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公开(公告)号：CN102330948A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110255957.7
申请日：2011-08-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: F21V7/04 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21S8/10 , F21W101/10 , F21Y101/02
Abstract: 本发明提供了LED汽车照明用反射器组合式前照灯，反射器的内表面是自由曲面；首先对光源立体角进行划分，然后根据汽车前照灯的照度分布特征，运用能量守恒定律，把照明区域进行网格划分，然后运用折反射定律通过数值计算即得到最后的LED汽车照明的反射器自由曲面。组合式前照灯包括防护镜、近光LED光源、远光LED光源、灯壳、散热器、所述近光反射器和远光反射器，近光LED光源和远光LED光源分别安装在散热器伸入灯壳内部分的上下侧，灯壳安装在远光反射器、近光反射器外面，并与反射器紧密相连，两反射器顶面由灯壳支撑，底面由散热器支撑并固定。本发明具有体积小、视野宽、光能利用率高、散热良好和远近光切换方便的优点。
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公开(公告)号：CN120088526A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202411979865.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东省农业科学院蔬菜研究所 , 华南理工大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V20/68 , G06V10/774 , G06N3/042 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06N3/096
Abstract: 本发明属于食用菌黑皮鸡枞品质分级领域，涉及一种三教师级联知识蒸馏的食用菌黑皮鸡枞品质分级方法。本发明提出带有残差连接的三教师级联知识蒸馏模型，采用轻量级学生模型，与三个教师模型分别构成三个知识蒸馏模块，在按照特定顺序级联的多个知识蒸馏模块中，学生模型从教师模型中提取软标签信息，结合真实标签提供的硬标签信息进行卷积神经网络的训练；通过残差连接比较学生模型在进入知识蒸馏模块前后的损失，选择损失较小的学生模型进入下一个知识蒸馏模块。本发明在保持较低的资源占用和较快的响应速度的同时，实现了高的分类准确率，对资源受限设备中的食用菌黑皮鸡枞的品质自动分级具有重要意义和实用价值。
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公开(公告)号：CN109166878B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201811151396.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10H29/10 , H10H20/84 , H10H20/819 , H10H20/00
Abstract: 本发明公开具有增透钝化层的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，由N×N个发光单元组成，每个发光单元的阳极单独引出，所有发光单元共阴极；发光单元的有源区具有较深的纳米孔，纳米孔的深度超过量子阱层；GaN材料表面的介质薄膜层也分布有较浅的纳米孔，纳米孔的底部有介质薄膜。本发明通过有源区域上介质钝化层开槽，结合软膜纳米压印技术，使得有源区域的深纳米孔和钝化层的浅纳米孔可同时制备完成，有源区域的深纳米孔提高了辐射复合速率，钝化层的浅纳米孔构成了增透的钝化层，都有利于提高光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。此外，本发明的制备方法避免了深刻蚀工艺，具有工艺简单、良率高的优点。
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公开(公告)号：CN107195747B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710405621.1
申请日：2017-06-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n‑电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p‑反射电极层。本发明可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。
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公开(公告)号：CN109119519B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201811151385.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片及其制备方法。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构，圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上，电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上，负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本发明在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层，并退火形成欧姆接触；本发明有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽，负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611155B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710765753.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/15 , H01L27/118
Abstract: 本发明提供照明显示通信共用的GaN基微米尺寸LED阵列芯片及集成模块。集成模块由GaN基微米尺寸LED阵列芯片、偏置树电路、MOS开关阵列和现场可编程门阵列（FPGA）组成。LED阵列芯片由高速通信发光单元和低速通信发光单元构成，高速通信发光单元工作在较大电流密度下；低速通信发光单元工作在较小电流密度下。高速通信发光单元直接与信号源连接，传输高频交流信号；低速通信发光单元与MOS开关阵列连接，受FPGA控制选择导通一路以上的发光单元，实现照明、显示功能，并传输低频交流信号。本发明可以实现两通道的高速通信和多通道的低速通信，而且低频通信发光单元还具有照明和显示功能。
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公开(公告)号：CN116741913A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310793622.3
申请日：2023-06-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于侧面填充的深紫外LED封装结构及其制备方法。本发明的目的，在于通过在芯片侧面填充掺杂有AlN粒子的硅胶(AlN particles doped Silicone layer Filed in Chip‑side，ASFCS)的封装方法，特别说明，ASFCS封装，是芯片侧面填充掺杂AlN粒子的硅胶的封装方法，后面将用ASFCS封装代替所提到的侧面填充封装方法。ASFCS封装可提高芯片侧面的出光率，进而提高深紫外封装的出光率。
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公开(公告)号：CN113985525A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111275173.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维光子晶体特性的多功能滤波分束器件。所述滤波分束器件包括滤波结构单元和分束结构单元；滤波结构单元和分束结构单元分别包括多个第一介质柱和第二介质柱；滤波结构单元上设有一条线缺陷形成的主波导和一条线缺陷形成的下行波导，主波导与下行波导之间设有一个通过移动第一介质柱的位置形成的蝶形耦合腔；分束结构单元设有一条线缺陷形成的直行波导和两条线缺陷形成的分路波导，两条分路波导关于直行波导的轴心线轴对称，直行波导与两条分路波导之间设有耦合区域。本发明采用二维光子晶体材料，实现滤波和功率分束；通过调整分束结构耦合区域中介质柱的半径和折射率，可以实现单、双、三波导功率分束。
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公开(公告)号：CN109889266A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910088926.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516 , H04B17/391 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高斯近似的可见光通信信道的极化编码方法，包括：S2，根据初始化设置的信噪比求出信道的初始似然值，利用高斯逼近量化算法求出每个子信道的对数似然比 根据每个子信道的对数似然比 得到N个子信道的巴氏参数Z(W)，N为设定的极化码的码长；S3，将N个子信道的巴氏参数进行排序，根据码率从排序后的巴氏参数选择出信息位集合和冻结位集合；从而分析出各个子信道的好坏；巴氏参数越小，代表信道的信道容量越大，这样就可以挑选出更优的信道。S4，将信息位集合结合生成矩阵GN；S5，根据生成的矩阵GN将待传输的源信息 线性映射为编码序列完成可见光通信信道下极化码的编码。
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公开(公告)号：CN109742144A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910080310.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。
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