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公开(公告)号：CN114226901B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
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公开(公告)号：CN114012538B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN114211075A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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公开(公告)号：CN113533114A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110803937.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热解原理的漆包线热解方法，属于漆包线热解技术领域。具体包括以下步骤：步骤(1)：通过热重分析获得漆包线的热重曲线和差热重曲线，从中得出漆包线热解温度区间；步骤(2)：根据化学反应速率表达式、反应速率常数与温度的关系式和线性升温公式，结合转化率与温度之间的关系和FWO热动力学计算方法，求得漆包线热解反应活化能；步骤(3)：对漆包线进行热解，通过FTIR分析对热解固体产物进行表征；步骤(4)：通过TG‑FTIR分析表征了漆包线在不同温度下热解气体产物的官能团，并以此优化热解工艺方案。
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公开(公告)号：CN113523649A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110824377.9
申请日：2021-07-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种复合焊膏的制备方法，属于电子封装连接材料技术领域。该复合焊膏按重量份计包括以下原料：银包铜核壳微/纳米混合颗粒80～90份、分散剂A2～8份、粘结剂2～8份、稀释剂2～8份、助焊剂2～8份。其中含有的银包铜核壳微/纳米混合颗粒采用一步液相还原法制备出微米和纳米混合的异种尺度铜颗粒，随后通过化学镀制备而成，具有制备方法简单，成本相对较低、生产效率高的特点，制成焊膏后，纳米颗粒超高的比表面能为其烧结连接过程提供更大的烧结驱动力，并且可以显著降低烧结温度，有效克服微纳米铜易氧化的缺点，具有开发潜能和应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110791746A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911086230.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种液态合金快速填充垂直硅通孔的方法及装置涉及微电子封装领域。其中填充材料为焊料合金，预先在TSV硅片表面及盲孔内化学气相沉积一层二氧化硅绝缘层，再使用物理气相在孔壁上沉积钛阻挡层，最后在沉积了二氧化硅的硅片表面化学电镀一层铜作为润湿层，将上述得到的硅片放置于真空室中，加热合金使其熔化，由于焊料合金与铜之间的润湿性，合金熔化后与硅片完全接触时加压，加压后保持真空室内的压力，待温度冷却后完成填充。本发明可提高硅通孔TSV的填充效率，完成焊料合金对于高深宽比盲孔TSV的无孔洞填充。合金与TSV孔壁之间结合牢固且填充工艺简单。TSV快速填充装置，包括真空出口，氮气入口，出口和入口均有阀门控制。压力表，反应室，加热装置，温度显示装置。
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公开(公告)号：CN109470699A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811194876.9
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N21/84 , G01N21/95 , G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 一种TSV电镀铜填充效果的测试方法属于材料制备与连接领域。包括步骤1：将化学机械抛光后的TSV晶圆样品切割取样，并将取自晶圆上不同区域的TSV样品置于坩埚中；步骤2：随后将坩埚放入管式炉中，并在管式炉中通入氩气作为保护气体；以10℃/min的升温速度将管式炉中的温度升至后保温；保温过程完成后，关闭管式炉加热装置，保持样品仍然在氩气保护下放置于管式炉的石英管中。打开管式炉保温炉盖，将石英管以及其中的TSV样品进行空气冷却。步骤3：当管式炉中的温度降低至室温后，解除石英管的密封状态，将石英管中的样品取出，在金相显微镜下观察。本发明分析周期短，有效方便、费用低，可以节约时间和成本。
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公开(公告)号：CN109396768A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811501378.4
申请日：2018-12-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 施加瞬时脉冲电场制备微型多晶焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于在瞬时脉冲电场条件下制备微型线性对接多晶焊点，采用一维线性铜棒作为焊盘，将其用双面胶固定于模具上，并用模具上的导电压片对其进行固定，在两个铜棒之间填入无铅钎料焊膏，在两根铜棒分别接入瞬时脉冲电源的两端，采用无铅焊接系统对焊缝处进行焊接，制备微型线性对接多晶焊点，经过磨抛，获得焊点表面的显微组织特征，并可进行进一步的电学，力学及热学可靠性研究。该方法能够保证焊点在焊接过程中稳定处于电场环境，在电流作用下可形成多个晶粒焊点，能缓解由于Sn基焊点各向异性导致的元器件的失效问题，同时该实验平台的搭建大大降低了制备成本，工艺简单可行。
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公开(公告)号：CN109030235A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811114872.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01N3/18 , B23K1/00 , B23K1/20 , G01N2203/0017 , G01N2203/0226 , G01N2203/0228 , G01N2203/0296 , G01R31/003
Abstract: 力热电耦合条件下微型焊点的制备及测试方法，属于材料制备与连接领域。在两个铜棒之间填入Sn基无铅钎料焊膏，采用无铅焊接系统对其进行焊接，经过磨抛，获得一维线性对接焊点；在远离焊点的铜棒两端涂覆一层阻焊层，通过拉伸机控制系统，调节加载在焊点上的应力载荷；在靠近焊点两侧的铜棒上控制电源的正负极从而控制通过焊点的电流方向，维持焊点的通电状态，通过调节通过焊点电流的大小，根据焊点截面面积，能够控制通过焊点的电流密度；此外，通过调节拉伸机箱体内的环境温度，可实现对焊点服役环境温度控制。该方法能够有效控制焊点的一维线性特征，能够同时实现力热电耦合条件下对焊点的测试，并可以同时控制应力载荷，电流密度和服役环境温度。
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公开(公告)号：CN103111700A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310055780.5
申请日：2013-02-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 微型钎焊搭接接头及搭接方法，属于材料连接技术领域，为两个狗骨头状的薄片铜基板通过钎焊搭接在一起，铜基板的一端细长，作为颈部，另一端宽，作为尾部，在尾部中心位置打孔，铜基板厚度为0.2mm-0.6mm，颈部宽度0.5mm-1mm，尾部宽度3mm-5mm，尾部打孔位置在铜基板中心线上，距末端2mm-5mm均可，打孔的孔直径保持在0.8mm-2.5mm之间。搭接方法：首先将铜基板放入刷膏模具中，然后将网板覆盖在刷膏模具上进行网孔对位，接着将焊膏涂覆到网孔中，取走网板、取出铜基板，另取一个未涂敷焊膏的铜基板搭接后放入回流焊炉中进行焊接。本发明能够保证焊接接头的尺寸；一次成型数量多。
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