公开(公告)号：CN1082720C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96112122.X

申请日：1996-08-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76256 ,  Y10S438/96

Abstract: 一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：使用热扩散法将能控制导电类型的元素扩散进硅衬底，形成扩散区；在扩散区中形成多孔层；在多孔层上形成无孔单晶层；粘接无孔单晶层与底部衬底，同时提供其一个表面与无孔单晶层粘接而另一表面与底部衬底粘接的绝缘层；暴露多孔层；以及除去多孔层。

公开(公告)号：CN1079989C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN97122707.1

申请日：1997-11-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3226 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体产品的新型工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底，将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处分离多层结构；并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。

公开(公告)号：CN1314701A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN01101254.4

申请日：2001-01-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括半导体层3的半导体衬底,半导体层3形成在支撑衬底1上,半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层3,其中在半导体层表面区域以外的区域内形成标记;以及还提供半导体衬底的生产工艺。

公开(公告)号：CN1258091A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99123433.2

申请日：1999-11-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括:无向自动控制装置,用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片;以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时,就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。

公开(公告)号：CN1243327A

公开(公告)日：2000-02-02

申请号：CN99110696.2

申请日：1999-07-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  米原隆夫 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC: H01H21/00

Abstract: 本发明防止了具有分离层的键合衬底叠层被分离时产生的缺陷。在第一工序中,在旋转键合衬底叠层(101)的情况下,将射流喷射到多孔层(101b),以便局部分离键合衬底叠层(101),同时留下多孔层(101b)的中心部分作为未分离区。在第二工序中,在停止键合衬底叠层(101)旋转的情况下,将射流喷射到多孔层(101b)。从预定方向将力施加到未分离区,以便完全分离键合衬底叠层(101)。

公开(公告)号：CN1221973A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98126335.6

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B26F3/004 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S156/941 ,  Y10T29/49821 ,  Y10T83/364 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1374 ,  Y10T156/19

Abstract: 提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108,109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101),从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。

公开(公告)号：CN1206221A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN98109689.1

申请日：1998-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片。在利用键合晶片制备基片的方法中,相互键合第一基片部件和第二基片部件,然后在形成于第一基片部件主表面的第一层和第二层的界面分离第二基片部件与第一基片部件,由此第二层转移到第二基片部件。在分离过程中,通过改变多孔Si层的孔隙率的方法、使多孔Si的孔聚集形成容易分离面的方法、在界面进行离子注入的方法、或利用异质外延界面的方法来确保分离位置在第一第二层的界面。

公开(公告)号：CN1099905A

公开(公告)日：1995-03-08

申请号：CN93118894.6

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  C23F1/24

Abstract: 多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅，并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸。制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

公开(公告)号：CN1066748A

公开(公告)日：1992-12-02

申请号：CN92101589.5

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  左藤信彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  C23F1/24

Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

公开(公告)号：CN105321980B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201510336507.9

申请日：2015-06-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 盐原悟 ,  坂口清文 ,  松田阳次郎 ,  水野信贵

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供有机发光装置，包括：基板；以及在该基板上依次设置的下部电极、包括发光层的有机化合物层、和上部电极，其中：该有机化合物层覆盖该下部电极；该上部电极覆盖该有机化合物层；该上部电极与该基板中设置的配线连接部电连接；并且该有机化合物层的至少部分区域中的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ1表示时，满足下式(1)和(2)：tan(θ1)＝d1/d2 (1)tan(θ1)≥0.2 (2)。式(1)中，d1表示该有机化合物层的厚度并且d2表示该有机化合物层的端部的截面的锥形宽度。