公开(公告)号：CN1300826C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410053350.0

申请日：2004-07-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 于广辉 ,  雷本亮 ,  叶好华 ,  齐鸣 ,  李爱珍

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区，或放在不同的温区，HCl气体流过Ga舟和In舟，通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节，满足生长的需要。GaN结晶膜的生长温度为1000-1100℃，在此温度下不会形成InGaN合金，其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长速度很高的HVPE生长方式非常重要，可以使得生长的GaN的表面的平整度得到改进，且降低GaN结晶膜中的缺陷位错密度。

公开(公告)号：CN1265519C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03151154.6

申请日：2003-09-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  黄占超 ,  劳燕锋 ,  沈勤我 ,  齐鸣 ,  封松林

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在于高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜(1)、金属膜(2)和氧化物保护膜(3)组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2中的一种，相位匹配介质膜的厚度小于四分之一波长，金属膜为铝、金、银中的一种。激光器腔面镀膜所用夹具由三部分组成：叠放激光器解理条的基片为铁质圆片，可移动定位片为磁铁，以及夹持解理条的夹片。其特征在于用磁铁来固定夹片从而夹持解理条，夹片采用厚度与腔长相近的单晶硅解理片。本发明的膜系结构简单，成本低廉，使激光器的功率平均提高70%，阈值电流降低25%左右，镀膜夹具易于操作，适合于进行规模化生产。

公开(公告)号：CN1744287A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510028370.7

申请日：2005-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 雷本亮 ,  于广辉 ,  齐鸣 ,  叶好华 ,  孟胜 ,  李爱珍

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。

公开(公告)号：CN1242093C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200310108793.0

申请日：2003-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 于广辉 ,  叶好华 ,  雷本亮 ,  李爱珍 ,  齐鸣

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种用于气相沉积的水平式反应器的结构，其特征在于采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体构成，整个反应器结构放在水平腔体内，源气和载气进气口和出气口分别在水平腔体的两端，使用时反应器水平放置。由于采用垂直喷淋供气方式，使得两种反应气体在混合区很小的情况下也可以实现均匀混合，既保证了外延生长中大面积均匀性的实现，同时也减少了对外延生长有害的预反应的发生。采用喷淋头与样品平行的结构，既可以采用集成化的反应器结构，即源气喷淋头和样品托固定在一起，也可以分别控制各气路的位置，使得反应器容易加工，使用灵活，适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1632957A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200510023173.6

申请日：2005-01-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张永刚 ,  刘天东 ,  李爱珍 ,  齐鸣

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。

公开(公告)号：CN1556390A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN200310122883.5

申请日：2003-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张永刚 ,  李爱珍 ,  齐鸣

IPC: G01N21/27

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统，属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源；用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号，对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源的调制频率与响应信号幅度间关系，对测量数据进行处理拟合，从而获得有关材料特性的数据。提供的系统由两台或多台不同的波长的单色微光器及进行波长切换的反射镜光路；光调制器、偏置电源、偏置网络及样品架；弱信号扦测的锁相放大器以及计算机控制的数据采集的记录等五部分组成。本发明适用于各类薄膜，外延微结构及体材料半导体特性的测量和表征。

公开(公告)号：CN1179399C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02112310.1

申请日：2002-06-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  齐鸣 ,  赵智彪 ,  李伟

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。

公开(公告)号：CN1178289C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02112412.4

申请日：2002-07-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 齐鸣 ,  李爱珍 ,  赵智彪

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出GaN外延层的位错密度；其具体测定步骤是：(1)先按照异丙醇、丙酮、乙醇的顺序对GaN样品进行化学清洗清洗后用大量去离子水洗净，用高纯N2吹干；(2)将样品用石蜡或夹子固定在载玻片上，放入盛有1-10MKOH溶液中，采用磁子搅拌，在Cd-He激光器提供的激光照射下，进行湿法刻蚀，时间为5-10分钟；(3)取出刻蚀样片，用去离子水清洗，高纯N2吹干，然后用原子力显微镜，进行刻蚀表面的位错腐蚀坑统计，估算出GaN外延层的位错密度。本发明提供的位错密度测定方法可靠、有效，与其它方法，如XRD位错密度估算方法相比，一致性好。

公开(公告)号：CN1178278C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02112311.X

申请日：2002-06-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 齐鸣 ,  李爱珍 ,  赵智彪

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及射频等离子体分子束外延生长GaN的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：(1)经Ga原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至450℃～550℃范围；(2)开启Ga束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成核生长，时间2分钟，约10nm；(3)关闭Ga束源炉快门，衬底温度升高至900℃，进行高温热退火；热退火时间5分钟。然后将衬底温度降至650℃～800℃范围；(4)再次开启Ga束源炉快门，进行较高温度的缓冲层准二维生长，生长时间3分钟，约15nm；(5)关闭Ga束源炉快门，升高衬底温度以进行外延层GaN的生长。与传统单缓冲层相比，表面平整度明显提高；ω扫描的半峰值进一步降低，有利于外延层的二维成长；外延层的位错密度也明显下降。

公开(公告)号：CN1395290A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02112310.1

申请日：2002-06-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  齐鸣 ,  赵智彪 ,  李伟

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：(1)将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入MBE生长室内的样品架上，经高温～900℃热退火之后将衬底温度降低至600℃～850℃范围。反射式高能电子衍射(RHEED)屏幕上出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(2)打开Ga束源炉快门，Ga原子束流喷射到蓝宝石衬底表面。RHEED屏幕上的蓝宝石衬底衍射条纹消失；(3)关闭Ga束源炉快门；(4)蓝宝石衬底的温度升至900℃，保持2～5分钟，直至RHEED屏幕上再次出现清晰的蓝宝石衬底衍射条纹；(5)重复进行第二次清洗，然后进行常规的外延生长。经本发明提供的Ga清洗预处理后的蓝宝石衬底平整度明显提高，对提高外延层GaN的二维生长特性有明显的促进作用。