公开(公告)号：CN102881562A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210383308.X

申请日：2012-10-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  林猛 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备MOS电容或器件。本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。

公开(公告)号：CN102655112A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210115455.9

申请日：2012-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。