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN104499047A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410794743.0
申请日：2014-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法。所述衬底自下而上依次为Si衬底、TiN单晶籽晶层、金属氧化物单晶薄膜层、铱单晶薄膜层。本发明设计并制备了一种可异质外延生长大尺寸单晶金刚石的叠层，特别地，在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层，提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量，从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能；本发明由于使用了TiN缓冲层，整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行，使得外延成本大大地降低，同时基于Si衬底生长金刚石，可以更好地与电子信息工业相匹配。
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公开(公告)号：CN101299444A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064841.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。
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公开(公告)号：CN120091593A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510210818.4
申请日：2025-02-25
Abstract: 一种低功耗金刚石晶体管及其制备方法，本发明是为了解决现有金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管的功耗较高，而且金刚石的表面导电沟道较为脆弱易损害的问题。本发明低功耗金刚石晶体管中通过氢等离子体对金刚石衬底进行氢化处理使金刚石衬底上形成氢终端表面，氢终端表面接触空气后形成导电沟道，在带有氢终端的金刚石衬底上设置有源极和漏极，采用电子束蒸发工艺在带有氢终端的金刚石衬底上在室温下沉积有铁电介质层，铁电介质层上设置有栅极。本发明采用电子束蒸发工艺，在室温下沉积的铁电材料具有优异的铁电特性，会产生负电容效应，实现低于理论极限的亚阈值摆幅和更低的关断电流，从而有效降低了晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN119900077A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411952924.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种基于铅制电子辐照载体制备CVD蓝色渐变金刚石的方法，本发明是要解决现有彩钻通过控制金刚石在生长杂质气体掺杂浓度，对颜色进行调控，在金刚石的后续加工中出现开裂的问题。制备方法：S1、预处理金刚石籽晶片；S2、等离子体刻蚀籽晶；S3、向真空腔内通入甲烷和氢气，进行微波等离子体化学气相沉积生长；S4、获得金刚石毛坯；S5、切除金刚石毛坯表面的多晶；S6、对切割后的毛坯进行HPHT处理；S7、将金刚石坯料放置在辐照载具的底板上，采用高能电子束辐照遮挡腔以及金刚石坯料。本发明将金刚石毛坯放置于特制的辐照载具中，实现对金刚石毛坯部分区域辐照，制备颜色渐变的蓝色金刚石，提高了金刚石的纯净程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119259601A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411672313.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种MPCVD舱壁杂质的去除方法，本发明是要解决MPCVD设备舱壁的杂质难以去除的问题。MPCVD舱壁杂质的去除方法：一、在水冷台上放置样品托以保护水冷台，关闭MPCVD系统舱盖，在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体刻蚀处理舱体内部；二、将去离子水湿润吸水纸，得到湿润的吸水纸，然后将湿润的吸水纸贴附在MPCVD系统的舱壁上；三、取下贴附的吸水纸，使用无水乙醇打湿无尘布，对舱壁擦拭干净；四、使用吸尘器清理MPCVD系统的舱体内部；五、再次在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体再次刻蚀处理舱体内部。本发明通过氢氧等离子体清洗与去离子水浸润，酒精擦拭即可去除沉积杂质。
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公开(公告)号：CN118748097A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410801466.5
申请日：2024-06-20
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种叠层p‑金刚石/n‑β‑Ga2O3异质结同位素电池，本发明要解决n型金刚石掺杂困难，金刚石的厚度难降低等问题。本发明异质结同位素电池由下至上依次由放射源正电极层A、半导体器件A、放射源背电极层B、半导体器件B和放射源正电极层C形成叠层结构，其中半导体器件A从下至上依次由p+‑金刚石帽子层A、p‑金刚石发射层A、n‑β‑Ga2O3基层A和n+‑β‑Ga2O3缓冲层A形成叠层结构；所述的半导体器件B从下至上依次由n+‑β‑Ga2O3缓冲层B、n‑β‑Ga2O3基层B、p‑金刚石发射层B、p+‑金刚石帽子层B形成叠层结构。本发明采用了叠层结构，提高了器件的能量密度，还兼具高功率、小体积等特点。
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公开(公告)号：CN117448794A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311393073.7
申请日：2023-10-25
IPC: C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 使用毛发作为碳源通过CVD工艺制备生命钻石的方法，本发明为了解决现有通过MPCVD方法制备钻石时以甲烷气体作为碳源，价格较为昂贵，导致钻石生长速率缓慢的问题。制备生命钻石的方法：一、对高温高压金刚石籽晶基底进行清洗；二、对毛发进行超声清洗，将预处理的毛发放入坩埚中，通入氩气和少量氧气保温，然后以600～1200℃的温度萃碳处理；三、激活等离子体，升高和微波功率，使金刚石籽晶的表面温度达到700～1000℃使腔体保持封闭进行等离子体化学气相沉积生长。本发明以毛发作为碳源通过CVD装置进行生命钻石的生长，改善了原本使用甲烷作为碳源价格昂贵的问题，且合成的钻石具有更加独特和深刻的纪念意义。
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公开(公告)号：CN116641107A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310545689.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C25D3/56 , C25B11/031 , C25B11/061 , C25B11/089 , C25F3/22 , C25D5/34 , C25B3/26
Abstract: 本申请涉及多孔合金材料工艺技术领域，尤其涉及一种多孔铜锡合金材料及其制备方法和应用。本申请的多孔铜锡合金材料的制备方法包括以下步骤：提供金属基底、锡片和电镀液；其中，电镀液中含有铜离子和锡离子；将金属基底和锡片置于电镀液中，然后以金属基底为阴极、锡片为阳极进行电沉积处理，在金属基底表面生成多孔铜锡合金材料。本申请实施例提供的制备方法在金属基底表面形成的多孔铜锡合金材料不仅致密不易脱落，具有很好的催化稳定性，而且其表面的孔径分布均匀、活性表面积高，多孔孔径微观可调、宏观可控，同时该制备方法的工艺简单高效，对原料及设备要求低，可以大规模制备，具有很好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN116580869A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310479247.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。
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