-
公开(公告)号：CN101830644A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010177547.0
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高汽车镀膜玻璃稳定性的膜系，该膜系与常用的汽车镀膜玻璃膜系的核心总差异是将金属纯银材料改变为银、铜、锌、铬四种金属的合金材料Ag1-x-y-zCuxZnyCrz，其中0≤x+y+z≤10％，Zn能够阻止银与邻近的氧化物层的相互作用，防止膜系性能退化，Cr和Cu能够提高Ag层的化学稳定性，不易受环境的影响。这大大提高了夹胶玻璃在深加工过程的稳定性。另一方面，由于掺杂铜、锌、铬的Ag1-x-y-zCuxZnyCrz合金银的使用，降低了工业大规模生产的成本。本发明中的膜系在可见光透光率75～80％的条件下增加了银膜层的抗氧化、抗机械和化学攻击性，对提高汽车镀膜玻璃的稳定性能有着十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN1793874B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510111477.8
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N23/227 , G01N13/00 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
-
公开(公告)号：CN100559194C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
-
公开(公告)号：CN100524841C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
-
公开(公告)号：CN101493412A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046995.4
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外光调制光致发光谱的方法和装置，该装置包括傅立叶变换红外光谱测量系统、作为泵浦和探测光源的激光器系统、以及联结傅立叶变换红外光谱仪中探测器与电路控制板的锁相放大器和低通滤波器、置于测试样品与激光器系统之间光路上的两个斩波器。该方法使用上述装置进行光调制光致发光光谱测量，能准确确定光致发光信号中多个光跃迁的能量位置。由于红外光调制光致发光谱是光致发光光谱物理微分，可以更为确切分析发光过程，因而可作为一种可靠测定涉及多光跃迁机制光致发光信号的有效手段。本发明具有快速、便捷的优点，适用于富含杂质和缺陷的红外半导体光电材料微弱发光特性的检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100461557C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
-
公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
-
公开(公告)号：CN101252255A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810034077.5
申请日：2008-02-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体硅太赫兹激光源器件，包括：泵浦源、硅THz激光器芯片，为硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系统。本发明的特征是：利用硅THz激光器芯片中具有更长2p0能级寿命的电离能为40.09meV类氢浅施主杂质NSD来替代硅THz激光器芯片中的杂质P实现5.40THz波段的激光输出。本发明的优点是容易实现2p0能级与较低s态之间的粒子数反转，此类THz激光源器件的品质因子较基于硅中V族浅施主杂质的激光源器件提高约3倍左右，极大提高了THz激光源器件的效率与性能。本发明器件所用硅材料制备方法为提拉法，工艺成熟，均匀性好。
-
公开(公告)号：CN101251485A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
-
公开(公告)号：CN101196552A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
457
records
(took 0.079 seconds)
