公开(公告)号：CN1037727C

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN92101589.5

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  左藤信彦

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明涉及多孔硅腐蚀液和使用该腐蚀液选择性腐蚀多孔硅的方法。该腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液，或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液，其优点在于，使用本发明的腐蚀液及腐蚀方法不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀。

公开(公告)号：CN1066748A

公开(公告)日：1992-12-02

申请号：CN92101589.5

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  左藤信彦

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  C23F1/24

Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。