公开(公告)号：CN102320549B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN103789824A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410028449.9

申请日：2014-01-22

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 左然 ,  刘鹏 ,  童玉珍 ,  张国义

IPC: C30B25/10

Abstract: 本发明公开了一种用于多片式氢化物气相外延（HVPE）反应器的光辅助加热系统，包括：放置在反应器内部、石墨衬底正上方的红外灯加热器，放置在反应器外底部、石墨衬底正下方的红外灯加热器，放置在反应器外部、石墨衬底侧上方或侧下方的包围着反应器石英管一圈的红外灯加热器，以及包围着反应器石英管其余部分的电阻丝加热器。本发明提出的光辅助加热系统能够快速均匀地加热衬底温度，特别是能够满足均匀加热大面积衬底的要求。

公开(公告)号：CN103094174A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210559395.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  廉宗隅

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种操作简易的晶片夹具，可以提高工作效率、节省人力成本、提高夹持工序的安全性。本发明包含有2个及以上的夹臂和夹头，夹臂之间相互连接形成连接端，夹臂另一端的自由端安装衔接有夹头，其中一个夹臂上安装一个以上夹头，夹臂中一些夹臂在夹取操作中其位置相对固定不变，为固定夹臂，另外的夹臂则相对于固定夹臂其位置在变动，为运动夹臂；运动夹臂带动夹头向固定夹臂移动，固定夹臂在夹具的夹取中起到定位作用。本发明操作简单容易，提高设备定位精度，简化设备控制系统的复杂程度，进而降低成本。

公开(公告)号：CN103060906A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310012395.2

申请日：2013-01-14

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张俊业 ,  刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  袁志鹏 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。

公开(公告)号：CN102935995A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210397861.9

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需要专用的低应力材料的生产设备，能够在满足MEMS可动结构和IC单片集成的需求的同时，保证集成电路部分MOS管的阈值对称性。

公开(公告)号：CN102320549A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110214390.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 严远 ,  杨芳 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  张大成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提高薄膜应变线性度的方法，在平面薄膜的表面布置两组相互垂直的加强肋，每组包括一条或多条加强肋，多条加强肋之间相互平行，均匀分布在薄膜表面。相对于相同灵敏度的普通平面薄膜，设有加强肋的薄膜非线性度大大减小。

公开(公告)号：CN101962803A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010526918.1

申请日：2010-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜彦浩 ,  吴洁君 ,  张国义 ,  于彤军 ,  杨志坚 ,  康香宁 ,  贾传宇 ,  孙永健 ,  罗伟科 ,  刘鹏

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件；以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段；生长材料达到预定厚度时停止生长；以及将材料的生长效果作为反馈，调整质量调制幅度参数，确定下次材料的生长条件。本发明解决了材料异质外延的两个主要问题，兼顾了材料质量的提高和应力的有效释放，并引入了控制参数质量调制幅度，实现对质量和应力的有效控制，能够良好地实现高质量单晶厚膜材料的异质外延。

公开(公告)号：CN116029474A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310092055.9

申请日：2023-02-10

Applicant: 国网上海能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司宁波供电公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  北京大学 ,  国家电网有限公司

Inventor： 杜建 ,  陆一鸣 ,  徐重酉 ,  黄雨 ,  宋晓阳 ,  孙雯雯 ,  刘鹏 ,  王国庆 ,  谭璐

IPC: G06Q10/047 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明涉及一种面向模型扩展的配网信息模型搜索展示方法和系统，其中，方法包括：确定目标节点，基于广度优先搜索算法得到初始节点与目标节点之间的最短路径；根据所述最短路径中各相邻节点之间的关系简化所述最短路径，得到初始节点与目标节点之间最简的连接关系，并进行展示。本发明能够实现对配网信息模型中有效信息的提取以及隐含信息的挖掘。

公开(公告)号：CN113651523B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111212735.7

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖云峰 ,  姚璐 ,  刘鹏 ,  龚旗煌

IPC: C03B20/00 ,  C03C23/00 ,  G02F1/35

Abstract: 本发明涉及回音壁微腔制备技术领域，提供一种超高品质因子微棒腔制备装置及方法，该超高品质因子微棒腔制备装置包括二氧化碳激光器，用以向样棒发射熔融激光；旋转电机，所述旋转电机的输出端设有转轴，所述转轴用以同轴装配所述样棒；步进位移台，所述旋转电机设于所述步进位移台上，所述步进位移台可沿所述转轴的轴向移动；控制器，所述控制器分别与所述二氧化碳激光器、所述旋转电机和所述步进位移台电连接。本发明通过控制器自动控制二氧化碳激光器、旋转电机和步进位移台，结构简单，实现对样棒自动加工制备微棒腔，保证微棒腔的鲁棒性，提高制备效率。

公开(公告)号：CN113651523A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202111212735.7

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 肖云峰 ,  姚璐 ,  刘鹏 ,  龚旗煌

IPC: C03B20/00 ,  C03C23/00 ,  G02F1/35

Abstract: 本发明涉及回音壁微腔制备技术领域，提供一种超高品质因子微棒腔制备装置及方法，该超高品质因子微棒腔制备装置包括二氧化碳激光器，用以向样棒发射熔融激光；旋转电机，所述旋转电机的输出端设有转轴，所述转轴用以同轴装配所述样棒；步进位移台，所述旋转电机设于所述步进位移台上，所述步进位移台可沿所述转轴的轴向移动；控制器，所述控制器分别与所述二氧化碳激光器、所述旋转电机和所述步进位移台电连接。本发明通过控制器自动控制二氧化碳激光器、旋转电机和步进位移台，结构简单，实现对样棒自动加工制备微棒腔，保证微棒腔的鲁棒性，提高制备效率。