一种低熔点靶材的绑定方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113088898A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110262375.5

    申请日:2021-03-10

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明公开了一种低熔点靶材的绑定方法,包括以下步骤:(1)待绑定的靶胚与背板进行预处理;(2)在所述预处理后的背板的绑定面上形成石墨导电胶层,并在绑定面的绑定区域边缘布设铜丝或在绑定区域布设铜网;(3)将预处理后的靶胚叠放在步骤(2)所得背板的绑定面上并定位;(4)对靶胚表面设置施压物进行施压;(5)在保持施压的条件下使石墨导电胶层固化,即得绑定后的靶材。本发明采用石墨导电胶作为绑定物质,有效地解决了铋与铟反应的问题,且绑定牢固,焊合率符合行业标准。并且相比用铟绑定靶材,石墨导电胶的成本低于铟60%,且在制备过程中,相对铟的使用温度降低了30%,降低了功耗,节省了时间,提高了效率。

    一种铝合金靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN110904364B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201911138528.4

    申请日:2019-11-19

    摘要: 本发明提供了一种铝合金靶材的制备方法,所述方法将铝和钪熔炼并且精炼后铸型得到圆柱形铝钪合金;将得到的圆柱形铝钪合金在450~650℃下保温后进行热加工,所述热加工包括至少一个循环热轧,每个循环热轧的道次为4个道次,每个循环热轧中热轧的方向依次为第一道次热轧的方向随机,第二道次热轧的方向以第一道次热轧的方向为基准逆时针旋转85~95度,第三道次热轧的方向以第二道次热轧的方向为基准顺时针旋转40~50度,第四道次热轧的方向以第三道次热轧的方向为基准顺时针旋转85~95度;然后进行矫平、机加工调整。本发明的制备方法通过控制热轧过程中的热轧道次的方向,提高了圆形靶坯的圆整度,降低了后续加工过程中的切割损失,降低了铝合金靶材的生产成本。

    一种氧化镉金相试样及其制备方法

    公开(公告)号:CN112326377A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010941162.0

    申请日:2020-09-09

    IPC分类号: G01N1/28 G01N1/32

    摘要: 本发明涉及一种氧化镉金相试样的制备方法,包括以下步骤:(1)用线切割在氧化镉靶材上按照金相制样标准切出氧化镉试样;(2)将步骤(1)得到的金相试样进行机械打磨;(3)将步骤(2)得到的金相试样进行机械抛光;(4)将步骤(3)得到的金相试样进行化学腐蚀;(5)将步骤(4)得到的金相试样冲洗干燥。本发明还涉及一种氧化镉金相试样。本发明所用的腐蚀剂为酸的乙醇稀溶液,其避免了氧化镉在腐蚀过程中产生白色物质所导致的无法观察到晶界的缺点。同时本发明中同一砂纸打磨时,需将第一次打磨后的试样旋转180°进行打磨,此打磨手段能避免打磨过程中出现斜面导致金相观察时模糊的缺点。

    一种纳米氧化铟的制备方法

    公开(公告)号:CN112323084A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202010967348.3

    申请日:2020-09-15

    IPC分类号: C25B1/00 B82Y30/00 C01G15/00

    摘要: 本发明揭示了一种纳米氧化铟的制备方法,包括以下步骤:以金属铟为阳极、惰性电极为阴极、铵盐水溶液为电解液进行电解,在电解第一预设时间后将电解后的溶液加热至预设温度,往电解后的溶液中持续添加氨水溶液并搅拌第二预设时间后即可得到氢氧化铟,最后将电解液中的氢氧化铟进行固液分离、高温煅烧即可得到纳米氧化铟粉体。本发明提供的一种纳米氧化铟的制备方法,对电解完成后的溶液进行加热中和搅拌、固液分离以及煅烧后即可得到稳定性好、颗粒大小均匀、颗粒分布均匀的纳米级氧化铟,解决了现有技术制备出的纳米级氧化铟粉体由于粒径过细而导致粉体性质不稳定,继而产生颗粒分布不均匀容易发生团聚的技术问题。

    一种陶瓷氧化物回收粉的造粒方法

    公开(公告)号:CN112299827A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202011132084.6

    申请日:2020-10-21

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷氧化物回收粉的造粒方法,所述方法包括以下步骤:(1)将陶瓷氧化物回收粉与纯水混合,加入球磨机中,然后加入分散剂、消泡剂;(2)搅拌球磨,然后加入粘结剂继续搅拌,得到浆料;(3)将浆料进行离心喷雾干燥,然后脱脂烧结,得到烧结后的回收粉;(4)将烧结后的回收粉进行筛分,得到符合原料粉要求的陶瓷氧化物回收粉。本发明将等离子喷涂或其他热喷涂工艺中产生的未沉积陶瓷氧化物回收粉重新回收、造粒,使其再次满足等离子喷涂工艺对复合陶瓷氧化物粉粒度分布、颗粒形貌、纯度、组分等的要求;使陶瓷氧化物粉体资源得到高效利用,有效降低等离子喷涂工艺或其他热喷涂工艺的原料成本。

    一种锆钇合金靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN112030013A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010681984.X

    申请日:2020-07-15

    摘要: 本发明揭示了一种锆钇合金靶材的制备方法,包括以下步骤:按锆钇合金所需的配比称量锆原料和钇原料,钇原料分为第一钇原料和第二钇原料;第一钇原料置于水冷铜坩埚底部,锆原料放在第一钇原料的上面,抽真空后送电加热,得到第一锆钇合金熔体;第一锆钇合金熔体降温至室温,得到第一锆钇合金铸锭;第一锆钇合金铸锭置于水冷铜坩埚底部,加入第二钇原料,重复进行熔炼得到第二锆钇合金熔体;重复进行冷却得到第二锆钇合金铸锭;第二锆钇合金铸锭加热至完全熔化后进行精炼,快速浇铸得到锆钇合金靶坯;锆钇合金靶坯进行机加工后得到锆钇合金靶材。本发明采用分步熔炼的方式,解决了现有技术中将锆和钇直接混合熔炼导致合金成分偏析的技术问题。

    ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN111785440A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010450401.2

    申请日:2020-05-25

    发明人: 宋世金 朱刘 任丽

    摘要: 本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法,其包括如下步骤:S1:衬底清洗;S2:在衬底上采用磁控溅射生长变温缓冲层;S3:在变温缓冲层上采用磁控溅射生长取向生长层;S4:取向生长层到达设定的厚度后,停止生长;变温生长层和取向生长层共同形成ITO薄膜。与现有技术相比,本ITO薄膜及ITO透明导电玻璃的制备方法无需引入异质诱导层,具有工艺简便易控、易于大规模生产的优点,且在获得(004)择优取向ITO薄膜的同时,不会造成化学计量比尤其是氧缺位浓度的变化,ITO薄膜组分均一,ITO透明导电玻璃的透明导电性能优异。

    ITO薄膜
    48.
    发明公开
    ITO薄膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN111763911A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010451500.2

    申请日:2020-05-25

    发明人: 宋世金 朱刘 任丽

    IPC分类号: C23C14/08 C23C14/02 C23C14/35

    摘要: 本发明涉及一种ITO薄膜,其包括取向生长层和变温缓冲层。与现有技术相比,本发明的ITO薄膜无需引入异质缓冲层,即可获得透明导电性能优异的择优取向薄膜,该ITO薄膜的禁带宽度Eg宽、可见光透过率高、载流子浓度和迁移率高、光学性能优异。

    碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法

    公开(公告)号:CN111647857A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010466045.3

    申请日:2020-05-27

    IPC分类号: C23C14/34 C23C14/06 C23C14/08

    摘要: 本发明公开了一种碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法。本发明通过对碲化镉薄膜电池残靶进行预处理,破碎、过筛后,得到残靶粉末,并将残靶粉末掺入碲化镉薄膜电池靶材新粉中,通过真空热压烧结工艺制备得到致密度高、力学性能好、纯度高的碲化镉薄膜电池靶材。本发明在不影响碲化镉薄膜电池靶材性能的前提下,实现了碲化镉薄膜电池残靶的充分回收利用,减少了废料的产生。

    一种铝钪靶材的制备方法
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111560585A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010348639.4

    申请日:2020-04-28

    摘要: 本发明揭示了一种铝钪靶材的制备方法,包括以下步骤:将铝钪合金块粉碎、筛分后得到铝钪合金粉末;将所述铝钪合金粉末与铝粉或钪粉按照一定比例进行混合,进行均质处理后得到混合粉末;将所述混合粉末进行烧结后得到铝钪靶坯;将所述铝钪靶坯进行机加工得到铝钪靶材。本发明提供的一种铝钪靶材的制备方法,通过采用铝钪合金粉末与铝粉或钪粉进行混合,制备低钪含量的铝钪靶材只需要添加铝粉混合,制备高钪含量的铝钪靶材只需要添加钪粉混合,不需要经过繁琐的熔炼过程,同时也能有效解决现有技术采用钪粉和铝粉混合后热压烧结,导致使用过多昂贵的金属钪粉而产生成分偏析、氧含量高和晶粒尺寸不均匀的技术问题。