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公开(公告)号：CN104673312A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410803569.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铬、钕共掺的镓酸钆近红外长余辉材料，其结构通式为Gdx-mGay-nO(1.5x+1.5y):nCr,mNd，其中，1≤x≤3，1≤y≤7，0.00.1≤n≤0.02，0.001≤m≤0.02。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650～1400nm波段的近红外长余辉，其发射峰分别位于710nm和1064nm，并都具备一定的余辉发光时间。
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公开(公告)号：CN104861970B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510160378.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂的钙钛矿结构的近红外长余辉发光材料，基体材料为ABO3，所述A为Ca、Sr或Ba；所述B为Sn或Ti；所述基体材料中掺杂0.001～5mol％的Cr3+。本发明还公开了上述近红外长余辉发光材料的制备方法，包括(1)称量物料：分别称量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物；(2)物料经研磨混匀后在还空气/还原性气氛中预烧后取出，再次研磨后，在空气/还原性气氛中于烧制小时。本发明的近红外长余辉发光材料发射带位于650-850纳米，发射峰位于760纳米，余辉时间长达100分钟；本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，易于大规模技术推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105062475A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510502489.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法和应用。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650-1000nm波段的近红外长余辉，其发射峰峰位于800nm附近，并都具备一定的余辉发光时间。
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公开(公告)号：CN104861970A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510160378.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂的钙钛矿结构的近红外长余辉发光材料，基体材料为ABO3，所述A为Ca、Sr或Ba；所述B为Sn或Ti；所述基体材料中掺杂0.001～5mol％的Cr3+。本发明还公开了上述近红外长余辉发光材料的制备方法，包括(1)称量物料：分别称量含A化合物、含Ti化合物、含Cr化合物；(2)物料经研磨混匀后在还空气/还原性气氛中预烧后取出，再次研磨后，在空气/还原性气氛中于烧制小时。本发明的近红外长余辉发光材料发射带位于650-850纳米，发射峰位于760纳米，余辉时间长达100分钟；本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，易于大规模技术推广。
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公开(公告)号：CN105062475B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510502489.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法和应用。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650‑1000nm波段的近红外长余辉，其发射峰峰位于800nm附近，并都具备一定的余辉发光时间。
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公开(公告)号：CN104673312B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410803569.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铬、钕共掺的镓酸钆近红外长余辉材料，其结构通式为Gdx‑mGay‑nO(1.5x+1.5y):nCr,mNd，其中，1≤x≤3，1≤y≤7，0.00.1≤n≤0.02，0.001≤m≤0.02。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650～1400nm波段的近红外长余辉，其发射峰分别位于710nm和1064nm，并都具备一定的余辉发光时间。
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