公开(公告)号：CN102903815A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210380553.5

申请日：2012-10-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 田婷 ,  谢海忠 ,  张逸韵 ,  王兵 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。

公开(公告)号：CN102691102A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210180973.9

申请日：2012-06-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴奎 ,  魏同波 ,  闫建昌 ,  刘喆 ,  王军喜 ,  张逸韵 ,  李璟 ,  李晋闽

IPC: C30B29/20 ,  C30B25/18

Abstract: 一种蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底表面排列一单层紧密排列的聚苯乙烯球；2)在聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；3)加温加热处理，使聚苯乙烯球气化，在二氧化硅凝胶的表面形成二氧化硅纳米碗阵列掩模；4)采用ICP的方法，干法刻蚀或者湿法刻蚀，把二氧化硅纳米碗阵列掩膜转移到蓝宝石衬底上；5)在BOE溶液中进行处理，将蓝宝石衬底表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成蓝宝石纳米碗阵列图形，完成制作。本方法能降低氮化物外延层中的位错密度，提高外延材料的晶体质量，大大提高出光效率，改善器件的性能。

公开(公告)号：CN102683522A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210180422.2

申请日：2012-06-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴奎 ,  魏同波 ,  闫建昌 ,  刘喆 ,  王军喜 ,  张逸韵 ,  李璟 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。

公开(公告)号：CN102655194A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210162627.8

申请日：2012-05-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 董鹏 ,  王军喜 ,  闫建昌 ,  张逸韵 ,  孙莉莉 ,  曾建平 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备，该方法简单方便易行，与传统LED工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102544270A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210057275.X

申请日：2012-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张逸韵 ,  谢海忠 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法，包括：在外延结构上制备透明导电电极；将外延结构的一侧进行部分刻蚀，形成台面；在透明导电电极上制备上金属电极，在台面上制备下金属电极；减薄、抛光；制备二氧化硅保护层；从制备有二氧化硅保护层的蓝宝石衬底背面进行激光划片，使蓝宝石衬底的背面两侧留下两个V型深槽；超声清洗；腐蚀掉两个V型深槽外侧部分，获得倾斜的蓝宝石侧壁；除去二氧化硅保护层。本发明的制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法获得的发光二极管，其可提高器件的出光效率。

公开(公告)号：CN102244159A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110177081.9

申请日：2011-06-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑怀文 ,  张逸韵 ,  吴奎 ,  杨华 ,  李璟

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底，在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜，形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀，形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜，完成制备。

公开(公告)号：CN102214753A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110147591.1

申请日：2011-06-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张逸韵 ,  汪炼成 ,  郭恩卿 ,  孙波 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。