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公开(公告)号：CN106206297A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610801795.5
申请日：2016-09-05
Applicant: 中山大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/0254
Abstract: 本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法。一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法，包括下述步骤：首先提供所需衬底，在所述衬底上依次外延生长应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的基板。在所述基板上依次选择区域外延GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层，其中GaN沟道层通过TMIn辅助生长。本发明能够有效抑制选区外延中再生长界面的寄生沟道，提高选区外延生长的AlGaN/GaN异质结构质量，降低外延层的漏电流。
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公开(公告)号：CN104681620A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510029558.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 中山大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7838 , H01L29/0657 , H01L29/66477
Abstract: 本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层，二次外延生长后形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极欧姆接触金属置于导电GaN衬底背面。本发明器件结构简单，工艺重复性和可靠性高，能有效抑制二次生长界面处或电子阻挡层中杂质的扩散，以优化电子阻挡层和异质结构沟道2DEG的电学特性。
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公开(公告)号：CN104018215A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410259957.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺方法，具体涉及一种选择区域外延生长界面保护方法，包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上部分覆盖一层光刻胶保护层，在所述光刻胶保护层上继续淀积一层介质层，作为掩膜层，而后采用光刻胶剥离工艺去除所述光刻胶保护层及光刻胶保护层上的介质层，实现对掩膜层的图形化，最后在未被掩蔽的区域进行外延生长。本发明工艺简单，可以很好地解决传统光刻和腐蚀方法制作掩膜层时容易损伤生长界面的问题。
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公开(公告)号：CN102332469B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110282654.4
申请日：2011-09-22
Applicant: 中山大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，该器件由下往上依次包括衬底（1）、n型GaN层（2），电子阻挡层（3）、非掺杂GaN层（4）及异质结构势垒层（5），由异质结构势垒层表面刻蚀凹槽至n型GaN层内，凹槽上二次生长p型GaN层实现栅极导电沟道（7），异质结构势垒层两端形成源极（9），栅极导电沟道和异质结构势垒层裸露的表面覆盖绝缘层（8），绝缘层上的沟道位置处覆盖栅极（11），衬底底面覆盖漏极（10）。本发明利用具有高度浓度二维电子气异质结构作为接入区，有效减低导通电阻；在刻蚀凹槽中二次生长薄层P型GaN层，易于提高纵向导通常关型MISFET的阈值电压和沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN119824966A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510129443.9
申请日：2025-02-05
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供一种风电桩基调平装置及调平方法，其中风电桩基调平装置包括布设在风电桩基周围的若干伸缩锚固件；所述伸缩锚固件用于支撑和调平风电桩基，其包括伸缩组件和锚头，所述伸缩组件用于调整伸缩锚固件的长度，其一端与风电桩基连接，另一端与锚头连接，所述锚头用于与地面固定连接。本发明能够提高风电桩基的水平和竖向承载力，并实现风电桩基的调平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119726520A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510041552.5
申请日：2025-01-10
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及海缆保护装置技术领域，尤其涉及一种应用于悬跨海缆的动态保护装置，其包括多个保护单元，多个保护单元用于套设在海缆的外侧并沿所述海缆的延伸方向依次排布，相邻的保护单元按角度变化呈错位排布，加强导流效果，保护单元包括由外向内依次设置的外护部、分流部和海缆夹套，外护部、分流部和海缆夹套同轴设置，分流部呈中空结构，分流部的外侧与外护部铰接，分流部的内侧与海缆夹套连接，海缆夹套用于套设在海缆上；该装置通过中空的分流部分流以及导流槽分流，实现多层级消减分流，大大减少来流强度，可适应性强；分流部的外侧与外护部铰接，利用外护部的随流摆动，破坏尾流漩涡的形成，达到抑制涡激振动的效果，从而保护海缆。
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公开(公告)号：CN119627776A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411796484.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种海缆保护装置及其安装方法，所述装置包括多个嵌套连接的护筒组件；单个护筒组件包括套筒、连接在套筒两端的嵌套连接结构和置于套筒外表面的环形导流结构，各套筒、嵌套连接结构均为中空结构且用于海缆沿轴向穿过；各嵌套连接结构包括母端和子端，连接同一套筒的母端、子端分别用于与连接不同套筒的对应子端、母端嵌套连接；各母端由两个对称的半球型母端单元组成，各子端由两个对称的半球型子端单元组成；各环形导流结构包括环形底座和多个带有间隔凸起的导流板，环形底座套在对应的套筒外表面，各导流板固定在环形底座上的相应区域，所述环形底座为可开合的结构。本发明旨在实现海缆的防弯曲保护。
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公开(公告)号：CN119221529A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411436376.7
申请日：2024-10-15
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提供一种风机综合防护装置及其施工方法，其中风机综合防护装置包括设置在风机基础上的防撞装置和防冲刷装置，所述防撞装置与防冲刷装置连接；所述防撞装置包括第一固定圈和多个防撞件，所述第一固定圈套设在风机基础上，多个所述防撞件设置在第一固定圈上；所述防冲刷装置为锥形结构，其包括第二固定圈、铺设于锥体侧面的锥面轮胎结构和平铺于锥体底面的平铺轮胎结构，所述锥面轮胎结构一端与第二固定圈连接，另一端与平铺轮胎结构抵接。本发明具有防撞和防冲刷功能，能够实现风机的一体化综合防护。
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公开(公告)号：CN111462036B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202010100257.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 腾讯科技(深圳)有限公司 , 中山大学附属第六医院
Abstract: 本申请公开了一种基于深度学习的病理图像处理方法，包括：获取待处理的目标对象的病理图像；对待处理的目标对象的病理图像进行分块处理，以得到分块图像集合；对分块图像集合进行特征分类提取处理，得到N个第一特征集合、N个第二特征集合以及N个第三特征集合；生成与目标对象所对应的目标融合特征；调用病理图像分析模型对目标融合特征进行分析处理，以输出待处理的目标对象的病理分析结果。本申请还公开了一种模型训练方法。本申请可以直接利用病理图像预测病灶转移的风险，相较于生物检测技术，能够减少等待检测结果的时间，提升检测效率，还能避免因实验误差和操作误差等不可控因素带来的误差，从而提供更为精准的检测结果。
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公开(公告)号：CN118523222A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410707984.0
申请日：2024-06-03
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种海缆保护装置，属于海缆保护技术领域，该海缆保护装置的一端与桩基固定连接，海缆保护装置的另一端埋入海床内，海缆保护装置包括多个保护套件和多个连接件，多个保护套件套设于海缆的外侧并沿海缆的延伸方向依次排布连接件连接于相邻的两个所述保护套件之间，连接件具有解锁状态和锁止状态，与解锁状态下相连的两个保护套件转动连接，与锁止状态下相连的两个保护套件固定连接。本发明技术方案能够减轻海缆在海床上部的负荷与加强海缆保护装置两端固定以及能够根据海缆安装后的形状对海缆保护装置的形状进行相应的调整。
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