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公开(公告)号：CN116529004A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180079966.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 烧结体具备金刚石颗粒和结合材料。金刚石颗粒中的硼浓度为0.001质量百分比以上且0.9质量百分比以下。结合材料中的硼浓度为0.5质量百分比以上且40质量百分比以下。
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公开(公告)号：CN114286731A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080059250.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 金刚石切削工具包含刀尖部，所述刀尖部具备单晶金刚石或无粘合剂多晶金刚石，以及石墨，将构成单晶金刚石或无粘合剂多晶金刚石的碳设为第一碳，将构成石墨的碳设为第二碳，当在刀尖部的表面进行了拉曼分光分析的情况下，相对于所述表面中的第一碳的峰强度Id1与所述表面中的第二碳的峰强度Ig1之和的、Ig1的比率R1为0.5以上且1以下，当在位于距所述表面为1μm的深度的面中进行了拉曼分光分析的情况下，相对于位于距所述表面为1μm的深度的面中的第一碳的峰强度Id2与位于距所述表面为1μm的深度的面中的第二碳的峰强度Ig2之和的、Ig2的比率R2为0.01以上且0.3以下。
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公开(公告)号：CN112533713A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051496.6
申请日：2019-08-02
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 一种用于车削的车削工具，其具有刀杆部以及固定至刀杆部的切削刃部。切削刃部由合成单晶金刚石构成。切削刃部包括前刀面、后刀面和配置在前刀面和后刀面相交处的相交部分的切削刃，并且具有刀尖弯曲部，其曲率半径为0.1mm至1.2mm。刀尖弯曲部满足以下条件，即：将刀尖弯曲部的顶角二等分的截面和前刀面之间的交线方向相对于合成单晶金刚石的 方向在±10°以内的条件和/或相对于合成单晶金刚石的 方向在±10°以内的条件。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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公开(公告)号：CN101400833B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101375363A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN106884202B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610991581.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金刚石单晶和单晶金刚石工具。根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的单晶金刚石工具包含由金刚石单晶制成的刀尖，其中所述金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的金刚石单晶和单晶金刚石工具具有高硬度和高韧性、在工具的制造中易于加工、具有与包含天然金刚石或高温高压合成Ib型金刚石的工具的耐破裂或耐碎裂性相等或更高的耐破裂或耐碎裂性、且在切削时具有长寿命和高抗断裂性。
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公开(公告)号：CN104395508A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380034864.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , B23B27/148 , B23B2226/31 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B30/00 , C30B31/22 , Y10T407/24 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为800nm的光的透射率，所述主面相对于{100}面具有7°以下的偏角，并在气相中含碳分子的数目NC对氢分子的数目NH的比NC/NH为10％以上且40％以下，气相中氮分子的数目NN对含碳分子的数目NC的比NN/NC为0.1％以上且10％以下，且籽晶基板温度T为850℃以上且小于1000℃的合成条件下，利用化学气相合成法在所述籽晶基板的离子注入后的主面上均相外延生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101375363B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN101410549A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011115.9
申请日：2007-01-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/511 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
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