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公开(公告)号：CN105846310B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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公开(公告)号：CN104733561B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510127695.4
申请日：2015-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118524775B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410988745.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。
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公开(公告)号：CN118678351A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410875798.8
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H04W12/06 , H04W12/041 , H04W12/0471 , H04L9/08 , H04L9/40 , H04L67/141
Abstract: 本发明公开了一种通用的三方口令认证密钥交换方法。本发明可以将任意安全的两方口令认证协议转换为安全的三方认证协议；允许服务器S通过增强的非对称口令认证协议理想功能#imgabs0#和安全信道理想功能#imgabs1#分别与用户U和服务节点SN建立会话密钥。本发明可以兼容无线传感器网络、物联网、智能电网、智能家居等多种网络环境，支持运算性能较低的传感器节点等参与认证。利用本发明提供的技术方案，在新的网络应用出现时，当网络结构不发生变化时，协议设计者无需设计新协议，可以充分利用之前设计的协议。
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公开(公告)号：CN115913561B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211175419.1
申请日：2022-09-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种面向泄露检测的口令认证方法。本发明为每个用户设置t‑1个蜜口令，利用口令认证密钥交换协议与服务器进行通信，保证服务器能在未获得原始用户口令的前提下生成蜜口令；并将由蜜口令和用户真实口令生成的验证项共同存储在服务器内。如果攻击者窃取了服务器存储的口令文件，攻击者无法分辨蜜口令和用户真实口令，攻击者可能以#imgabs0#的概率采用蜜口令登录，由此攻击行为可以被服务器检测出来，并报告口令文件泄露。本发明实现了honeyword和PAKE的优势结合，既阻止了外部攻击者通过离线猜测攻击者获取用户真实口令，也防止了内部攻击者通过会话监测等方式窃取口令明文。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118231545B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410660149.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京大学 , 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。
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公开(公告)号：CN118303899A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410723979.9
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京大学 , 上海明略人工智能(集团)有限公司 , 上海人工智能创新中心
Abstract: 本申请涉及一种脑电信号处理方法、装置、设备及计算机可读介质。该方法包括：在检测到目标视频开始播放时，采集观看目标视频的第一对象的脑电信号，并记录脑电信号的采集时间；获取目标视频的场景切分信息，其中，目标视频的内容包含多个场景，场景切分信息包括目标视频的每个场景的起止时间；将每个场景的起止时间与脑电信号的采集时间对齐，以获得与目标视频的场景匹配的脑电信号片段；分别计算每个脑电信号片段的脑电指标，以基于脑电信号分析第一对象观看目标视频时，第一对象对每个场景的认知投入和情绪反应。本申请解决了视频内容与脑电信号时间轴不同步且缺乏对视频内容的逻辑和结构的考虑的技术问题。
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公开(公告)号：CN116137710B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111360908.X
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H04W12/06 , H04W12/041 , H04W12/0471 , H04L9/08 , H04L9/40 , H04L67/141
Abstract: 本发明公开了一种通用的三方口令认证密钥交换方法。本发明可以将任意安全的两方口令认证协议转换为安全的三方认证协议；允许服务器S通过增强的非对称口令认证协议理想功能#imgabs0#和安全信道理想功能#imgabs1#分别与用户U和服务节点SN建立会话密钥。本发明可以兼容无线传感器网络、物联网、智能电网、智能家居等多种网络环境，支持运算性能较低的传感器节点等参与认证。利用本发明提供的技术方案，在新的网络应用出现时，当网络结构不发生变化时，协议设计者无需设计新协议，可以充分利用之前设计的协议。
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公开(公告)号：CN117535790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410033428.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下原位产生声表面波，从而辅助分子外延生长。
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公开(公告)号：CN117228641A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311524764.6
申请日：2023-11-16
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 本发明公开了一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用离子注入和热退火工艺，得到补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜；本发明既能够通过大剂量、大能量和高深度的近下表面氮离子注入，解决由于应力引起的下表面附近的大量的氮空位缺陷，又能够通过多次氮离子注入方式，在整个氮化物铁电薄膜中实现均匀分布的氮浓度，解决整个氮化物铁电薄膜中的氮空位；本发明有效解决氮化物铁电薄膜中的氮空位问题，具有显著地漏电抑制作用，提高氮化物铁电薄膜的寿命和可靠性，同时降低相关器件能耗，使得氮化物铁电氮化物铁电薄膜能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件中。
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