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公开(公告)号：CN106221697B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610596751.3
申请日：2016-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/64
Abstract: 本发明公开了一种Fe3+离子激活铝酸盐近红外长余辉材料，以SrxAlyOx+1.5y为基体材料，基体材料中掺杂0.1～10mol％的Fe3+；其中，1≤x≤4,2≤y≤14。本发明还公开了上述Fe3+离子激活铝酸盐近红外长余辉材料的制备方法，包括以下步骤：(1)称量物料：分别称取碳酸锶、氧化铝、三氧化二铁和助溶剂硼酸；(2)物料经研磨混匀后在空气中于1600℃下煅烧4～10小时。本发明的近红外长余辉材料，余辉带宽为750‑1000纳米，余辉峰位于813纳米，813纳米发光峰的余辉衰减时间长达200分钟，可用做近红外光学生物成像荧光标记物。
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公开(公告)号：CN105713601B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610197015.0
申请日：2016-03-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化物近红外长余辉发光材料，以CaS为基体材料，基体材料中掺杂0.1～10mol％的Tm2O3和0～20mol％的Er2O3。本发明还公开了上述硫化物近红外长余辉发光材料的制备方法，包括以下步骤：(1)称量物料：分别称取硫酸钙、氧化铥和氧化铒；(2)物料经研磨混匀后在还原性气氛中于950℃～1050℃下煅烧4～5小时。本发明的硫化物近红外长余辉发光材料，余辉发光峰位于365、450、704、790、810纳米，810纳米发光峰的余辉衰减时间长达100分钟，可用于近红外光学生物成像用荧光标记。
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公开(公告)号：CN103214183B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310105642.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C3/253 , H01L31/0232 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种下转换玻璃基片,包含Bi2+和Tm3+，由以下氧化物按以下摩尔比组成:65-85%的GeO2、0-15%的MgO、0-15%的Al2O3、0-2%的Bi2O3和0-3%的Tm2O3。本发明还公开了上述下转换玻璃基片的制备方法和应用。本发明下转换玻璃基片，能够吸收450nm-750nm的光，进而发出800nm的光，很好的响应CdTe太阳能电池，将本发明的下转换玻璃基片应用于CdTe太阳能电池，可以同时代替现有CdTe太阳能电池的下转换层和玻璃衬底，提高了太阳能电池的转换效率、提高了封装效率。
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公开(公告)号：CN106244140A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610597706.X
申请日：2016-07-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二价镍离子激活的近红外长余辉纳米材料，以ZnGa2O4为基体材料，掺杂0.1～5mol％的Ni。本发明还公开了上述近红外长余辉纳米材料的制备方法：(1)以醋酸锌，硝酸镓，硝酸镍为原料，将原料加入水和酒精的混合溶液中，在室温下搅拌后加入乙酰丙酮，在室温下搅拌得到混合溶液；(2)将混合溶液干燥，得到湿凝胶；(3)将正丁醇和酒精的混合溶液加入湿凝胶中，反应后干燥，得到干凝胶；(4)干凝胶经研磨后转移到坩埚中，在900-1200℃熔炉中烧2h，得到粉体材料。本发明的近红外长余辉纳米材料余辉带宽为1050-1600纳米，余辉峰位于1250-1350纳米处，能够很好的应用于生物成像领域。
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公开(公告)号：CN106221697A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610596751.3
申请日：2016-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/64
CPC classification number: C09K11/643
Abstract: 本发明公开了一种Fe3+离子激活铝酸盐近红外长余辉材料，以SrxAlyOx+1.5y为基体材料，基体材料中掺杂0.1～10mol％的Fe3+；其中，1≤x≤4,2≤y≤14。本发明还公开了上述Fe3+离子激活铝酸盐近红外长余辉材料的制备方法，包括以下步骤：(1)称量物料：分别称取碳酸锶、氧化铝、三氧化二铁和助溶剂硼酸；(2)物料经研磨混匀后在空气中于1600℃下煅烧4～10小时。本发明的近红外长余辉材料，余辉带宽为750-1000纳米，余辉峰位于813纳米，813纳米发光峰的余辉衰减时间长达200分钟，可用做近红外光学生物成像荧光标记物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105891163A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610203140.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: G01N21/63 , G01J1/16 , G01J2001/1668
Abstract: 本发明公开了一种0.3到2微米范围内长余辉发光强度的测试装置，包括积分球、第一透镜、光栅、滤波片、聚焦透镜、功率计探头、光功率计；长余辉材料测试样品置于积分球内；所述功率计探头在0.3到2微米范围内的吸收率相同；激发光从积分球的入射口入射，焦点位于长余辉材料测试样品上；关闭激发光电源后，长余辉材料测试样品产生的发射光依次经第一透镜变为平行光，再经光栅选光、滤波片滤波、聚焦透镜聚焦后由功率计探头接收，测试结果在光功率计上显示。本发明还公开了基于上述测试装置的测试方法。本发明通过测量光功率的方式来读取相应数据，从而可以比较可见到红外区的长余辉发光强度。
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公开(公告)号：CN104861970B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510160378.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂的钙钛矿结构的近红外长余辉发光材料，基体材料为ABO3，所述A为Ca、Sr或Ba；所述B为Sn或Ti；所述基体材料中掺杂0.001～5mol％的Cr3+。本发明还公开了上述近红外长余辉发光材料的制备方法，包括(1)称量物料：分别称量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物；(2)物料经研磨混匀后在还空气/还原性气氛中预烧后取出，再次研磨后，在空气/还原性气氛中于烧制小时。本发明的近红外长余辉发光材料发射带位于650-850纳米，发射峰位于760纳米，余辉时间长达100分钟；本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，易于大规模技术推广。
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公开(公告)号：CN105062475A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510502489.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法和应用。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650-1000nm波段的近红外长余辉，其发射峰峰位于800nm附近，并都具备一定的余辉发光时间。
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公开(公告)号：CN104861970A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510160378.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂的钙钛矿结构的近红外长余辉发光材料，基体材料为ABO3，所述A为Ca、Sr或Ba；所述B为Sn或Ti；所述基体材料中掺杂0.001～5mol％的Cr3+。本发明还公开了上述近红外长余辉发光材料的制备方法，包括(1)称量物料：分别称量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物；(2)物料经研磨混匀后在还空气/还原性气氛中预烧后取出，再次研磨后，在空气/还原性气氛中于烧制小时。本发明的近红外长余辉发光材料发射带位于650-850纳米，发射峰位于760纳米，余辉时间长达100分钟；本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，易于大规模技术推广。
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公开(公告)号：CN207277884U
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201721251503.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: E04G23/02
Abstract: 本实用新型公开了一种设置预制密孔钢板的混凝土梁加固结构，由内至外依次包括：喷涂在待加固混凝土梁梁底与两侧的一层高性能水泥砂浆粘结层、紧裹住所述高性能水泥砂浆粘结层的预制开密孔U型钢板、喷涂在预制开密孔U型钢板外表面的高性能水泥砂浆保护层，所述预制开密孔U型钢板同时与固定在所述待加固混凝土梁上的锚固螺栓固定连接。本实用新型不仅能增强内外高性能水泥砂浆的粘结能力，还显著提高加固结构的抗腐蚀性能和耐火性能。此外预制开密孔U型钢板对内部的高性能水泥砂浆粘结层和混凝土梁有很好的约束作用，结合高性能水泥砂浆粘结层，显著提升待加固混凝土梁的力学性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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