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公开(公告)号：CN114300939A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111628631.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高光束质量VCSEL结构及制备方法，VCSEL芯片外延结构包括上下依次设置的P型DBR层、氧化层、P型波导层、半导体多量子阱层、N型波导层、N型DBR层和衬底层；P型DBR层的上表面刻蚀形成有光子晶体结构、侧面通过离子注入形成有离子注入电流抑制区，氧化层的中部形成有氧化孔；VCSEL芯片外延结构的顶部或底部设有光学谐振外腔。本发明首先将VCSEL器件中的电流限制效应(氧化孔+离子注入电流抑制区)与光学限制效应(光子晶体结构)解耦，并通过增加光学谐振外腔可建立发光单元间确定的位相关系，提高激光光束质量，最后输出窄线宽高光束质量激光。
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公开(公告)号：CN109490253B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811600516.4
申请日：2018-12-26
Abstract: 本发明公开了一种新型模拟自然光双向反射分布函数测试装置，包括：测试光源、测试室和信号处理系统；测试光源包括卤素灯光源和可见光超连续谱激光光源，卤素灯光源经准直后的光束、可见光超连续谱激光光源的激光束经多层介质膜光栅后合为一合束光；合束光入射至测试室内的待测样品上，经待测样品散射后，散射光信号被测试室内的光电探测器接收，光电探测器输出信号至信号处理系统进行处理，得到待测样品的双向反射分布函数。本发明可选择被样品吸收率较低的卤素灯光源或可见光超连续谱激光光源作为测试光源，降低光学系统误差；可见光超连续谱激光光源在测试时可直接照射到待测样品上，无需进行准直，入射光照度光学系统误差和测量值误差较小。
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公开(公告)号：CN111751802B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010733594.2
申请日：2020-07-27
Abstract: 本发明公开了一种光子级自适应高灵敏度空间微弱目标探测系统及探测方法，包括：激光发射单元，用于向目标探测区域发射自适应调频单模激光，辐照目标探测区域中的空间微弱目标；目标反射激光脉冲，产生反射回波光信号；探测单元，用于对回波光信号进行滤波聚焦后分成若干路信号，分别对各路信号进行光电转换得到与各路信号对应的电信号；数据采集处理单元，用于根据若干路电信号区分探测目标的类型和大小信息以及目标的距离信息；控制单元，用于根据目标的类型和大小信息以及目标的距离信息自适应调节激光发射单元的激光脉冲的频率、功率、脉冲宽度。本发明可进一步提升信号光与噪声的区分度，达到精准探测目标的目的。
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公开(公告)号：CN108878459B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810731856.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基单片横向集成HBT和CMOS的外延结构及制备方法，该外延结构由横向集成在同一SOI衬底上的多个GaAs基HBT和多个CMOS构成；制备方法为：在SOI衬底基础上生长InGaAs缓冲层，再在InGaAs缓冲层上依次生长各层得到HBT，在HBT上生长InGaP腐蚀隔离层，然后再经过图案化；在SOI衬底上形成HBT外延结构区和SOI表面Si层，在露出的SOI表面Si层区域，生长CMOS结构；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片横向集成SOI基HBT和CMOS器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN111751328B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010651854.1
申请日：2020-07-08
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种快速测量高反光空间目标材质的方法，包括：超连续谱激光光源经过实验系统光路准直后入射到待测样品上；超连续谱激光经待测样品散射后，散射光信号被光电探测器接收；光电探测器输出信号至信号处理系统进行处理，得到待测样品的激光雷达散射截面；基于激光雷达散射截面和双向反射分布函数之间的函数关系，获得待测样品表面的双向反射分布函数；将获得的双向反射分布函数在已有的双向反射分布函数特征库中进行匹配，识别出待测样品的表面材料。本发明可以快速计算太阳光照射下被测材质的双向反射分布函数，基于双向反射分布函数特征库进行匹配分析，可识别出待测样品的表面材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112332210A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011204353.5
申请日：2020-11-02
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底散热的VCSEL阵列芯片封装结构，包括：自顶部至底部依次设置的顶发射VCSEL阵列芯片、衬底层、焊料层和热沉；衬底层被刻蚀为片状结构，焊料层上设有过水结构，热沉上设有过水槽、进水口和至少一个出水口；片状结构、过水结构和过水槽构成了连续的水冷通道，水冷通道具有一个进水端和至少一个出水端；水冷通道的进水端与进水口相连、至少一个出水端与至少一个出水口对应相连。本发明使用水流散热系统代替传统的固体热沉散热片装置，将水冷和固体热沉相结合，弥补了传统的固体热沉散热片装置在工作一段时间后散热效果变差的缺陷，有效地改善了顶发射VCSEL阵列芯片散热问题。
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公开(公告)号：CN112310804A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011196037.8
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种带相位补偿层的VCSEL结构及制备方法，该激光器将周期分布的激光器产生的光场，经Talbot外腔和相位补偿单元，对同相模和反相模进行相位补偿，得到同相位输出的激光束。在二维二极管激光阵列的发光面设有Talbot激光外腔，Talbot激光外腔的输出端设有相位补偿膜；Talbot激光外腔的厚度d为：式中，ZT为Talbot距离，N为正整数；相位补偿膜相对应Talbot激光外腔输出端同相模的位置处设有沟槽结构。本发明通过相位补偿膜的沟槽结构使相对相位增加π/4，最终相位与二维二极管激光阵列中初始相位为0的二极管激光器输出相位相同。本发明能够对反相模进行相位补偿，得到同相位输出光束，且工艺过程简单，易于制作。
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公开(公告)号：CN112289881A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011164078.9
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种GaInP/GaAs/Ge/Si四结太阳能电池及其制备方法，太阳能电池自下而成依次包括：Si衬底、Si子电池、Ge膜、Ge子电池、GaAs子电池和GaInP子电池；GaInP子电池顶部AlInP或者GaInP第三窗口层的部分上表面设有GaAs或者InGaAs接触层和上电极，Ge膜底部设有下电极；制备方法包括Si衬底的制备与Si子电池的外延生长，Ge膜的键合与薄膜剥离，Ge子电池的制备，GaAs子电池的制备，GaInP子电池的制备，接触层的制备，解键合，腐蚀SiO2层，光刻，制备上下电极。本发明主要利用晶圆键合和离子注入的方式降低器件制备的成本，提高太阳能芯片光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111751328A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010651854.1
申请日：2020-07-08
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种快速测量高反光空间目标材质的方法，包括：超连续谱激光光源经过实验系统光路准直后入射到待测样品上；超连续谱激光经待测样品散射后，散射光信号被光电探测器接收；光电探测器输出信号至信号处理系统进行处理，得到待测样品的激光雷达散射截面；基于激光雷达散射截面和双向反射分布函数之间的函数关系，获得待测样品表面的双向反射分布函数；将获得的双向反射分布函数在已有的双向反射分布函数特征库中进行匹配，识别出待测样品的表面材料。本发明可以快速计算太阳光照射下被测材质的双向反射分布函数，基于双向反射分布函数特征库进行匹配分析，可识别出待测样品的表面材料。
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公开(公告)号：CN110491826B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910703731.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上。本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。
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