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公开(公告)号：CN109671454B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811364490.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: G11C11/4063 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种差分逻辑存储器行列选择电路和芯片，电路采用单极型金属氧化物薄膜晶体管工艺制造，其包括计数器和译码器；所述计数器由第1至第n个D触发器级联而成；n≥2且n为正整数；所述译码器由第1至第2n个多输入或非门构成；所述第1至第2n个多输入或非门结构相同且均由若干个差分逻辑或门和若干个差分逻辑或非门构成，所述差分逻辑或门和差分逻辑或非门均包括第一至第六n型薄膜晶体管。本发明采用差分逻辑或门和差分逻辑或非门替代伪CMOS逻辑门构成译码器；在稳态时，该差分逻辑或门和差分逻辑或非门不存在电源到地的低阻抗通路，因此静态功耗为零，大大减少了器件的功耗。本发明可以广泛应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN112702062A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011578856.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种有效降低功耗的多位模数转换器，涉及半导体集成电路，针对现有技术中的转换器依赖电阻而造成功耗大延时大的问题提出本方案。温度计码生成模块利用不同尺寸的MOS管调节对应反相器阈值电压，将输入的模拟信号转换成温度计码并输入至反码生成模块；反码生成模块用于根据输入的温度计码对代码转换电路分别输出相同的温度计码及其反码；代码转换电路根据输入的温度计码及其反码转换成若干位的二进制码对外输出。优点在于，模拟信号到温度计码的转换不依赖于电阻完成，所有功能电路均没有静态功耗，因此可以实现更低的功耗以及更低的信号延迟。
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公开(公告)号：CN112068630B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011078088.0
申请日：2020-10-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快速响应的数字低压差稳压器，涉及新一代信息技术。针对现有技术中瞬态响应问题提出本方案，包括：粗调节移位寄存器、粗调PMOS功率管阵列、细调节移位寄存器、细调PMOS功率管阵列、电压死区逻辑单元、第一比较器、电流缓冲器以及带有开关补偿电阻的高通网络；以及对应组成的粗调节数字环路、细调节数字环路和增强型模拟辅助环路。优点在于，在低工作电压中实现快速的瞬态响应。在瞬态响应中，增强型模拟辅助环路可以抽取更多粗调PMOS功率管阵列的栅极电容上的电荷，降低栅极电压，获得更多的瞬态补偿电流，防止输出电压出现大的过冲和下冲。稳定状态下，来自粗调PMOS功率管阵列和细调PMOS功率管阵列的漏极电流之和与负载电流相匹配。
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公开(公告)号：CN112600409A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011408126.4
申请日：2020-12-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种具有正负选通功能的开关电容电压转换器，涉及电荷泵。针对现有技术中不能转换输出负压的问题提出本方案，环形振荡器模块输出两路反相的时钟信号至电压转换器模块，还输出选通信号至正负压选择模块；使得，当选通信号处于正压选通时，正负压选择模块对电压转换器模块输出比例参数n＝2；当选通信号处于负压选通时，正负压选择模块对电压转换器模块输出比例参数n＝‑1；电压转换器模块将输入电压Vin与比例参数n相乘后得到输出电压Vout。优点在于，可以输出正负两种电压，增加了输出范围，提高了开关电容结构的实用性，可以满足很多电路需要不同电压转换器的需求。
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公开(公告)号：CN112332884A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011301744.9
申请日：2020-11-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基射频收发前端结构，涉及5G集成电路领域。针对芯片中央无法打绑定线导致放大器不能实现双侧偏置的问题提出本方案。衬底在间隙设置若干接地通孔，接地通孔沿间隙延伸方向分布；间隙内接地通孔与第一放大器之间设有同向延伸的第一电源总线、接地通孔与第二放大器之间设有同向延伸的第二电源总线；第一放大器靠近间隙的直流偏置端与第一电源总线连接，第二放大器靠近间隙的直流偏置端与第二电源总线连接；第一电源总线和第二电源总线的一端分别延伸至所在芯片的外侧焊盘。优点在于，解决芯片中央不能打绑定线的问题，实现片上并行的放大器都能做到双侧直流偏置，有效提高芯片性能以及稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111967132A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010651063.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质，应用在半导体仿真技术，方法包括：获取所述FET器件的固定参数；获取所述FET器件的目标电学指标参数；配置并初始化所述FET器件的变量参数；根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。本发明可以提高了建模效率。
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公开(公告)号：CN111917397A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010560668.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型晶体管的触发器电路及芯片，其中触发器电路包括三个动态单元；第一个动态单元的第一晶体管的源极作为一个动态单元的第一输出端；第二个动态单元的第二晶体管的栅极连接至第一输出端，第二晶体管的漏极作为第二个动态单元的第二输出端；第三个动态单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第一反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接，第一反相器的输入端与第五晶体管的栅极连接，第四晶体管的漏极与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端作为触发器电路的输出端。本发明的触发器电路与传统的电路相比，器件数目更少，且不需要双电源，降低了电路复杂度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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公开(公告)号：CN110492738A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910728061.2
申请日：2019-08-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种单电感多输出DC-DC降压变换器，涉及直流-直流转换器的技术领域，解决了目前的SIMO控制方法中难以兼顾传输效率、交叉调制和输出纹波的性能要求的技术问题。它包括功率转换单元和i路电荷控制器，还包括锁相环、逻辑单元、驱动单元和输入干路占空比发生单元；所述电荷控制器通过逻辑单元与驱动单元，所述逻辑单元还与锁相环连接，所述锁相环通过输入干路占空比发生单元与驱动单元连接，所述驱动单元与功率转换单元连接。本发明对每一条输出支路使用电荷控制，并且采用锁相环作为周期控制，有效的抑制了每一条支路的交叉调制效应，而且不要求最后一条支路具有足够重的负载，拓宽了负载范围；同时还很好的兼顾了其他性能要求。
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公开(公告)号：CN110490311A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910608727.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于RISC-V架构的卷积神经网络加速装置及其控制方法，所述装置包括：存储器，用于存储数据；主处理器，用于发送拓展指令；协处理器，用于接收主处理器所发送的拓展指令，根据接收到的拓展指令，从存储器中读取输入数据，对输入数据进行分组运算处理，得到输出数据，将所述输出数据存入存储器；所述主处理器还用于从存储器中读取由协处理器存储的输出数据；运算处理包括卷积运算、激活运算和池化运算。本发明由协处理器基于拓展指令执行耗时操作，可以适应大小不同的输入数据，以及灵活地对卷积神经网络的卷积、池化和激活操作进行结合运算，能够适应于多种轻量化卷积神经网络。本发明可以广泛应用于处理器技术领域。
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公开(公告)号：CN110445379A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910628006.6
申请日：2019-07-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种用于无线能量传输系统输出级的直流电平转换器，包括供电电路、buck-boost主体电路、输入输出比较电路、栅极驱动电路、频率产生振荡器、电流检测与过流保护电路、输出调整控制电路；所述供电电路分别与buck-boost主体电路及输入输出比较电路连接，所述输出调整控制电路分别与栅极驱动电路、电流检测与过流保护电路及频率产生振荡器电路连接，所述栅极驱动电路与buck-boost主体电路连接。本发明具有宽输入范围、宽功率范围及高转换效率。
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