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公开(公告)号：CN113161726B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110266726.X
申请日：2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种金属腔体毫米波阵列天线，其包括，8×8天线辐射单元以及金属波导馈电网络，天线阵列由4×4个天线子阵组成。每个子阵包括：金属腔体，开有四个辐射口；金属腔体，用于接收电磁波产生谐振；四个金属块体，与上方四个辐射口共用同一个腔体，形成四个辐射单元。每个金属块上表面都有沿X轴方向的面电流；通过在腔体上方添加金属盖板，每个金属块平行于Y轴的两边与辐射口形成辐射双缝，等效为两个磁流辐射结构。四个辐射单元共用同一个金属腔体和一个馈电耦合缝隙，使天线结构得到简化，天线的厚度小于一个波长，具有低剖面的特性，整个天线为纯金属结构，避免了介质损耗问题，本发明天线具有低剖面、高增益、低损耗和高效率的特性。
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公开(公告)号：CN113480303B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110850519.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H01B3/12 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种铝酸盐基低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，其中微波介质陶瓷的主晶相具有石榴石型晶体结构，具体化学组成为(2+x)CaO‑0.5Ln2O3‑(2‑y)ZrO2‑(x+y)MO2‑1.5Al2O3，Ln为Y、La、Lu、Gd或其它镧系元素，M为Hf、Sn或Ti，0≤x≤0.5，0≤y≤2.0。微波介质陶瓷的介电常数为10.81～13.52，品质因数为72441GHz～121930GHz，谐振频率温度系数为+0.50ppm/℃～‑35.48ppm/℃。在制备过程中陶瓷材料预烧条件为1300℃保温5小时，烧结条件为1500℃～1600℃保温10小时。本发明中制备得到的微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点，适合用于制备介质基板、介质谐振器、介质天线等微波通讯器件。
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公开(公告)号：CN113725600A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111039981.7
申请日：2021-09-06
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明专利公开了一种用于毫米波汽车雷达的MIMO阵列天线，由三层介质材料和四层金属构成。金属层包括辐射层、天线反射层、带状线馈电层和底部地板层。辐射层刻蚀有由组合天线构成的MIMO阵列天线，天线布阵包括沿横向均匀排布阵间距为d的第一至第八接收天线与沿横向均匀排布阵间距为4d的第一至第三发射天线，其中，第二发射天线沿纵向有一个偏移量d。组合天线由网格单元与贴片单元两种形式的辐射单元构成，每个天线由两个以上等距离排列的相同的网格辐射单元组成，网格单元的非辐射边由弯曲弧线代替了传统的直线，辐射边由渐变式微带线代替了传统的同宽度微带线。在网格单元中间的空白区域添加了贴片单元并与单元间连接段组成了串联贴片天线，有效利用了天线面积。本发明专利采用MIMO技术对毫米波雷达阵列天线进行了设计，通过合成的虚拟阵列，一方面实现了雷达俯仰面探测功能，提升了雷达探测的自由度。另一方面拓宽了天线孔径，提高了雷达角分辨率，适合用于毫米波汽车雷达。
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公开(公告)号：CN113480303A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110850519.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种铝酸盐基低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，其中微波介质陶瓷的主晶相具有石榴石型晶体结构，具体化学组成为(2+x)CaO‑0.5Ln2O3‑(2‑y)ZrO2‑(x+y)MO2‑1.5Al2O3，Ln为Y、La、Lu、Gd或其它镧系元素，M为Hf、Sn或Ti，0≤x≤0.5，0≤y≤2.0。微波介质陶瓷的介电常数为10.81～13.52，品质因数为72441GHz～121930GHz，谐振频率温度系数为+0.50ppm/℃～‑35.48ppm/℃。在制备过程中陶瓷材料预烧条件为1300℃保温5小时，烧结条件为1500℃～1600℃保温10小时。本发明中制备得到的微波介质陶瓷具有低介电常数、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点，适合用于制备介质基板、介质谐振器、介质天线等微波通讯器件。
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公开(公告)号：CN112952327A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110265435.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种高带外抑制特性的六腔四零点陶瓷波导滤波器，包括外表面具有导电金属镀层的陶瓷滤波器本体，本体具有调谐孔、耦合槽和容性耦合结构，所述耦合槽为矩形槽，所述容性耦合结构为负耦合盲孔，本发明在六腔陶瓷波导滤波器中通过共用第二、第五谐振腔以及第二、五谐振腔之间的负耦合盲孔，在不增加腔体数量的条件下组成了两个容性耦合CQ单元，产生两对传输零点，并在CQ单元的对角连接处引入矩形槽，形成对角耦合，有效调整两对传输零点位置，改善传输曲线的对称性，具有小体积、轻质量、高带外抑制特性等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112201962A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010956157.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于天线阵列装置技术领域，具体公开了一种应用于阵列天线雷达散射截面积缩减的反射板，反射板为平面结构，包括多种不同反射相位的人工磁导体结构单元；其中，多个相同的、反射相位最小的人工磁导体结构单元组成正方形，位于反射板的中心；其它各种反射相位分别对应的多个相同的人工磁导体结构单元组成正方形环，并按照反射相位递增的顺序逐层向外镶套；反射板上各人工磁导体结构单元之间的反射相位满足：各单元处反射的电磁波的等相位面相交于空间中同一个点。本发明使用基于人工磁导体结构的反射相位调控的平面反射板替代传统的金属平面反射板，结构简单，可应用于阵列天线中，在保证RCS缩减效果良好的同时，对阵列天线的增益有一定提高。
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公开(公告)号：CN107602129B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710948634.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , B28B1/29
Abstract: 本发明公开了一种SiC的水基流延制备方法，包括如下步骤：将陶瓷粉体与PH＝10的氨水、分散剂混合球磨，得同质陶瓷浆料；按比例向所得的同质陶瓷浆料内加入粘结剂、增塑剂和表面活性剂，进行二次球磨，得陶瓷浆料；对所得的陶瓷浆料依次进行除泡、流延、干燥以及揭膜、裁剪处理；所述粘结剂为质量分数为7％的PVA，所述PVA的添加量为陶瓷粉体质量的8％，所述分散剂为四甲基氢氧化氨(TMAH)，所述表面活性剂为Surfynol SE‑F，Surfynol SE‑F的添加量为陶瓷浆料总质量的3％；所述增塑剂为甘油。本发明所得的SiC膜片具有良好的延展性、韧性和均匀性，且具有一定抗拉强度。
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公开(公告)号：CN110350275A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910529234.8
申请日：2019-06-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种4模SIW双通带滤波器，自下而上包括接地金属层、介质基板(1)及上金属层，在上金属层内设置有输入、输出耦合结构，通过设置金属化过孔利用在介质基板上被侧壁金属化过孔阵列(5)包围形成的区域与介质基板耦合金属化过孔阵列(6)、介质基板4n个微扰金属化过孔(7)由此配合构成SIW谐振腔结构。本发明通过对滤波器器件关键的内部构造及细节结构设置等进行改进，尤其通过设置微扰金属化过孔，与侧壁金属化过孔阵列、耦合金属化过孔阵列配合作用，得到的基于4模SIW谐振腔的双通带滤波器，采用单谐振腔结构，且具有两个双模工作的通带，三个传输零点，通带内插入损耗低，易于加工等特点。
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公开(公告)号：CN110336105A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910487302.9
申请日：2019-06-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波器领域，公开了一种加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器，包括第二层金属印刷层(1)、介质基板(2)、第一层金属印刷层(3)、2条微带线(4)，并形成有多个长方形金属印刷区域(6-2)，这些长方形金属印刷区域的投影整体以第一层金属印刷层(3)长方形投影中平行于长方形宽度方向的中心线呈轴对称形状；正是利用这些长方形金属印刷区域对应的方盘结构，构建得到加载方盘型SSPP结构的SIW带通滤波器。本发明通过对器件内部各个组件的结构及其设置方式等进行改进，得到加载方盘型SSPP结构的基片集成波导带通滤波器，与现有技术相比能够有效解决SPP-SIW带通滤波器的尺寸较大，加载缺陷型SIW带通滤波器带内损耗较差的问题。
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公开(公告)号：CN109066065A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810808799.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种低剖面LTCC毫米波双极化天线，包括：基片集成腔下表面设置十字交叉的第一缝隙和第二缝隙；上层波导的下表面设置第三缝隙；过渡结构下表面设置第四缝隙；由第一端口输入的电磁波在上层基片集成波导传输，通过第一缝隙耦合进入基片集成腔，并产生第一方向极化；由第二端口输入的电磁波通过下层波导传输，通过第四、第三缝隙耦合进入上层波导，通过第二缝隙耦合进入基片集成腔，并产生第二方向极化；当天线接收第一方向电磁波时，电磁能量通过第一缝隙进入上层波导；当天线接收第二方向电磁波时，电磁能量通过第二缝隙进入上层基片集成波导，并且通过第三、第四缝隙耦合进入下层波导。本发明实现双极天线的高增益、宽频带和高隔离度。
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