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公开(公告)号：CN112505526A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011419790.9
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库；其次，基于校温曲线，在不同的测试电流下，测得多个温度值；再次，计算不同测试电流测的温度之间的差值；最后，根据温度阈值与所测温度差值对比，即可在不破坏模块封装的情况下判别模块的温度分布情况。避免了在实际工程中无法判别模块内部温度分布均匀程度是否可以达标的问题。
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公开(公告)号：CN111289562A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010250313.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
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公开(公告)号：CN110673009A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910974943.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅-漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源-漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
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公开(公告)号：CN110412447A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910681433.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种无损测量IGBT模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度的方法，首先在不同温度下，测量模块温度均匀时的阈值电压和开通延迟时间，获得校温曲线库；然后在模块工作条件下，测量阈值电压和开通延迟时间；最后将测量值与校温曲线库进行对比，分别获得模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。IGBT芯片并联是提高大容量变换器输出电流的有效途径，然而，各个芯片散热条件的差异将会导致IGBT模块并联芯片中芯片温度不均匀，造成模块的静态不均流和动态不均流，严重影响模块的开关特性，导致某个芯片在开通关断瞬间承担过大电流，极易烧毁芯片，影响整个模块可靠运行；本方法可以测量模块并联芯片中最高芯片温度和最低芯片温度。
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公开(公告)号：CN106409818B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610905648.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台使工业蜡融化并粘合玻璃片与PZT，而后用金刚砂可以将衬底厚度约为500μm的刚性PZT器件减薄到100μm厚从而成为柔性PZT，再利用少量化学试剂可以去除粘附在器件表面的残留工业蜡。该方法原理简单、成本低廉、安全可靠，相比于其他方法可以更快更安全地得到柔性铁电薄膜器件，同时不会失去其优良的电学特性，且该柔性器件在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105241921B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510753767.6
申请日：2015-11-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种无损测量行波管热阻构成的方法及装置，涉及微波真空电子器件检测技术领域。所述装置包括：热阻测试仪、测试探头和被测行波管。所述方法包括：将测试探头放入被测行波管的螺旋线内，测试二极管在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到螺旋线，并经陶瓷夹持杆、管壳散热到周围环境，采集卡采集到加热过程中测试二极管的电学温敏参数的变化，并经计算得到被测行波管的散热通道的热阻构成。本发明实现了非破坏性地测量行波管的热阻构成并定点研究其散热情况，检测散热能力，测量无损伤、周期短、精度高、成本低，较现有技术有着明显的突破性。
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公开(公告)号：CN107622958A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710820324.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计算进了温度响应曲线中。本申请针对这一瞬态温度变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态升温曲线测量之前设计了测量恒温时肖特基结结电压在正向小电流下其结电压变化的步骤，利用这一测量结果对最终的测温结果进行修正。该方法可以很好的修正正向测试电流对结电压的影响，从而达到精确测量器件热响应曲线，获取更客观的纵向热阻构成。
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公开(公告)号：CN107367655A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710665581.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置，属于微波真空电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪、加热探头、测试探头和被测行波管收集极。将测试探头放在被测行波管收集极两侧的对称位置，加热探头放置在行波管收集极上方，在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到行波管收集极，然后经收集极管壳散热到周围环境，两侧测试探头的电学温敏参数变化经采集卡采集，得到两侧测试探头温度上升曲线对比，并经计算得到行波管收集极整体热阻和两侧散热性能差异，从而得出行波管收集极焊接的好坏。本发明实现了非破坏性地检测行波管收集极的散热特性，测量无损伤、周期短、精度高、成本低。
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公开(公告)号：CN106501699A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610918317.2
申请日：2016-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2619
Abstract: 一种饱和状态下双极晶体管结温的实时测量方法，本发明涉及半导体器件测试领域。本发明提供恒定的基极电压和恒定的集电极电流，使双极晶体管工作在饱和区条件下，测出基极电流Ibe和集电极电流Ice，计算出总功率P＝Vbe*Ibe+Vce*Ice，Vbe为基极电压，Vce为集电极电压；利用数值分析中的插值计算做出电流、功率和温度对应关系的结温库，根据测量的基极电流和总功率即可在结温库中得出对应的结温。测出双极晶体管工作在饱和区时的结温，测量方法简单准确，利用插值计算做出结温库后，只需测出基极电流和计算出总功率，在结温库中就可以找到对应的结温。无需测试电流和工作电流的切换，消除开关造成的延迟而导致结温测量不准确。
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公开(公告)号：CN103616628B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310591383.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置属于微电子技术中，半导体器件测量技术领域。本发明设计了控制信号控制的快速切换开关；漏源电压切断与栅压由反偏转为正偏的延时精确地由FPGA控制模块设定及输出；正向测试电流下，肖特基结电压的稳态过程与器件自身电容和测试电流值相关，通过采用恒温下，结电压的建立过程，作为恒温参考结电压，减小计算工作下温升的延时误差；采用FPGA设计了漏源电压、漏源电流、栅源电压的采集和设定功能，可以实现小于毫秒级时间的反馈功能，可以有效保护器件由于振荡或误操作带来的器件烧毁。
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