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公开(公告)号：CN107539976A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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