-
公开(公告)号：CN115832122B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211331536.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法。本发明采用图形化掩模板，图形化掩模板具有多个互相平行且均平行于掩膜基体晶向的带状的通孔，通过图形化掩模板依次沉积BON、BN和AlN，化学刻蚀得到复合平片结构后，沉积AlN平层，再高温退火热处理，重结晶形成单晶的具有图形化的h‑BN和h‑BON，构成二维晶体过渡层；采用的材料体系的外延工艺兼容，能够采用通用设备制造，工艺简单，设备需求低；通过高温退火和高温诱导重结晶等方案制备高质量AlN复合衬底，通过图形化的h‑BN和h‑BN有效弛豫外延衬底和上层AlN的界面失配问题，能够实现对上层AlN薄膜和AlN平层应力状态与晶体质量的有效调控，适于大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN116031277A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310082708.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示芯片单元包含红光、绿光和蓝光微型发光二极管显示像素，极大地简化三基色微型发光二极管向显示面板的转移工艺，提高了显示面板的成品率；三基色微型发光二极管显示像素集中分布在同一芯片单元上，便于缩小三基色像素之间的间距，增强混光效果；同时单片集成芯片提高了发光区域的面积占比，有利于提高微型发光二极管显示器的分辨率；三基色微型发光二极管由相同材料构成，并在同一衬底上外延制备获得，三基色微型发光二极管独立可控，有利于提高芯片间的发光一致性和显色性能；与现有的发光二极管的芯片工艺流程兼容，易于将本发明直接应用到大规模的工业生产。
-
公开(公告)号：CN116017821A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211595399.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
IPC: H05B47/125 , G06V10/764 , G06V10/82 , H05B47/165 , H05B45/10 , H05B45/20 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开一种AI图像识别智能控制植物光照装置，包括图像采集组件、图像识别与处理系统、数据存储与样本匹配模块、智能驱动模块及电源系统、植物光照LED光源系统组件、LED光照装置外壳及散热系统。本发明植物光照装置通过采集的植物图像通过识别与处理系统智能模块的数据处理，再传输复制到数据存储与样本匹配模块进行植物种类和生长形态的识别和判定处理，再输出相对应的数字信号到智能驱动模块及电源系统进行植物照明PWM调光调色，调节白光、蓝光、红光和紫外光的光谱、光强、光质。利用LED植物灯的融入的植物图像识别与处理系统来控制该植物的各种光照参数信息，使植物光合作用的需求的参数更加的精确、高效。
-
公开(公告)号：CN112542533B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011380972.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高反射率倒装结构深紫外micro‑LED及其制备方法。本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射，从而大幅度提高了UV LED中紫外光的光提取效率；本发明灵活性强，兼容面内、垂直结构的倒装micro‑LED、mini‑LED等，有利于改善器件性能，实现批量生产。
-
公开(公告)号：CN115881863A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211655380.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831746A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211630556.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/265 , H01L23/373 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构；利用离子注入形成离子掩埋层；进行源电极和漏电极制作；进行栅电极制作；淀积氮化硅介质层；沉积金刚石材料层，加热过程中，外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石/氮化镓薄层器件；利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度，实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上，利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底，解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。
-
公开(公告)号：CN115579280A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211239724.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用多层二维晶体掩膜制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明利用层状结构的二维晶体分离层和厚膜分离层结合原位刻蚀和高温退火等方法制备低位错密度的GaN厚膜，二维晶体分离层和厚膜分离层作为二维晶体掩膜能够防止在GaN厚膜中引入热失配应力，提高GaN单晶衬底的晶体质量，位错密度低，且具有良好的尺寸扩展能力；基板能够重复利用，工艺简单，节能环保；利用多层二维晶体掩膜实现多块GaN单晶衬底的单次原位制备与分离，能够提高产率并降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN115050864B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210981417.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非单晶衬底的单晶氮化物Micro‑LED阵列的制备方法。本发明通过制备二维材料掩膜层，得到位错密度低于1×109 cm‑2的位错过滤层，并进一步得到位错密度低于1×108 cm‑2的单晶氮化物薄膜，能够在大晶格失配且大热膨胀系数失配的非单晶衬底上实现超高质量的单晶氮化物功能结构，除能够用于制备Micro‑LED器件，还能够扩展用于制备射频器件、功率器件、发光器件和探测器件等，具有工艺普适性；采用激光破坏外延结构与非单晶衬底的界面结合，能够实现外延结构的无损分离和非单晶衬底的多次重复利用，节能环保、工艺简单并适于批量生产。
-
公开(公告)号：CN114975699B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210888388.8
申请日：2022-07-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种全彩氮化物半导体Micro‑LED阵列的单片集成制备方法。本发明先制备复合型导电衬底，然后用绝缘模板覆盖在复合型导电衬底上制备模板衬底，将单晶石墨烯完全对齐覆盖在模板衬底上，得到包括石墨烯阵列基元的定制化模板石墨烯衬底，每个石墨烯阵列基元的蓝区石墨烯阵列元、绿区石墨烯阵列元和红区石墨烯阵列元的表面性质不同，再进行一次原位外延生长垂直结构全氮化物，一次原位得到全彩Micro‑LED阵列外延片，最后进行封装和制备透明电极，得到垂直结构且顶面出光的全彩氮化物Micro‑LED阵列；本发明无需额外的微纳加工工艺，节能环保并适于批量生产，应用于增强/虚拟现实和8K超清显示等用显示芯片。
-
公开(公告)号：CN113381298B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110526308.X
申请日：2021-05-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种降低半导体量子点激光器线宽增强因子的方法，通过对量子点的尺寸、应力以及量子点材料和势垒材料禁带宽度的调控，增加量子点能态能级差，抑制非均匀性展宽的影响，提高量子点增益谱在跃迁能级附近的对称性，从而有效降低量子点激光器的线宽增强因子。本发明与当前的实验室和产业界所使用的设备和工艺完全匹配，具有成本低廉、可操作性强、和效果明显等特点，可有效提高量子点半导体激光器的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
196
records
(took 0.023 seconds)
