一种硫化物近红外长余辉发光材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105713601A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201610197015.0

    申请日:2016-03-31

    CPC classification number: C09K11/7768 G01N21/6428

    Abstract: 本发明公开了一种硫化物近红外长余辉发光材料,以CaS为基体材料,基体材料中掺杂0.1~10mol%的Tm2O3和0~20mol%的Er2O3。本发明还公开了上述硫化物近红外长余辉发光材料的制备方法,包括以下步骤:(1)称量物料:分别称取硫酸钙、氧化铥和氧化铒;(2)物料经研磨混匀后在还原性气氛中于950℃~1050℃下煅烧4~5小时。本发明的硫化物近红外长余辉发光材料,余辉发光峰位于365、450、704、790、810纳米,810纳米发光峰的余辉衰减时间长达100分钟,可用于近红外光学生物成像用荧光标记。

    一种硫化物近红外长余辉发光材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105713601B

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201610197015.0

    申请日:2016-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种硫化物近红外长余辉发光材料,以CaS为基体材料,基体材料中掺杂0.1~10mol%的Tm2O3和0~20mol%的Er2O3。本发明还公开了上述硫化物近红外长余辉发光材料的制备方法,包括以下步骤:(1)称量物料:分别称取硫酸钙、氧化铥和氧化铒;(2)物料经研磨混匀后在还原性气氛中于950℃~1050℃下煅烧4~5小时。本发明的硫化物近红外长余辉发光材料,余辉发光峰位于365、450、704、790、810纳米,810纳米发光峰的余辉衰减时间长达100分钟,可用于近红外光学生物成像用荧光标记。

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