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公开(公告)号:CN101750424A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200810204566.0
申请日:2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海膜神工程技术咨询有限公司
IPC: G01N22/00
Abstract: 本发明的便携式low-ε中空玻璃U值鉴别仪包括:微波发射源101和接收端201,发射端信号及电源线102和接收端信号及电源线202,测试盒3,测试时样品4置于测试盒中,其中测试盒的设计目的是为了防止微波信号不穿过中空玻璃从其他途径绕射或直接到达接收端从而形成干扰。本发明公开了两类测试盒的设计,只需将中空玻璃样品装入测试盒中,然后通过两个蓝牙等微波发射/接收器件分别发射和接收微波信号,从通过中空玻璃样品的微波信号衰减程度就可以快速无损地鉴别出不同中空玻璃保温性能(U值)的优劣。该设备的结构非常简单,操作也很容易,无须具备任何专业知识,不需要经过任何专业训练即可轻松操作,成本低,特别适合在国内外广阔的建筑行业推广使用。
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公开(公告)号:CN101706428A
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200910198964.0
申请日:2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中,由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获,之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带,导致探测光子被大量吸收,使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度,造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形,其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化,体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
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公开(公告)号:CN101545884A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910050316.0
申请日:2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法,包括步骤:待测晶片或器件经过扩散区域的剖面试样制备,剖面上扩散区及其附近区域微分电容显微分布的侦测,由微分电容显微分布特征确定PN结的位置和扩散深度。该方法适用于小尺寸的扩散窗口和平面型光电探测器光敏单元检测,空间分辨高并能提供侧向扩散深度的信息。
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公开(公告)号:CN101531855A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200910049109.3
申请日:2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C09D133/02 , C09D5/33 , C09D7/12
Abstract: 本发明公开了一种复合型金属空心介质微球隔热涂料,它由金属空心介质微球、成膜剂、分散剂、成膜助剂和消泡剂组成,各组分的质量配比为:金属空心介质微球15~20%,成膜剂70~75%,分散剂1.0~3.0%,成膜助剂3.0~10.0%,消泡剂1.0~2.0%。该涂料在太阳辐射热量集中的1.3~10μm红外波段,反射率达到85%以上,自发辐射保持与基体材料一致,隔热效果良好。本发明的优点在于将辐射、反射和阻隔多重隔热机理综合在一起,具有自发辐射低、太阳热反射率高和热阻隔效果好的特点。
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公开(公告)号:CN101262025A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200810036257.7
申请日:2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种量子放大的p型量子阱红外探测器。该探测器包括:量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层。其特征是:p型量子阱有源层集成在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层上。其核心机理为利用p型量子阱有源层进行中、长波红外吸收,产生的空穴由共振隧穿二极管的双势垒附近的量子点俘获,引起共振隧穿电流的强烈变化,从而使得本发明的器件兼有量子点共振隧穿二极管的高量子放大倍率和p型量子阱探测器的正入射红外波段响应能力。克服了制约量子阱红外探测器应用性能的二个关键问题,即正入射禁戒和量子效率低。
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公开(公告)号:CN101252152A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810035501.8
申请日:2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池,该电池包括:衬底,在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是:拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收;其次,薄膜电池采用非晶材料,制备工艺简单,造价低廉,同时不受衬底生长条件的限制,可以选择价格低廉的衬底,能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号:CN101251627A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810035323.9
申请日:2008-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构,利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是:首先,与现有各类偏振分束器件相比,它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次,器件的尺寸可以做得很小,并与现有的光子晶体器件在结构上兼容,满足集成化的要求。第三,结构非常灵活,可以通过调节耦合区长度或晶格常数,实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。
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公开(公告)号:CN101231309A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200810033719.X
申请日:2008-02-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法,该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对,来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便,无破坏性;能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测,及时推进生产工艺的改进,有利于器件产品的应用分级,对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号:CN101221203A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200710172700.9
申请日:2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法,该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件,利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系,根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离,通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认,可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法,对于改善器件性能,提高器件稳定性,以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号:CN100359365C
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200510110631.X
申请日:2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔,该指示笔包括:GaN基发光二极管,在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层,在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是:发光二极管发出的光,经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来,同时,窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光,从而使得最终发出的光单色性很好,与激光非常接近,然后再加上一个透镜,使光束在使用的范围内光斑都很小,而光束本身并非是相干的激光,亮度均匀,不会像激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点,因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。
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